HZKJ 发表于 2023-2-25 15:47:05

求大牛推荐控制电池开关的PMOS，10A

常用的，大牌厂家，质量靠谱。
具体参数要求：Vgs=4.5v, 电流10A以上，封装不限。
3.3v可以稳定打开。内阻越低越好。

HZKJ 发表于 2023-2-25 15:54:20

CJU40P04A      CJ(江苏长电/长晶)
场效应管(MOSFET)       
类型        P沟道       
漏源电压(Vdss)        40V       
连续漏极电流(Id)        40A       
功率(Pd)        74W       
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)        10.5mΩ@10V,10A       
阈值电压(Vgs(th)@Id)        1.5V@250uA       
栅极电荷(Qg@Vgs)        23nC@4.5V       
输入电容(Ciss@Vds)        2.8nF@25V       
反向传输电容(Crss@Vds)        150pF@25V       
工作温度        -55℃~+150℃@(Tj)

HZKJ 发表于 2023-2-25 15:59:11

CJ(江苏长电/长晶)
厂家型号： CJQ13P04

类型        P沟道       
漏源电压(Vdss)        40V       
连续漏极电流(Id)        13A       
功率(Pd)        4W       
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)        11mΩ@10V,10A       
阈值电压(Vgs(th)@Id)        1.5V@250uA       
栅极电荷(Qg@Vgs)        22.2nC@4.5V       
输入电容(Ciss@Vds)        2.626nF@25V       
反向传输电容(Crss@Vds)        176pF@25V       
工作温度        -55℃~+150℃@(Tj)

HZKJ 发表于 2023-2-25 16:04:22

CJAB25P03
类型        P沟道       
漏源电压(Vdss)        30V       
连续漏极电流(Id)        25A       
功率(Pd)        3W       
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)        20mΩ@10V,10A       
阈值电压(Vgs(th)@Id)        3V@250uA

HZKJ 发表于 2023-2-25 16:14:20

品　　牌： TOSHIBA(东芝)
厂家型号： SSM6J511NU,LF
类型        P沟道       
漏源电压(Vdss)        12V       
连续漏极电流(Id)        14A       
功率(Pd)        1.25W       
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)        9.1mΩ@8V,4A       
阈值电压(Vgs(th)@Id)        1V@1mA

HZKJ 发表于 2023-2-25 16:18:13

品　　牌： BL(上海贝岭)
厂家型号： BLM4407
类型        P沟道       
漏源电压(Vdss)        30V       
连续漏极电流(Id)        12A       
功率(Pd)        3W       
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)        11.5mΩ@10V,6A       
阈值电压(Vgs(th)@Id)        1.5V@250uA       
栅极电荷(Qg@Vgs)        55.3nC@10V       
输入电容(Ciss@Vds)        2.628nF@15V       
反向传输电容(Crss@Vds)        271pF@15V       
工作温度        -55℃~+150℃@(Tj)

Xujuango 发表于 2023-2-25 16:21:06

HZKJ 发表于 2023-2-25 16:14
品　　牌： TOSHIBA(东芝)
厂家型号： SSM6J511NU,LF
类型        P沟道       
(引用自5楼)

10A以上的电流，按你推荐的最低内阻的那款，10*10*9.1/1000=0.91W,
PDFN-6的封装，应该烫的化锡了。

HZKJ 发表于 2023-2-25 16:26:08

Xujuango 发表于 2023-2-25 16:21
10A以上的电流，按你推荐的最低内阻的那款，10*10*9.1/1000=0.91W,
PDFN-6的封装，应该烫的化锡了。 ...
(引用自7楼)

持续电流应该是5，6A

Xujuango 发表于 2023-2-25 16:26:20

不考虑并联，加散热片的话，用TLP3906+Nmos，内阻有很低的

vtte 发表于 2023-2-25 18:08:24

ME50P06   60V50AVGS4.5V时RDS小于等于20豪欧。

HZKJ 发表于 2023-2-25 22:40:25

Xujuango 发表于 2023-2-25 16:26
不考虑并联，加散热片的话，用TLP3906+Nmos，内阻有很低的
(引用自9楼)

还是想简单一些，谢谢。

HZKJ 发表于 2023-2-25 22:40:53

vtte 发表于 2023-2-25 18:08
ME50P06   60V50AVGS4.5V时RDS小于等于20豪欧。
(引用自10楼)

这个参数太猛了，电流够大。谢谢

HZKJ 发表于 2023-2-25 22:51:10

vtte 发表于 2023-2-25 18:08
ME50P06   60V50AVGS4.5V时RDS小于等于20豪欧。
(引用自10楼)

这个品牌是台湾的吧，质量如何。之前没用过

Rabbitoose 发表于 2023-2-25 23:01:22

我今天刚好也看上了一个PMOS，AONR21357，30V 34A，Rds(on) (at Vgs=4.5V)为< 12.3mΩ

HZKJ 发表于 2023-2-25 23:22:15

Rabbitoose 发表于 2023-2-25 23:01
我今天刚好也看上了一个PMOS，AONR21357，30V 34A，Rds(on) (at Vgs=4.5V)为< 12.3mΩ
(引用自14楼)

体积小巧，不错。， 加入购物车了

akey3000 发表于 2023-2-25 23:50:48

HZKJ 发表于 2023-2-25 23:22
体积小巧，不错。， 加入购物车了
(引用自15楼)

请教下，内阻多少合适，是根据什么来定

kitten 发表于 2023-2-25 23:52:21

本帖最后由 kitten 于 2023-2-26 00:06 编辑

课代表来了，
AON64114.5V时2mR，2.5V时3.6mR
东芝 TPH1R712MD    2.5V时 2.7mR
当时为了给强光手电找个MOS，翻遍了几大网站。就这俩货了。

HZKJ 发表于 2023-2-26 19:53:03

akey3000 发表于 2023-2-25 23:50
请教下，内阻多少合适，是根据什么来定
(引用自16楼)

封装小的话 散热功率也小，但是内阻足够小的情况下，看正常工作电流，算一下发热功率就可以。

HZKJ 发表于 2023-2-26 19:55:52

kitten 发表于 2023-2-25 23:52
课代表来了，
AON64114.5V时2mR，2.5V时3.6mR
东芝 TPH1R712MD    2.5V时 2.7mR
(引用自17楼)

TPH1R712MD,L1Q东芝
类型        P沟道       
漏源电压(Vdss)        20V       
连续漏极电流(Id)        60A       
功率(Pd)        78W       
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)        1.7mΩ@4.5V,30A       
阈值电压(Vgs(th)@Id)        1.2V@1mA


大牌，性能强悍。 对得起8元的价格。

kitten 发表于 2023-2-26 21:50:27

HZKJ 发表于 2023-2-26 19:55
TPH1R712MD,L1Q东芝
类型        P沟道       
漏源电压(Vdss)        20V       
(引用自19楼)

我一般喜欢用AOS的{:titter:}
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