求大牛推荐控制电池开关的PMOS，10A

HZKJ · 发表于 2023-2-25 15:47:05

常用的，大牌厂家，质量靠谱。
具体参数要求：Vgs=4.5v, 电流10A以上，封装不限。
3.3v可以稳定打开。内阻越低越好。

HZKJ · 发表于 2023-2-25 15:54:20

CJU40P04A CJ(江苏长电/长晶)
场效应管(MOSFET)
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 40A
功率(Pd) 74W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10.5mΩ@10V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs) 23nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds) 2.8nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds) 150pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

HZKJ · 发表于 2023-2-25 15:59:11

CJ(江苏长电/长晶)
厂家型号： CJQ13P04

类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 13A
功率(Pd) 4W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@10V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs) 22.2nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds) 2.626nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds) 176pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

HZKJ · 发表于 2023-2-25 16:04:22

CJAB25P03
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 25A
功率(Pd) 3W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@10V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA

HZKJ · 发表于 2023-2-25 16:14:20

品　　牌： TOSHIBA(东芝)
厂家型号： SSM6J511NU,LF
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 12V
连续漏极电流(Id) 14A
功率(Pd) 1.25W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 9.1mΩ@8V,4A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@1mA

HZKJ · 发表于 2023-2-25 16:18:13

品　　牌： BL(上海贝岭)
厂家型号： BLM4407
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 12A
功率(Pd) 3W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11.5mΩ@10V,6A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs) 55.3nC@10V
输入电容(Ciss@Vds) 2.628nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds) 271pF@15V
工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

Xujuango · 发表于 2023-2-25 16:21:06

HZKJ 发表于 2023-2-25 16:14
品　　牌： TOSHIBA(东芝)
厂家型号： SSM6J511NU,LF
类型 P沟道
(引用自5楼)

10A以上的电流，按你推荐的最低内阻的那款，10*10*9.1/1000=0.91W,
PDFN-6的封装，应该烫的化锡了。

HZKJ · 发表于 2023-2-25 16:26:08

Xujuango 发表于 2023-2-25 16:21
10A以上的电流，按你推荐的最低内阻的那款，10*10*9.1/1000=0.91W,
PDFN-6的封装，应该烫的化锡了。 ...
(引用自7楼)

持续电流应该是5，6A

Xujuango · 发表于 2023-2-25 16:26:20

不考虑并联，加散热片的话，用 TLP3906+Nmos，内阻有很低的

vtte · 发表于 2023-2-25 18:08:24

ME50P06 60V50A VGS4.5V时RDS小于等于20豪欧。

HZKJ · 发表于 2023-2-25 22:40:25

Xujuango 发表于 2023-2-25 16:26
不考虑并联，加散热片的话，用 TLP3906+Nmos，内阻有很低的
(引用自9楼)

还是想简单一些，谢谢。

HZKJ · 发表于 2023-2-25 22:40:53

vtte 发表于 2023-2-25 18:08
ME50P06 60V50A VGS4.5V时RDS小于等于20豪欧。
(引用自10楼)

这个参数太猛了，电流够大。谢谢

HZKJ · 发表于 2023-2-25 22:51:10

vtte 发表于 2023-2-25 18:08
ME50P06 60V50A VGS4.5V时RDS小于等于20豪欧。
(引用自10楼)

这个品牌是台湾的吧，质量如何。之前没用过

Rabbitoose · 发表于 2023-2-25 23:01:22

我今天刚好也看上了一个PMOS，AONR21357，30V 34A，Rds(on) (at Vgs=4.5V)为< 12.3mΩ

HZKJ · 发表于 2023-2-25 23:22:15

Rabbitoose 发表于 2023-2-25 23:01
我今天刚好也看上了一个PMOS，AONR21357，30V 34A，Rds(on) (at Vgs=4.5V)为< 12.3mΩ
(引用自14楼)

体积小巧，不错。，加入购物车了

akey3000 · 发表于 2023-2-25 23:50:48

HZKJ 发表于 2023-2-25 23:22
体积小巧，不错。，加入购物车了
(引用自15楼)

请教下，内阻多少合适，是根据什么来定

kitten · 发表于 2023-2-25 23:52:21

本帖最后由 kitten 于 2023-2-26 00:06 编辑

课代表来了，
AON6411 4.5V时2mR，2.5V时3.6mR
东芝 TPH1R712MD 2.5V时 2.7mR
当时为了给强光手电找个MOS，翻遍了几大网站。就这俩货了。

HZKJ · 发表于 2023-2-26 19:53:03

akey3000 发表于 2023-2-25 23:50
请教下，内阻多少合适，是根据什么来定
(引用自16楼)

封装小的话散热功率也小，但是内阻足够小的情况下，看正常工作电流，算一下发热功率就可以。

HZKJ · 发表于 2023-2-26 19:55:52

kitten 发表于 2023-2-25 23:52
课代表来了，
AON6411 4.5V时2mR，2.5V时3.6mR
东芝 TPH1R712MD 2.5V时 2.7mR
(引用自17楼)

TPH1R712MD,L1Q 东芝
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 60A
功率(Pd) 78W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.7mΩ@4.5V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@1mA

大牌，性能强悍。对得起8元的价格。

kitten · 发表于 2023-2-26 21:50:27

HZKJ 发表于 2023-2-26 19:55
TPH1R712MD,L1Q 东芝
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
(引用自19楼)

我一般喜欢用AOS的

求大牛推荐控制电池开关的PMOS，10A

阿莫论坛20周年了！感谢大家的支持与爱护！！