不同V(DS)下MOS管发热问题
同样的MOS,同样的电流,同样的V(GS),只是不同的V(DS),为什么V(DS)高的MOS管发热厉害?理论来说,相同的电流,相同的R(DS),损耗应该相同才对啊!求大神们解释一下 具体一点,什么型号的MOS,怎么的驱动电路,什么样的电压,什么样的负载? 开关损耗不同。 LZ用在高频高压电路里面?MOSFET一样有开关损耗 rainbow 发表于 2015-6-27 14:54具体一点,什么型号的MOS,怎么的驱动电路,什么样的电压,什么样的负载? ...
航模电调上用,只是把三节电池变成了四节电池,都给他10A的电流,其他什么都没有变,四节电池的就很热。 LearningASM 发表于 2015-6-27 15:26
LZ用在高频高压电路里面?MOSFET一样有开关损耗
查到了,P=1/2*Coss*Vds^2*fs,开关损耗的确与V(DS)有关 a409600516 发表于 2015-6-27 17:05
航模电调上用,只是把三节电池变成了四节电池,都给他10A的电流,其他什么都没有变,四节电池的就很热。 ...
那就是3楼大师讲的情况。 gzhuli 发表于 2015-6-27 14:54
开关损耗不同。
请问大神有个具体的算MOS开关损耗的公式吗? 开启后mos管的阻抗多少 负载电流多少 gzhuli 发表于 2015-6-27 14:54
开关损耗不同。
大神说的极为道理,所以我现在想采用软开关来减少开关损耗。我做的是电机驱动,类似逆变器,不知选用哪种软开关的拓扑结构? a409600516 发表于 2015-7-13 09:37
大神说的极为道理,所以我现在想采用软开关来减少开关损耗。我做的是电机驱动,类似逆变器,不知选用哪种 ...
电机驱动应该增加MOSFET驱动电流,软开关不是没有,被动式的只能在固定转速范围内有效,主动式的要多好几倍的元件,所以几乎都没人用。
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