不同V(DS)下MOS管发热问题

a409600516 · 发表于 2015-6-27 14:40:50

同样的MOS，同样的电流，同样的V(GS)，只是不同的V(DS)，为什么V(DS)高的MOS管发热厉害？理论来说，相同的电流，相同的R(DS)，损耗应该相同才对啊！求大神们解释一下

rainbow · 发表于 2015-6-27 14:54:02

具体一点，什么型号的MOS，怎么的驱动电路，什么样的电压，什么样的负载？

gzhuli · 发表于 2015-6-27 14:54:02

开关损耗不同。

LearningASM · 发表于 2015-6-27 15:26:41

LZ用在高频高压电路里面？MOSFET一样有开关损耗

a409600516 · 发表于 2015-6-27 17:05:26

rainbow 发表于 2015-6-27 14:54
具体一点，什么型号的MOS，怎么的驱动电路，什么样的电压，什么样的负载？ ...

航模电调上用，只是把三节电池变成了四节电池，都给他10A的电流，其他什么都没有变，四节电池的就很热。

a409600516 · 发表于 2015-6-27 17:13:17

LearningASM 发表于 2015-6-27 15:26
LZ用在高频高压电路里面？MOSFET一样有开关损耗

查到了，P=1/2*Coss*Vds^2*fs，开关损耗的确与V(DS)有关

rainbow · 发表于 2015-6-27 17:17:23

a409600516 发表于 2015-6-27 17:05
航模电调上用，只是把三节电池变成了四节电池，都给他10A的电流，其他什么都没有变，四节电池的就很热。 ...

那就是3楼大师讲的情况。

a409600516 · 发表于 2015-6-27 17:21:09

gzhuli 发表于 2015-6-27 14:54
开关损耗不同。

请问大神有个具体的算MOS开关损耗的公式吗？

sj1125055001 · 发表于 2015-6-28 12:38:32

开启后mos管的阻抗多少负载电流多少

a409600516 · 发表于 2015-7-13 09:37:36

gzhuli 发表于 2015-6-27 14:54
开关损耗不同。

大神说的极为道理，所以我现在想采用软开关来减少开关损耗。我做的是电机驱动，类似逆变器，不知选用哪种软开关的拓扑结构？

gzhuli · 发表于 2015-7-13 12:39:37

a409600516 发表于 2015-7-13 09:37
大神说的极为道理，所以我现在想采用软开关来减少开关损耗。我做的是电机驱动，类似逆变器，不知选用哪种 ...

电机驱动应该增加MOSFET驱动电流，软开关不是没有，被动式的只能在固定转速范围内有效，主动式的要多好几倍的元件，所以几乎都没人用。

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