请问如何用51驱动mos管呢？
本帖最后由 cityfuture 于 2013-11-7 09:12 编辑stc51 驱动IRF540N 控制12v电源通断，直接用io驱动，mos输出只有2v，如何驱动才可以正常输出呢，求一个电路图
大概是这样使用P0口输出驱动，三极管是8505，结果输出的电压，三级管一次压降，mos一次压降，直接由12v到6v去了，如何解决？ 用PWM来驱动门极 IRF540N 是 Nmos,负载要接到高端。
或换成irf9540 百度资料一大把的 tlsmf 发表于 2013-11-8 11:30 static/image/common/back.gif
百度资料一大把的
请问使用51驱动光耦，驱动mos管，光耦的输入极可以直接io写0驱动吗，会不会烧光耦？输出极可以直接12v与n沟道mos管相连吗，会不会烧mos管？用的是817BAMS望有资料的话可以上传一份 ordinary 发表于 2013-11-8 09:15 static/image/common/back.gif
IRF540N 是 Nmos,负载要接到高端。
或换成irf9540
请问使用51驱动光耦，驱动mos管，光耦的输入极可以直接io写0驱动吗，会不会烧光耦？输出极可以直接12v与n沟道mos管相连吗，会不会烧mos管？用的是817BAMS望有资料的话可以上传一份 R4去掉，或者换小阻值。如果2n2219a的放大率达不到2000，mos管不会关断。把负载放到高端，mos控制低端。这样才不会让mos工作在放大区。上面已经有人告诉你了，你竟然没看见。mos管换低导通电阻的型号，540不是干小电压活的mos。 就这样。。。。 MOS分为NMOS和PMOS。PMOS控制源，NMOS控制地。
首先你要确定是采用控制方式。
其次，PMOS的门极控制电压低于阈值电压MOS管开启。NMOS门极控制电压高于阈值电压MOS开启。具体电压请参见具体芯片手册。
如果工作在非快速开关模式，PMOS可用光耦直接控制。NMOS可直接用单片机IO控制（注意阈值电压选择）。
最后，如果用PMOS并采用光耦方式，光耦的二极管端阳极串接限流电阻至VCC，阴极直接接IO。开关端阴极接地，阳极接限流电阻连接到电源。然后PMOS的门机接到光耦开关端的阳极上就行了。
PS，楼主要补补最基础的模电。 首先，我说一下我认为可能的原因：（1）P0未接上拉；（2）R4选的太大。
原因如下：
（1）stc51的P0口是用于外部总线按扩展的，内部是开漏极结构，需要接上拉电阻才能带负载。
（2）R4过大会导致三极管基极电流过小，无法驱动三极管。你说的三极管降压和mos管降压不用考虑，因为三极管是驱动mos管的。一般mos管5v足以驱动，图中三极管集电极的电压理论上到11v是没问题的，足以驱动后级mos管，mos管只要驱动电压够了，导通压降是很小的，相当于直接把负载接再电源上。一般来说mos管能承受的电流也比较大（具体看管子参数），所以mos管作驱动时，带负载能力是比较强的。
图中的s1接到单片机上，R4换成5k的，应该可以解决问题。 给出各个节点的电压有助于确定和解决问题 LingYi 发表于 2013-11-12 17:13
就这样。。。。
这个放电不够快可能不行。 三极管+上啦 szfour 发表于 2013-12-3 15:16
这个放电不够快可能不行。
这个电路能行吗？MOS管的G 相当于是开路的哦，觉得三极管Q1可能会不正常工作。
但是 整个电路是可以工作的，可能三极管在这里就只充当了二极管的作用哦。
如图:I1 I2的电流都是不存在的，三极管不可能饱和，G确有电压，其路径是 VCC------RB------发射结------G 3楼讲得很清楚了，换个P沟道的MOS管就行了，一个简单的开关电路整得这么复杂！ LingYi 发表于 2013-12-4 09:43
这个电路能行吗？MOS管的G 相当于是开路的哦，觉得三极管Q1可能会不正常工作。
但是 整个电路是可以工作 ...
这个是实际测试的结果。没加这些线路，PWM就是不能让开管正常工作。开始是以为是频率太高，也测试过降低到几百HZ都不行。再考虑认为是放电速度的问题。才改成这样的。试过用电阻都不行。是有点想不通。 ZY_Hong 发表于 2013-12-4 09:59
3楼讲得很清楚了，换个P沟道的MOS管就行了，一个简单的开关电路整得这么复杂！ ...
这个可以实际试一试，我们是实实在在的遇到的问题。这么简单的线路，有时是一下给蒙着了。 szfour 发表于 2013-12-4 17:14
这个可以实际试一试，我们是实实在在的遇到的问题。这么简单的线路，有时是一下给蒙着了。 ...
就用楼主位的电路，将N沟道换成P沟道的管子就行！另外三极管基极限流电阻太大，弄个1K-10K就行！
你三极管拉低PMOS的G极时，VDG=12V，看有没有超过器件的最大值，超过的话加个电阻分压一下就行！ szfour 发表于 2013-12-4 17:11
这个是实际测试的结果。没加这些线路，PWM就是不能让开管正常工作。开始是以为是频率太高，也测试过降低 ...
错了，PWM是让MOS管间歇式工作。
你的目的是为了提高 上升沿和 下降沿的速度。
这个电路中三极管没有办法饱和，所有没有到达提高速度的目的。
但是因为三极管的 发射结 存在，所有仍然可以 把 G 的电位提高。
测试的时候，用电流表 测Q1 C的电流就知道了。 LingYi 发表于 2013-12-4 17:27
错了，PWM是让MOS管间歇式工作。
你的目的是为了提高 上升沿和 下降沿的速度。
这个电路中三极管没有办 ...
你的目的是为了提高 上升沿和 下降沿的速度。
你说的没错。我的本意就是要加快上升下降沿的速度。没加这些线路前，开关管的G极的波形真的差。可以说是没作用。幅度也低。 lz用源级跟随器？还是要多看看书才好。 LZ用光耦驱动MOS管吧 楼主的图片中，Q1换成P型MOS管就行了。 试试把X2放到Q1的上面，结果包你满意。 电路太复杂了。
负载接到MOS的漏极，构成反相器，上面的网友们都说了。
MOS不需要用那么大的，按你25W的负载功率，SOT-23的NMOS都有很多很多。
5V的IO口足够直接驱动小功率MOS了，前面的一堆电路都可以省了。稳妥点在IO口并联一个下拉电阻。 收藏下，换一个低电阻的mos管应该可以 mark一下，以后可能用到 8楼的不错，我支持 只是通断，用继电器不好？，调速才PWM
可以用图腾柱来驱动！
本帖最后由 abbott 于 2013-12-31 14:41 编辑这种MOS的结电容比较大，可以用图腾柱来驱动！
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