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请问如何用51驱动mos管呢?

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出0入0汤圆

发表于 2013-11-6 09:39:35 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 cityfuture 于 2013-11-7 09:12 编辑

stc51 驱动IRF540N 控制12v电源通断,直接用io驱动,mos输出只有2v,如何驱动才可以正常输出呢,求一个电路图

大概是这样使用P0口输出驱动,三极管是8505,结果输出的电压,三级管一次压降,mos一次压降,直接由12v到6v去了,如何解决?

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出0入0汤圆

发表于 2013-11-8 09:07:25 | 显示全部楼层
用PWM来驱动门极

出0入0汤圆

发表于 2013-11-8 09:15:37 | 显示全部楼层
IRF540N   是   Nmos  ,负载要接到高端。
或换成irf9540

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发表于 2013-11-8 11:30:34 | 显示全部楼层
百度资料一大把的

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 楼主| 发表于 2013-11-8 21:22:11 | 显示全部楼层
tlsmf 发表于 2013-11-8 11:30
百度资料一大把的

请问使用51驱动光耦,驱动mos管,光耦的输入极可以直接io写0驱动吗,会不会烧光耦?输出极可以直接12v与n沟道mos管相连吗,会不会烧mos管?用的是817BAMS望有资料的话可以上传一份

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 楼主| 发表于 2013-11-8 21:22:31 | 显示全部楼层
ordinary 发表于 2013-11-8 09:15
IRF540N   是   Nmos  ,负载要接到高端。
或换成irf9540

请问使用51驱动光耦,驱动mos管,光耦的输入极可以直接io写0驱动吗,会不会烧光耦?输出极可以直接12v与n沟道mos管相连吗,会不会烧mos管?用的是817BAMS望有资料的话可以上传一份

出0入0汤圆

发表于 2013-11-12 16:59:53 | 显示全部楼层
R4去掉,或者换小阻值。如果2n2219a的放大率达不到2000,mos管不会关断。  把负载放到高端,mos控制低端。这样才不会让mos工作在放大区。上面已经有人告诉你了,你竟然没看见。mos管换低导通电阻的型号,540不是干小电压活的mos。

出0入0汤圆

发表于 2013-11-12 17:13:41 | 显示全部楼层
就这样。。。。

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出0入0汤圆

发表于 2013-11-12 18:13:24 | 显示全部楼层
MOS分为NMOS和PMOS。PMOS控制源,NMOS控制地。

首先你要确定是采用控制方式。

其次,PMOS的门极控制电压低于阈值电压MOS管开启。NMOS门极控制电压高于阈值电压MOS开启。具体电压请参见具体芯片手册。

如果工作在非快速开关模式,PMOS可用光耦直接控制。NMOS可直接用单片机IO控制(注意阈值电压选择)。

最后,如果用PMOS并采用光耦方式,光耦的二极管端阳极串接限流电阻至VCC,阴极直接接IO。开关端阴极接地,阳极接限流电阻连接到电源。然后PMOS的门机接到光耦开关端的阳极上就行了。

PS,楼主要补补最基础的模电。

出0入0汤圆

发表于 2013-12-3 00:32:06 | 显示全部楼层
首先,我说一下我认为可能的原因:(1)P0未接上拉;(2)R4选的太大。
原因如下:
(1)stc51的P0口是用于外部总线按扩展的,内部是开漏极结构,需要接上拉电阻才能带负载。
(2)R4过大会导致三极管基极电流过小,无法驱动三极管。你说的三极管降压和mos管降压不用考虑,因为三极管是驱动mos管的。一般mos管5v足以驱动,图中三极管集电极的电压理论上到11v是没问题的,足以驱动后级mos管,mos管只要驱动电压够了,导通压降是很小的,相当于直接把负载接再电源上。一般来说mos管能承受的电流也比较大(具体看管子参数),所以mos管作驱动时,带负载能力是比较强的。
图中的s1接到单片机上,R4换成5k的,应该可以解决问题。

出0入0汤圆

发表于 2013-12-3 00:36:43 | 显示全部楼层
给出各个节点的电压有助于确定和解决问题

出0入0汤圆

发表于 2013-12-3 15:16:42 | 显示全部楼层
LingYi 发表于 2013-11-12 17:13
就这样。。。。

这个放电不够快可能不行。

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出0入0汤圆

发表于 2013-12-3 19:33:33 | 显示全部楼层
三极管+上啦

出0入0汤圆

发表于 2013-12-4 09:43:24 | 显示全部楼层
szfour 发表于 2013-12-3 15:16
这个放电不够快可能不行。

这个电路能行吗?MOS管的G 相当于是开路的哦,觉得三极管Q1可能会不正常工作。
但是 整个电路是可以工作的,可能三极管在这里就只充当了二极管的作用哦。
如图:I1 I2的电流都是不存在的,三极管不可能饱和,G确有电压,其路径是 VCC------RB------发射结------G

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出0入0汤圆

发表于 2013-12-4 09:59:12 | 显示全部楼层
3楼讲得很清楚了,换个P沟道的MOS管就行了,一个简单的开关电路整得这么复杂!

出0入0汤圆

发表于 2013-12-4 17:11:15 | 显示全部楼层
LingYi 发表于 2013-12-4 09:43
这个电路能行吗?MOS管的G 相当于是开路的哦,觉得三极管Q1可能会不正常工作。
但是 整个电路是可以工作 ...

这个是实际测试的结果。没加这些线路,PWM就是不能让开管正常工作。开始是以为是频率太高,也测试过降低到几百HZ都不行。再考虑认为是放电速度的问题。才改成这样的。试过用电阻都不行。是有点想不通。

出0入0汤圆

发表于 2013-12-4 17:14:54 | 显示全部楼层
ZY_Hong 发表于 2013-12-4 09:59
3楼讲得很清楚了,换个P沟道的MOS管就行了,一个简单的开关电路整得这么复杂! ...

这个可以实际试一试,我们是实实在在的遇到的问题。这么简单的线路,有时是一下给蒙着了。

出0入0汤圆

发表于 2013-12-4 17:26:35 | 显示全部楼层
szfour 发表于 2013-12-4 17:14
这个可以实际试一试,我们是实实在在的遇到的问题。这么简单的线路,有时是一下给蒙着了。 ...

就用楼主位的电路,将N沟道换成P沟道的管子就行!另外三极管基极限流电阻太大,弄个1K-10K就行!
你三极管拉低PMOS的G极时,VDG=12V,看有没有超过器件的最大值,超过的话加个电阻分压一下就行!

出0入0汤圆

发表于 2013-12-4 17:27:07 | 显示全部楼层
szfour 发表于 2013-12-4 17:11
这个是实际测试的结果。没加这些线路,PWM就是不能让开管正常工作。开始是以为是频率太高,也测试过降低 ...

错了,PWM是让MOS管间歇式工作。
你的目的是为了提高 上升沿  和 下降沿的速度。
这个电路中三极管没有办法饱和,所有没有到达提高速度的目的。
但是因为三极管的 发射结 存在,所有仍然可以 把 G 的电位提高。


测试的时候,用电流表 测Q1 C的电流就知道了。

出0入0汤圆

发表于 2013-12-4 17:32:30 | 显示全部楼层
LingYi 发表于 2013-12-4 17:27
错了,PWM是让MOS管间歇式工作。
你的目的是为了提高 上升沿  和 下降沿的速度。
这个电路中三极管没有办 ...

你的目的是为了提高 上升沿  和 下降沿的速度。
你说的没错。我的本意就是要加快上升下降沿的速度。没加这些线路前,开关管的G极的波形真的差。可以说是没作用。幅度也低。

出0入0汤圆

发表于 2013-12-4 18:02:03 | 显示全部楼层
lz用源级跟随器?还是要多看看书才好。

出0入0汤圆

发表于 2013-12-5 15:33:02 | 显示全部楼层
LZ用光耦驱动MOS管吧

出0入0汤圆

发表于 2013-12-5 19:27:20 | 显示全部楼层
楼主的图片中,Q1换成P型MOS管就行了。

出0入0汤圆

发表于 2013-12-7 11:37:33 | 显示全部楼层
试试把X2放到Q1的上面,结果包你满意。

出0入93汤圆

发表于 2013-12-7 12:12:39 | 显示全部楼层
电路太复杂了。
负载接到MOS的漏极,构成反相器,上面的网友们都说了。
MOS不需要用那么大的,按你25W的负载功率,SOT-23的NMOS都有很多很多。
5V的IO口足够直接驱动小功率MOS了,前面的一堆电路都可以省了。稳妥点在IO口并联一个下拉电阻。

出0入0汤圆

发表于 2013-12-22 14:04:53 | 显示全部楼层
收藏下,换一个低电阻的mos管应该可以

出0入10汤圆

发表于 2013-12-22 14:45:39 | 显示全部楼层
mark一下,以后可能用到

出0入0汤圆

发表于 2013-12-22 22:32:02 | 显示全部楼层
8楼的不错,我支持

出0入0汤圆

发表于 2013-12-30 17:00:58 | 显示全部楼层
只是通断,用继电器不好?,调速才PWM

出0入0汤圆

发表于 2013-12-31 14:33:32 | 显示全部楼层
本帖最后由 abbott 于 2013-12-31 14:41 编辑

这种MOS的结电容比较大,可以用图腾柱来驱动!

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