IR 驱动芯片 求教
关于IR 的驱动芯片 有个参数不理解例如IR2101IO+/-130Ma/270ma TON/TOFF 160NS/150NS而IR2181 IO+/-1.9/2.3A TON/TOFF180NS/220NS ,Z最初以为IO的驱动能力 与Mos fet的 栅极电容有关系如果栅极电容较大需要的IO驱动能力 越大可是现在看 TON/TOFF 这个参数IR2101 IR2181驱动能力差这么多 但是感觉驱动MOsDE 速度差不多是我哪理解错了吗 虫虫好 发表于8 小时前 static/image/common/back.gif关于IR 的驱动芯片 有个参数不理解例如IR2101IO+/-130Ma/270ma TON/TOFF 160NS/150NS而IR2181 IO+/-1.9/2.3...
这个是ir芯片内部的传输时延吧 K.O.Carnivist 发表于 2013-10-15 08:47 static/image/common/back.gif
这个是ir芯片内部的传输时延吧
是的传输延时小 是不是可以代表他驱动MOS的速度比较快呢, 还有那个IO的驱动能力兄台有什么高见吗 早点睡~~~~~~~~~~~~~~~ qxj_2011 发表于 2013-10-16 14:20 static/image/common/back.gif
早点睡~~~~~~~~~~~~~~~
现在就是蛋疼的日子 最近看了 MICROchipAN799 文档 对驱动芯片的IO 拉灌电流能力有了些理解,IR系列MOS驱动ic中文应用手册里也有关于MOS驱动的一些介绍 都来源于坛子 特此奉上 供存在 关于MOS 驱动 和MOS 选型疑惑的朋友参考,同时也希望 哪位大神 能共享下关于MOS 过流能力的一些文档,小弟先行谢过。
页:
[1]