IR 驱动芯片 求教

虫虫好

关于IR 的驱动芯片 有个参数不理解  例如IR2101  IO+/-  130Ma/270ma   TON/TOFF   160NS/150NS  而IR2181    IO+/-  1.9/2.3A     TON/TOFF180NS/220NS ,Z最初以为  IO的驱动能力 与Mos fet的 栅极电容有关系  如果栅极电容较大需要的IO驱动能力 越大  可是现在看 TON/TOFF   这个参数  IR2101 IR2181驱动能力差这么多 但是感觉驱动MOsDE 速度差不多  是我哪理解错了吗

K.O.Carnivist

虫虫好 发表于  8 小时前
关于IR 的驱动芯片 有个参数不理解  例如IR2101  IO+/-  130Ma/270ma   TON/TOFF   160NS/150NS  而IR2181    IO+/-  1.9/2.3...

这个是ir芯片内部的传输时延吧

虫虫好

K.O.Carnivist 发表于 2013-10-15 08:47
这个是ir芯片内部的传输时延吧

是的  传输延时小 是不是可以代表他驱动MOS的速度比较快呢， 还有那个IO的驱动能力  兄台有什么高见吗

qxj_2011

早点睡~~~~~~~~~~~~~~~

虫虫好

qxj_2011 发表于 2013-10-16 14:20
早点睡~~~~~~~~~~~~~~~

现在  就是蛋疼的日子

虫虫好

最近看了 MICROchip  AN799 文档 对驱动芯片的IO 拉灌电流能力有了些理解，IR系列MOS驱动ic中文应用手册  里也有关于MOS驱动的一些介绍 都来源于坛子 特此奉上 供存在 关于MOS 驱动 和MOS 选型疑惑的朋友参考，同时也希望 哪位大神 能共享下关于MOS 过流能力的一些文档，小弟先行谢过。