P-MOS难道不能这么驱动么？
本帖最后由 chewy 于 2012-8-13 14:14 编辑翻了一个老帖子，想尝试一下其中的一个mos管驱动电路
电路图和仿真结果如图，想请教一下三极管的驱动电路有啥问题么呐导致这个PMOS没法关断啊？
哦忘了说了 信号用的是3.3V的方波 MOS供电电压为30V 栅极电位不够吧 早上正好看到gzhuli推荐的3.3V系统用mos管 si2301/si2302 我觉得应该是关到了的，只是你的负载R5太大了SD之间有微弱漏电流 MOS就像短路一样~可是测下4的电流 就明了 Q1-C到D1之间要接个电阻,一般MOS管的VGS不超过+-20V.
R5换作1K试试 Q1 集极要串连 3K3 电阻，否则大电流会把 Q1/D1 烧坏。 本帖最后由 chewy 于 2012-8-13 14:53 编辑
eblc1388 发表于 2012-8-13 14:38 static/image/common/back.gif
Q1 集极要串连 3K3 电阻，否则大电流会把 Q1/D1 烧坏。
嗯 是因为咋都弄不出来所以才拆了那个的
原因是我仿真设置的问题 那个信号源的频率太快了 现在这个图的高低电平分别是1ms，频率为500Hz
上升沿和下降沿都是10ns吧 仿真的结果是正确的~
PS 我的这个图也是从你的帖子里抄的 按说不应该有问题 嘿嘿 就慢慢找参数设置的事儿去了 哈哈
额 你说的应该是基极吧？。。。。 rclong 发表于 2012-8-13 14:20 static/image/common/back.gif
栅极电位不够吧 早上正好看到gzhuli推荐的3.3V系统用mos管 si2301/si2302
应该说是 开关的频率太快了 栅极电容来不及充放电的说。。。
si230x系列还是不错 看了一下si2308能到DS电压能到60v上去 开启电压依然是1V 嘿嘿俺一个电路上有个地方可能要上32V去 所以索性DS电压选大点 不晓得有没有不利影响呢 刚刚 发表于 2012-8-13 14:28 static/image/common/back.gif
我觉得应该是关到了的，只是你的负载R5太大了SD之间有微弱漏电流 MOS就像短路一样~可是测下4的电流 就明 ...
不是负载的问题 100k的负载很小
看了一下 si2308的Id能到2A 也就是说负载电阻在15Ω以上都应该问题不大吧？ lcw_swust 发表于 2012-8-13 14:30 static/image/common/back.gif
Q1-C到D1之间要接个电阻,一般MOS管的VGS不超过+-20V.
R5换作1K试试
是我信号源的频率给的太快了 高电平1us 低电平一个us 上升下降沿10ns 结果弄出一个500K的信号来 管子果断就全导通了 chewy 发表于 2012-8-13 14:57
不是负载的问题 100k的负载很小
看了一下 si2308的Id能到2A 也就是说负载电阻在15Ω以上都应该问题不大 ...
负载能力主要看封装热耗散能力和Ron 要按这个来计算 本帖最后由 chewy 于 2012-8-13 15:31 编辑
rclong 发表于 2012-8-13 15:09 static/image/common/back.gif
负载能力主要看封装热耗散能力和Ron 要按这个来计算
是说的Maximum Junction-to-AmbientMaximum Junction-to-Foot(Drain) 还有Ron这几个参数么哇~
eblc1388 发表于 2012-8-13 14:38 static/image/common/back.gif
Q1 集极要串连 3K3 电阻，否则大电流会把 Q1/D1 烧坏。
顺便请教一下eblc1388大大：
MOS能否做一个同一个端点的输入输出隔离？
这个点上连的一个输出口 能输出30v左右的电压来
还连的一个运放输入口，但是输入的时候信号应该是最大±1V的小信号
想让输出的时候 输入通道断开 这个东西应该可以用MOS管做吧？能的话 请教一下如何整？~谢谢各位大大~ 不明白你心目中想要的电路，你方便就贴一个方块图吧。 本帖最后由 chewy 于 2012-8-13 16:42 编辑
eblc1388 发表于 2012-8-13 16:15 static/image/common/back.gif
不明白你心目中想要的电路，你方便就贴一个方块图吧。
那我来整个草图描述吧 就是传感器驱动的时候是要给一个30V的电压激励 给这个电压脉冲的时候进运放的那一路想让它断开
这个30伏的东西是个脉冲 时有时无的
就是酱紫的
本帖最后由 eblc1388 于 2012-8-13 22:35 编辑
P-MOS 在 +/-1V 小讯号时不好用，闸极电压要相对地为负时管子才导通。用 N-MOS 控制比较容易。给 +10V 打开，0V 关闭。
eblc1388 发表于 2012-8-13 22:32 static/image/common/back.gif
P-MOS 在 +/-1V 小讯号时不好用，闸极电压要相对地为负时管子才导通。用 N-MOS 控制比较容易。给 +10V 打开 ...
恩 这样子的 我这边的控制信号只有3.3v和0v 板子上有±3.3v
所有盘算着 用这两个信号做控制信号制作一个驱动 分别输出那个30V和一个-3.3v
这俩电压来控制mos管 但是我对mos不熟 刚刚才翻你帖子学着用那个p-mos
呵呵
这样的话 根据你那个图 我可以使用个n-mos 然后看看能不能用3.3v 0v来整？ 那就试用逻辑电平的 MOSFET 吧，某些管子 3.3V 可以打开。 关注 eblc1388 发表于 2012-8-13 22:54 static/image/common/back.gif
那就试用逻辑电平的 MOSFET 吧，某些管子 3.3V 可以打开。
比如Si2308？~呵呵 ◆ 看了一下si2308能到DS电压能到60v上去 开启电压依然是1V
1V 是指管子能开始流过 250uA 的电压，但通常负载要求的电流都比这 250uA 为高。VGS(th) = DS 之间有微量电流的闸极电压。
SI2308 VGS=4.5V 时才能流过 2.1A 的电流。闸极电压是否足够就一定要查看管子的资料文档中提供的相关曲线。 eblc1388 发表于 2012-8-13 23:55 static/image/common/back.gif
◆ 看了一下si2308能到DS电压能到60v上去 开启电压依然是1V
1V 是指管子能开始流过 250uA 的电压，但通常 ...
你说的是这个图吧？嗯 我看到了 我那个信号的电流应该很小最大也就一两百个mA
哦 还有个问题想请教一下，昨天仿真发现控制端的频率越快就越来不及关断 这个应该是与栅极的那个电容有关吧？哪个参数可以表征这个东西呢？
后面发现这个东西的频率可能得变大点点 现在只能到3KHz 够用是够用但是没法再提升了 怕到时候带来不便 所以还是想能快点点 本帖最后由 eblc1388 于 2012-8-14 14:11 编辑
◆ 你说的是这个图吧？嗯 我看到了 我那个信号的电流应该很小最大也就一两百个mA
但你没有考虑到当讯号是 +1V 时，源极(S) 也是 +1V，那闸极推动电压就相对下(对0电位)需要多增加1V，从上图看，是 2.6V再加1V = 3.6V，能提供吗？这个管子可能不合用，你还是要看一下其它更低 VGS(th) 的管子。
◆ 现在只能到3KHz 够用是够用但是没法再提升了
那是驱动能提供的电流不足够，想开关频率高些，管子打开及关上都需要用三极管推动。 eblc1388 发表于 2012-8-14 14:09 static/image/common/back.gif
◆ 你说的是这个图吧？嗯 我看到了 我那个信号的电流应该很小最大也就一两百个mA
但你没有考虑到当讯号是...
哦，看了一下 Si2300很合适 开启电压0.6V DS耐压30V 这样的话就算是DS电路有1000mA也才要Vgs1.7V 这样的话 信号如果是1V就是2.7V<3.3V 刚的住~
那请教一下 如果要两个三极管管子搭驱动 应该是个什么样的电路形式呢？我只学到了你那个单管子的电路 嘿嘿 你可以搜一下 "图腾柱驱动电路"。 chewy 发表于 2012-8-13 14:57 static/image/common/back.gif
不是负载的问题 100k的负载很小
看了一下 si2308的Id能到2A 也就是说负载电阻在15Ω以上都应该问题不大 ...
我不是说管子驱动不了100K的负载~
我是多当MOS断开后的，DS的漏电流会不会在100K上形成那么大的压降!
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