P-MOS难道不能这么驱动么？

chewy · 发表于 2012-8-13 14:13:34

本帖最后由 chewy 于 2012-8-13 14:14 编辑

翻了一个老帖子，想尝试一下其中的一个mos管驱动电路
电路图和仿真结果如图，想请教一下三极管的驱动电路有啥问题么呐导致这个PMOS没法关断啊？

哦忘了说了信号用的是3.3V的方波 MOS供电电压为30V

rclong · 发表于 2012-8-13 14:20:33

栅极电位不够吧早上正好看到gzhuli推荐的3.3V系统用mos管 si2301/si2302

刚刚 · 发表于 2012-8-13 14:28:02

我觉得应该是关到了的，只是你的负载R5太大了 SD之间有微弱漏电流 MOS就像短路一样~可是测下4的电流就明了

lcw_swust · 发表于 2012-8-13 14:30:05

Q1-C到D1之间要接个电阻,一般MOS管的VGS不超过+-20V.
R5换作1K试试

eblc1388 · 发表于 2012-8-13 14:38:56

Q1 集极要串连 3K3 电阻，否则大电流会把 Q1/D1 烧坏。

chewy · 发表于 2012-8-13 14:47:16

本帖最后由 chewy 于 2012-8-13 14:53 编辑

eblc1388 发表于 2012-8-13 14:38
Q1 集极要串连 3K3 电阻，否则大电流会把 Q1/D1 烧坏。

嗯是因为咋都弄不出来所以才拆了那个的
原因是我仿真设置的问题那个信号源的频率太快了现在这个图的高低电平分别是1ms，频率为500Hz
上升沿和下降沿都是10ns吧仿真的结果是正确的~
PS 我的这个图也是从你的帖子里抄的按说不应该有问题嘿嘿就慢慢找参数设置的事儿去了哈哈

额你说的应该是基极吧？。。。。

chewy · 发表于 2012-8-13 14:50:22

rclong 发表于 2012-8-13 14:20
栅极电位不够吧早上正好看到gzhuli推荐的3.3V系统用mos管 si2301/si2302

应该说是开关的频率太快了栅极电容来不及充放电的说。。。
si230x系列还是不错看了一下si2308能到DS电压能到60v上去开启电压依然是1V 嘿嘿俺一个电路上有个地方可能要上32V去所以索性DS电压选大点不晓得有没有不利影响呢

chewy · 发表于 2012-8-13 14:57:09

刚刚发表于 2012-8-13 14:28
我觉得应该是关到了的，只是你的负载R5太大了 SD之间有微弱漏电流 MOS就像短路一样~可是测下4的电流就明 ...

不是负载的问题 100k的负载很小

看了一下 si2308的Id能到2A 也就是说负载电阻在15Ω以上都应该问题不大吧？

chewy · 发表于 2012-8-13 14:59:38

lcw_swust 发表于 2012-8-13 14:30
Q1-C到D1之间要接个电阻,一般MOS管的VGS不超过+-20V.
R5换作1K试试

是我信号源的频率给的太快了高电平1us 低电平一个us 上升下降沿10ns 结果弄出一个500K的信号来管子果断就全导通了

rclong · 发表于 2012-8-13 15:09:25

chewy 发表于 2012-8-13 14:57
不是负载的问题 100k的负载很小

看了一下 si2308的Id能到2A 也就是说负载电阻在15Ω以上都应该问题不大 ...

负载能力主要看封装热耗散能力和Ron 要按这个来计算

chewy · 发表于 2012-8-13 15:28:18

本帖最后由 chewy 于 2012-8-13 15:31 编辑

rclong 发表于 2012-8-13 15:09
负载能力主要看封装热耗散能力和Ron 要按这个来计算

是说的Maximum Junction-to-Ambient Maximum Junction-to-Foot(Drain) 还有Ron这几个参数么哇~

chewy · 发表于 2012-8-13 15:53:03

eblc1388 发表于 2012-8-13 14:38
Q1 集极要串连 3K3 电阻，否则大电流会把 Q1/D1 烧坏。

顺便请教一下eblc1388大大：
MOS能否做一个同一个端点的输入输出隔离？
这个点上连的一个输出口能输出30v左右的电压来
还连的一个运放输入口，但是输入的时候信号应该是最大±1V的小信号
想让输出的时候输入通道断开这个东西应该可以用MOS管做吧？能的话请教一下如何整？~谢谢各位大大~

eblc1388 · 发表于 2012-8-13 16:15:30

不明白你心目中想要的电路，你方便就贴一个方块图吧。

chewy · 发表于 2012-8-13 16:30:34

本帖最后由 chewy 于 2012-8-13 16:42 编辑

eblc1388 发表于 2012-8-13 16:15
不明白你心目中想要的电路，你方便就贴一个方块图吧。

那我来整个草图描述吧就是传感器驱动的时候是要给一个30V的电压激励给这个电压脉冲的时候进运放的那一路想让它断开
这个30伏的东西是个脉冲时有时无的
就是酱紫的

eblc1388 · 发表于 2012-8-13 22:32:04

本帖最后由 eblc1388 于 2012-8-13 22:35 编辑

P-MOS 在 +/-1V 小讯号时不好用，闸极电压要相对地为负时管子才导通。用 N-MOS 控制比较容易。给 +10V 打开，0V 关闭。

chewy · 发表于 2012-8-13 22:42:14

eblc1388 发表于 2012-8-13 22:32
P-MOS 在 +/-1V 小讯号时不好用，闸极电压要相对地为负时管子才导通。用 N-MOS 控制比较容易。给 +10V 打开 ...

恩这样子的我这边的控制信号只有3.3v和0v 板子上有±3.3v
所有盘算着用这两个信号做控制信号制作一个驱动分别输出那个30V和一个-3.3v
这俩电压来控制mos管但是我对mos不熟刚刚才翻你帖子学着用那个p-mos
呵呵
这样的话根据你那个图我可以使用个n-mos 然后看看能不能用3.3v 0v来整？

eblc1388 · 发表于 2012-8-13 22:54:59

那就试用逻辑电平的 MOSFET 吧，某些管子 3.3V 可以打开。

mysunmax · 发表于 2012-8-13 23:00:32

关注

chewy · 发表于 2012-8-13 23:16:52

eblc1388 发表于 2012-8-13 22:54
那就试用逻辑电平的 MOSFET 吧，某些管子 3.3V 可以打开。

比如Si2308？~呵呵

eblc1388 · 发表于 2012-8-13 23:55:52

◆ 看了一下si2308能到DS电压能到60v上去开启电压依然是1V

1V 是指管子能开始流过 250uA 的电压，但通常负载要求的电流都比这 250uA 为高。VGS(th) = DS 之间有微量电流的闸极电压。

SI2308 VGS=4.5V 时才能流过 2.1A 的电流。闸极电压是否足够就一定要查看管子的资料文档中提供的相关曲线。

chewy · 发表于 2012-8-14 09:10:35

eblc1388 发表于 2012-8-13 23:55
◆ 看了一下si2308能到DS电压能到60v上去开启电压依然是1V

1V 是指管子能开始流过 250uA 的电压，但通常 ...

你说的是这个图吧？嗯我看到了我那个信号的电流应该很小最大也就一两百个mA
哦还有个问题想请教一下，昨天仿真发现控制端的频率越快就越来不及关断这个应该是与栅极的那个电容有关吧？哪个参数可以表征这个东西呢？
后面发现这个东西的频率可能得变大点点现在只能到3KHz 够用是够用但是没法再提升了怕到时候带来不便所以还是想能快点点

eblc1388 · 发表于 2012-8-14 14:09:34

本帖最后由 eblc1388 于 2012-8-14 14:11 编辑

◆ 你说的是这个图吧？嗯我看到了我那个信号的电流应该很小最大也就一两百个mA

但你没有考虑到当讯号是 +1V 时，源极(S) 也是 +1V，那闸极推动电压就相对下(对0电位)需要多增加1V，从上图看，是 2.6V再加1V = 3.6V，能提供吗？这个管子可能不合用，你还是要看一下其它更低 VGS(th) 的管子。

◆ 现在只能到3KHz 够用是够用但是没法再提升了

那是驱动能提供的电流不足够，想开关频率高些，管子打开及关上都需要用三极管推动。

chewy · 发表于 2012-8-14 14:40:24

eblc1388 发表于 2012-8-14 14:09
◆ 你说的是这个图吧？嗯我看到了我那个信号的电流应该很小最大也就一两百个mA

但你没有考虑到当讯号是 ...

哦，看了一下 Si2300很合适开启电压0.6V DS耐压30V 这样的话就算是DS电路有1000mA也才要Vgs1.7V 这样的话信号如果是1V就是2.7V<3.3V 刚的住~

那请教一下如果要两个三极管管子搭驱动应该是个什么样的电路形式呢？我只学到了你那个单管子的电路嘿嘿

eblc1388 · 发表于 2012-8-14 15:04:20

你可以搜一下 "图腾柱驱动电路"。

刚刚 · 发表于 2012-8-18 00:17:25

chewy 发表于 2012-8-13 14:57
不是负载的问题 100k的负载很小

看了一下 si2308的Id能到2A 也就是说负载电阻在15Ω以上都应该问题不大 ...

我不是说管子驱动不了100K的负载~
我是多当MOS断开后的，DS的漏电流会不会在100K上形成那么大的压降!

P-MOS难道不能这么驱动么？

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