pspice仿真问题求教：Less than 2 connections？
仿真时总会报错：Less than 2 connections at node xxxx连线没问题，GND也设成了0，实在搞不懂，麻烦各位大侠指点
“at node xxxx”，查查你那个xxxx 啊～～
U1 的 3、4 缺少连接。。。 感谢huayuliang的回复
U1处加了无连接符，可能跟它没关系
画这个图是想借鉴万用表的功能，电流采样，U1起个分流的作用。我的理解光耦副边是可以不接的 "node xxxx"
找到node xxxx，在此对地接个大电阻（如1meg）。 yfwuh兄弟所提方法可行
什么个原因还望解答 masai1985 发表于 2012-5-15 09:14 static/image/common/back.gif
感谢huayuliang的回复
U1处加了无连接符，可能跟它没关系
画这个图是想借鉴万用表的功能，电流采样，U1起个 ...
无论如何都不能闲空 "什么个原因还望解答"
这是pspice内部算法的要求，就是每个节点都要有对地的直流通路。
在变压器电路中，也是一样，一般用个大电阻（很大的电阻，如1meg）将原副边线圈连接，人为构造直流通路。
当然这个大电阻的值应该不影响实际电路仿真，只是帮助仿真。 wsm80828 发表于 2012-5-15 11:08 static/image/common/back.gif
无论如何都不能闲空
悬空倒是能运行，现在碰到的问题是：在DISCRETE库中找到的PS2505-1元件根本不具有双向光耦的特性，是不是还得建个光耦的模型？
yfwuh 发表于 2012-5-15 14:42 static/image/common/back.gif
"什么个原因还望解答"
这是pspice内部算法的要求，就是每个节点都要有对地的直流通路。
在变压器电路中，也 ...
谢谢你的耐心答复！
本帖最后由 masai1985 于 2012-5-15 15:06 编辑
请问PS2505-1是不是还得自己建模？ 本帖最后由 yfwuh 于 2012-5-15 20:57 编辑
"请问PS2505-1是不是还得自己建模？"
如果提示无仿真模型，就需要自己建模；没有提示就不用。
不过在9楼中说的可以仿真，只是结果不对，应该不是模型的问题。。。
我先仿真看看。。。
补充：刚自习看了你的图，仿真电路图中，有绿色小圆圈的地方，说明那个元件有问题。 刚刚仿真了一下，问题不大。要仿真的话，元器件应该选择“...\tools\capture\library\pspice”目录下的，
表示是有spice模型的元器件，对应的“place part”对话框右下角有个pspice A/D的小图标。
spice模型：
*****************************************
.SUBCKT D1N4500 1 2
D1 1 2 DFWD
D1A 1 2 DXTRA
D1B 2 1 DLEAK
R1 1 2 1.66407G
.MODEL DFWD D
+ IS=71.94942E-15N=0.960183 RS=0.236317 IKF=0.000237528
+ CJO=4.0000E-12 M=.3333 VJ=.75 ISR=96.49884E-15
+ NR=1.82557 BV=86.542 IBV=.3447 TT=6.6562E-9
.MODEL DXTRA D
+ IS = 68.81973E-12 RS = 28.47153E-3 N = 2.15458 IKF = 0.0531356
+ TT = 0 CJO = 0 VJ = 1 M = .5
+ EG = 1.11 XTI = 3 KF = 0 AF = 1
+ FC = .5 BV = 1E5 IBV = .001
.MODEL DLEAK D
+ IS = 5.810722E-15 RS = 0.1 N = 180.584 TT = 0
+ CJO = 0 VJ = 1 M = .5 EG = 1.11
+ XTI = 3 KF = 0 AF = 1 FC = .5
+ BV = 1E5 IBV = .001
.ENDS
*****************************************
*****************************************
* A = diode anode
* K = diode cathode
* C = BJT collector
* E = BJT emitter
.SUBCKT PS2505 A K C E PARAMS: REL_CTR=1
* PS2505 from NEC * RAP6/97
D1 A D Demit ;Gallium arsenide infrared emitting diode
D2 D A Demit ;Gallium arsenide infrared emitting diode
Vsense D K 0 ;Diode Current sense -> IF
Hd R 0 Vsense 1
Rd R T 10K
Cd T 0 54.302p
* models CTR
Gpcg C B TABLE;Photodetector {(IC vs IF) / Q1 BF}
+ {If(abs(V(T))<10m,
+ (abs(V(T))^1.68372145*exp(limit(5.46602664-137.521721*abs(V(T)),-50,50))*REL_CTR/100),
+ (abs(V(T))^0.441917*exp(limit(-1.54666-6.875337*abs(V(T)),-50,50))*REL_CTR/100))}
+ (0,0) (10,10)
Q1 C B E Qdtect ;phototransistor detector
Rdummy B 0 5G
.model Demit D IS=1.22E-14 N=1.638226 RS=0.757535 BV=6 IBV=10U
+ CJO=50P EG=1.424 TT=500N
.model Qdtect NPN IS=100P BF=100 NF=1.25 BR=20 TF=4.86968N TR=1.31131u
+ CJE=197.468P CJC=110.915P VAF=100 ISS=0 CJS=36.04p
.ends
*****************************************
yfwuh 发表于 2012-5-15 22:45 static/image/common/back.gif
刚刚仿真了一下，问题不大。要仿真的话，元器件应该选择“...\tools\capture\library\pspice”目录下的，
...
感谢yfwuh的帮助，上午试一把，有问题再向您请教 如果不接大电阻到地，连一个不同的地符号上去应该也可以吧。楼主可以试一下 xylx1219 发表于 2012-5-16 10:13 static/image/common/back.gif
如果不接大电阻到地，连一个不同的地符号上去应该也可以吧。楼主可以试一下 ...
谢谢，试过了可以
您这个方法和yfwuh所提的是一个意思吧，都是建个直流通道到地
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