大家帮我看看这个NMOS栅极的波形,调了好多东西都还是那个样
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_46/ourdev_683051N76KR8.jpg(原文件名:Noname.jpg)
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_46/ourdev_683052NH4P4O.JPG
(原文件名:未命名.JPG)
上面是驱动电路,下面是栅极的波形,感觉好像是寄生电容的影响?
我把51和PMOS断开之后测量51引脚的波形很好,连上PMOS之后就不行了;; 你这点路又不需要EMC审查,加那个R11不是自找麻烦么。 帮顶,等高手 示波器直接测MOSFET的GS脚,不要测G对地。 回复【1楼】hitler
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R11,我看到了很多驱动电路都加上了。听说可以防止震荡,看到公司以前的成品上也有这个。。
不知你说的自找麻烦是什么意思?? 回复【3楼】gzhuli 咕唧霖
示波器直接测mosfet的gs脚,不要测g对地。
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高手! 在线全部连好的情况下,你再量 MCU管脚上的 波形。 回复【5楼】fm007 一叶流水
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gzhuli大哥的确是高手,是我测量错了。GS波形的确好多了;谢谢 回复【7楼】jade1988
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另外,如果有可能的话,把1815和1015换成8050和8550,前者是放大管,后者是开关管。
也可以在MOS的GS端并联一个102或222或472或103看看di/dt和dv/dt是否有改善,这主要处决于MOS的型号。脉冲并不是越陡越好,适当的有点小圆角可以很大程度的减小电磁辐射,并能很好的保护MOS管。
从微观设计原理上讲,推挽三极管直接跨接在电源端是错误的设计,会引起三极管的直通。可以试试以下的电路。
以上是个人浅解,如有不对,多多指教。
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_46/ourdev_683210EL50XK.jpg
(原文件名:未标题-1.jpg) 回复【8楼】danxie
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楼上的大哥di/dt和dv/dt你是怎么看的?? 回复【8楼】danxie
另外,如果有可能的话,把1815和1015换成8050和8550,前者是放大管,后者是开关管。
也可以在mos的gs端并联一个102或222或472或103看看di/dt和dv/dt是否有改善,这主要处决于mos的型号。脉冲并不是越陡越好,适当的有点小圆角可以很大程度的减小电磁辐射,并能很好的保护mos管。
从微观设计原理上讲,推挽三极管直接跨接在电源端是错误的设计,会引起三极管的直通。可以试试以下的电路。
以上是个人浅解,如有不对,多多指教。
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LZ的电路是乙类射随接法,管子工作在放大状态,且有约1.3V的死区电压,所以不存在放大管换开关管,也不存在直通的可能性。
在GS并联电容来降低di/dt也是错误的方向,GS本身的等效电容已经够大的了,再加也只是加重驱动电路的负担。其实G极前面那个R11就是控制di/dt的,改变R11的值即可改变di/dt。
回复【9楼】jade1988
楼上的大哥di/dt和dv/dt你是怎么看的??
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用示波器捕捉GS电压的上升沿和下降沿,算出的斜率就是dV/dt。再用示波器捕捉R11两端电压的上升沿和下降沿,将电压除以阻值换算成电流,再算出斜率就是di/dt。
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