大家帮我看看这个NMOS栅极的波形，调了好多东西都还是那个样

jade1988

(原文件名:Noname.jpg)


(原文件名:未命名.JPG)

上面是驱动电路，下面是栅极的波形，感觉好像是寄生电容的影响？

我把51和PMOS断开之后测量51引脚的波形很好，连上PMOS之后就不行了；；

hitler

你这点路又不需要EMC审查，加那个R11不是自找麻烦么。

splfsp

帮顶，等高手

gzhuli

示波器直接测MOSFET的GS脚，不要测G对地。

jade1988

回复【1楼】hitler
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R11，我看到了很多驱动电路都加上了。听说可以防止震荡，看到公司以前的成品上也有这个。。

不知你说的自找麻烦是什么意思？？

fm007

回复【3楼】gzhuli 咕唧霖
示波器直接测mosfet的gs脚，不要测g对地。
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高手！

liulingo

在线全部连好的情况下，你再量 MCU管脚上的 波形。

jade1988

回复【5楼】fm007 一叶流水
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gzhuli大哥的确是高手，是我测量错了。GS波形的确好多了；谢谢

danxie

回复【7楼】jade1988  
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另外，如果有可能的话，把1815和1015换成8050和8550，前者是放大管，后者是开关管。
也可以在MOS的GS端并联一个102或222或472或103看看di/dt和dv/dt是否有改善，这主要处决于MOS的型号。脉冲并不是越陡越好，适当的有点小圆角可以很大程度的减小电磁辐射，并能很好的保护MOS管。
从微观设计原理上讲，推挽三极管直接跨接在电源端是错误的设计，会引起三极管的直通。可以试试以下的电路。

以上是个人浅解，如有不对，多多指教。

(原文件名:未标题-1.jpg)

jade1988

回复【8楼】danxie
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楼上的大哥di/dt和dv/dt你是怎么看的？？

gzhuli

回复【8楼】danxie
另外，如果有可能的话，把1815和1015换成8050和8550，前者是放大管，后者是开关管。
也可以在mos的gs端并联一个102或222或472或103看看di/dt和dv/dt是否有改善，这主要处决于mos的型号。脉冲并不是越陡越好，适当的有点小圆角可以很大程度的减小电磁辐射，并能很好的保护mos管。
从微观设计原理上讲，推挽三极管直接跨接在电源端是错误的设计，会引起三极管的直通。可以试试以下的电路。
以上是个人浅解，如有不对，多多指教。
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LZ的电路是乙类射随接法，管子工作在放大状态，且有约1.3V的死区电压，所以不存在放大管换开关管，也不存在直通的可能性。
在GS并联电容来降低di/dt也是错误的方向，GS本身的等效电容已经够大的了，再加也只是加重驱动电路的负担。其实G极前面那个R11就是控制di/dt的，改变R11的值即可改变di/dt。


回复【9楼】jade1988
楼上的大哥di/dt和dv/dt你是怎么看的？？
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用示波器捕捉GS电压的上升沿和下降沿，算出的斜率就是dV/dt。再用示波器捕捉R11两端电压的上升沿和下降沿，将电压除以阻值换算成电流，再算出斜率就是di/dt。