求高速nmos管推荐,内附参数说明
我想找一个高速的mos开关管,工作于导通与截止状态,用于产生脉冲。切换速度要快。我觉得最少要实现1MHZ,如果可以的话,最好可以到达5mhz。
不过有的人说MOS管受制造工艺限制,由于存在栅极电容开关频率不可能达到那么高的。这句不知对不对?
VDS 30v,电流2A就甚至1A就可以了。我初步翻了下,irf530 delay 参数大约是20ns级别的,不知可不可以满足要求呢? 对,你用的电流不大就不要选很大电流的管子,这样栅源电容小一点,另外你要用推挽驱动方式 肯定是用推挽的方式了,不过各位兄弟随便说个高速的mos管吧,我去找找同系列的再去好好对比具体是用哪款 irfz x4n 回复【3楼】eggcar八号机
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没有找到这个mos啊,百度只有两个无关页面 寻找封装小的,电流余量也留小一些,例如SO-8的封装的管子。同时注意选择RDSON大的,一般RDSON大,栅极电容会小些。
NTD3055-150-D 我用到4M没有问题。还要注意栅极的驱动电压尽可能低,但也要让管子饱和导通。例如用5.5v,因充放电的时间还和电压有关,电压越高,则充放电中和的电子越多,驱动越慢。 这个x是表示未知数吗 mos管工作上限频率是和Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
这些参数有关吗? 我看下一些mos管的td(on) tr td(off) tf 好像都是差不多啊 回复【5楼】why800
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感谢,这款mos的栅源电容的确超小啊 回复【5楼】why800
寻找封装小的,电流余量也留小一些,例如so-8的封装的管子。同时注意选择rdson大的,一般rdson大,栅极电容会小些。
ntd3055-150-d 我用到4m没有问题。还要注意栅极的驱动电压尽可能低,但也要让管子饱和导通。例如用5.5v,因充放电的时间还和电压有关,电压越高,则充放电中和的电子越多,驱动越慢。
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我用过高压功率MOS管,看到栅极电压波形
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_38/ourdev_631078UL0KEJ.jpg
(原文件名:新建 文本文档_副本.jpg)
栅极电压平台的时间才是漏极上升下降沿的时间,应该是米勒效应的结果,与栅极驱动电压没关系。管子已经导通了栅极电压升高只是降低rdson IR用于D类功放的DirectFET,如IFF6645不知道行不 598598 发表于 2011-4-15 21:00 static/image/common/back.gif
mos管工作上限频率是和Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
我个人感觉应该有关系吧,都要考虑这些因素啦 VN0104,VN0106,BSL306N 我现在想找一个场管用来作通信的双向电平转换(3.3V与5V双向)大概300KHz左右,使用AO3424发现频率在5K左右时就有明显的毛刺出现了,不知道各位有没有好的解决办法或都小封装的芯片推荐的。先谢了!
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