求高速nmos管推荐，内附参数说明

598598 · 发表于 2011-4-15 18:24:49

我想找一个高速的mos开关管，工作于导通与截止状态，用于产生脉冲。
切换速度要快。我觉得最少要实现1MHZ，如果可以的话，最好可以到达5mhz。
不过有的人说MOS管受制造工艺限制,由于存在栅极电容开关频率不可能达到那么高的。这句不知对不对？
VDS 30v，电流2A就甚至1A就可以了。我初步翻了下，irf530 delay 参数大约是20ns级别的，不知可不可以满足要求呢？

NJ8888 · 发表于 2011-4-15 19:30:12

对，你用的电流不大就不要选很大电流的管子，这样栅源电容小一点，另外你要用推挽驱动方式

598598 · 发表于 2011-4-15 19:47:19

肯定是用推挽的方式了，不过各位兄弟随便说个高速的mos管吧，我去找找同系列的再去好好对比具体是用哪款

eggcar · 发表于 2011-4-15 20:18:34

irfz x4n

598598 · 发表于 2011-4-15 20:46:03

回复【3楼】eggcar 八号机
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没有找到这个mos啊，百度只有两个无关页面

why800 · 发表于 2011-4-15 20:49:44

寻找封装小的，电流余量也留小一些，例如SO-8的封装的管子。同时注意选择RDSON大的，一般RDSON大，栅极电容会小些。

NTD3055-150-D 我用到4M没有问题。还要注意栅极的驱动电压尽可能低，但也要让管子饱和导通。例如用5.5v，因充放电的时间还和电压有关，电压越高，则充放电中和的电子越多，驱动越慢。

598598 · 发表于 2011-4-15 20:52:32

这个x是表示未知数吗

598598 · 发表于 2011-4-15 21:00:29

mos管工作上限频率是和Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
这些参数有关吗？

598598 · 发表于 2011-4-15 21:10:15

我看下一些mos管的td(on) tr td(off) tf 好像都是差不多啊

598598 · 发表于 2011-4-15 21:14:10

回复【5楼】why800
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感谢，这款mos的栅源电容的确超小啊

dz23 · 发表于 2011-4-15 23:51:20

回复【5楼】why800
寻找封装小的，电流余量也留小一些，例如so-8的封装的管子。同时注意选择rdson大的，一般rdson大，栅极电容会小些。
ntd3055-150-d 我用到4m没有问题。还要注意栅极的驱动电压尽可能低，但也要让管子饱和导通。例如用5.5v，因充放电的时间还和电压有关，电压越高，则充放电中和的电子越多，驱动越慢。
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我用过高压功率MOS管，看到栅极电压波形

(原文件名:新建文本文档_副本.jpg)
栅极电压平台的时间才是漏极上升下降沿的时间，应该是米勒效应的结果，与栅极驱动电压没关系。管子已经导通了栅极电压升高只是降低rdson

rj44444 · 发表于 2011-4-16 21:57:15

IR用于D类功放的DirectFET，如IFF6645不知道行不

茶亦爽 · 发表于 2013-8-19 14:06:41

598598 发表于 2011-4-15 21:00
mos管工作上限频率是和Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time

我个人感觉应该有关系吧，都要考虑这些因素啦

dinsl7611 · 发表于 2013-8-19 14:17:52

VN0104,VN0106,BSL306N

Veiko · 发表于 2013-11-8 11:03:49

我现在想找一个场管用来作通信的双向电平转换(3.3V与5V双向)大概300KHz左右，使用AO3424发现频率在5K左右时就有明显的毛刺出现了，不知道各位有没有好的解决办法或都小封装的芯片推荐的。先谢了！

求高速nmos管推荐，内附参数说明

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