ngzhang 发表于 2010-10-13 17:21:30

DCDC电路设计问题，在MOS管的栅极驱动线上加0R～1R电阻的目的是什么？

大家好，我最近在进行DCDC buck电路的设计工作，给CPU供电的，大概几十A电流。
在原理图检查时，老工程师建议在上位MOS管的栅极串联一个0R电阻。我参考厂家的参考设计，确实有类似于TI之类的厂家在参考设计中，也在上下MOS管栅极串联了1R电阻。我的问题是这个串联电阻的目的是什么呢？
还有就是，同步BUCK电路，上下MOS管栅极有无必要加10K左右弱下拉电阻？看到有的电路上用了，是为了保险么？

以上谢谢赐教。

eggcar 发表于 2010-10-13 17:50:50

减小充放电电流？我不知道，瞎猜，等高手……

rlogin 发表于 2010-10-13 18:56:38

等专家

zhanghzhan 发表于 2010-10-13 19:12:13

相当于一个小磁珠，过EMI用的。

llssr 发表于 2010-10-13 19:43:02

回复【楼主位】ngzhang 兽哥
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1栅极串电阻，为了减小MOSFET的 di/dt   EMI一般是在这个电阻上反向并联二极管
2MOSFET驱动一般是图腾式的，可以保证关断速度，GS间加电阻是为了在无驱动时保证管子的安全（若是没有这个电阻，干扰信号就可能导致MOSFET误导通，对半桥 全桥、同步BUCK电路会“直通” 炸管子）

ngzhang 发表于 2010-10-13 21:27:42

回复【4楼】bbssr
回复【楼主位】ngzhang 兽哥
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1栅极串电阻，为了减小mosfet的 di/dt   emi一般是在这个电阻上反向并联二极管
2mosfet驱动一般是图腾式的，可以保证关断速度，gs间加电阻是为了在无驱动时保证管子的安全（若是没有这个电阻，干扰信号就可能导致mosfet误导通，对半桥 全桥、同步buck电路会“直通” 炸管子）
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关于2我明白了。但是措施2真的有必要吗？例如凌特或者UPI什么的驱动芯片来说。
关于1，这是否相当于增大了MOS管的Rg？这会让管子开启速度变慢，开启过程中的功耗损失会增加呀。我觉得加它很没道理呀。

real_sugar 发表于 2010-10-14 03:45:51

关于2我明白了。但是措施2真的有必要吗？例如凌特或者UPI什么的驱动芯片来说。
关于1，这是否相当于增大了MOS管的Rg？这会让管子开启速度变慢，开启过程中的功耗损失会增加呀。我觉得加它很没道理呀。
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理论上是这样，但是实际用要加，管子的开关斜率是要控制的，这个电阻就是控制斜率用。斜率太高栅极振荡或者EMI EMC之类的问题都会很困扰，尽量小栅驱内阻大的话可以加个小点的例如1R，用0R的话就是栅驱内阻太大，应该换个电流大点的栅驱然后再调整合适的斜率（如果0R+栅驱内阻刚刚好的话就没话说了~）。

llssr 发表于 2010-10-14 07:54:40

回复【6楼】real_sugar
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是啊都要根据实际情况修改参数没有一成不变的 牺牲了部分价值换取的是更大的好处

qianhng 发表于 2010-10-14 08:33:35

mark

zhiwei 发表于 2010-10-14 08:34:07

消除驱动线路带来的电感。不加驱动可能引起驱动型号振铃，MOS功耗会增大。另一方面这个电阻的取值会影响驱动型号斜率，电阻大一些斜率小一点，带来的电压尖峰会小一点对EMI有帮助，不过开关损耗会大一点。实际中需要综合各方因素来选择匹配。

jielove2003 发表于 2010-10-14 08:41:30

mark

1986xhs 发表于 2010-10-14 20:11:16

呵呵，学习了

ngzhang 发表于 2010-10-15 00:42:20

学习了。

huayuliang 发表于 2010-10-15 11:59:16

0R电阻对EMI有效果么？不解。

_Kevin_ 发表于 2010-10-15 12:31:48

mark DCDC

liouravr 发表于 2010-10-15 12:45:38

回复【13楼】huayuliang 花生
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0R电阻对EMI有效果么？不解。

同问啊,不要让帖子停了啊

durable 发表于 2010-10-15 12:49:51

mark

fshunj 发表于 2011-3-28 09:53:30

好贴,

nano 发表于 2011-3-28 16:19:17

阻尼振铃和抑制di/dt。前者降低损耗，后者降低EMI。

youpeng 发表于 2011-3-29 01:20:32

请高手继续讨论。MARK

kyughanum 发表于 2011-3-29 01:33:50

我看过很多笔记本的电路，都是芯片直接驱动MOS管的啊，没有有什么电阻~~

nano 发表于 2011-3-29 07:02:17

是笔记本内部的DCDC么？那要看具体的芯片。有些芯片内部自带斜率控制的。还有些芯片连mos都有了。

wuxi_stl 发表于 2011-3-29 09:32:36

markMOSFETDC/DC

hjp1199 发表于 2011-3-29 22:30:09

学习

test888 发表于 2011-4-1 22:22:38

学习了。

woshiyean 发表于 2011-10-13 20:18:13

回复【楼主位】ngzhang兽哥
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看看这个文件，我觉得讲解比较详细了。
9楼的说法比较赞同。“消除驱动线路带来的电感。”这也是为什么要求驱动走线越短越好！点击此处下载 ourdev_684686RBAMAZ.doc(文件大小:80K) (原文件名:mos管门级驱动电阻计算.doc)
（绝版好资料，要顶起啊~~~）
加10K左右到地的电阻施MOS管开机保护电阻，因为有节电容的存在。

ganxunjie 发表于 2011-10-13 23:38:56

应该是去除振荡的，看看这个，希望有点帮助http://forum.eet-cn.com/BLOG_ARTICLE_3701.HTM

lsy_forever 发表于 2011-10-14 20:31:45

MOS管栅极等效电容的原因，MOS管功率越大，沟道反型层越厚，充电时间也就越长，等效电容也就越大。这两个电阻与Cg串并联，调整充放电曲线吧

zy0818 发表于 2011-10-20 09:48:48

学习了

ju748 发表于 2011-10-20 09:53:26

有收获~谢谢楼上各位~

pulan 发表于 2011-10-20 10:04:47

mark

liangb87 发表于 2011-10-27 11:25:04

MARK!

mcujack 发表于 2012-4-12 17:15:40

看过这样的接法，一直有这个疑问

zlqzxl126 发表于 2012-5-29 21:48:33

为什么资料都下载不了了？看不到啊

hkjzhlei 发表于 2012-6-5 10:16:50

MOS管栅源极有寄生电容Cds，线路有寄生电感，在驱动开始的瞬间电感电容会产生谐振，如果谐振的波谷值低于了mos管的开启电压Vth，mos管在刚开通瞬间可能立即误关断，谐振到mos管开启电压之上时又开通，这样在驱动信号上升沿附近，mos管就可能频繁的开通关断开通关断，mos管会发热严重，影响效率，加一个合适阻值的电阻能减小谐振的幅值，将幅最低值都限制在mos管开启电压之上，这样就不会发生误关断了！   当然电阻不能加太大，太大会影响开关速度，要综合考虑！阻值如何具体确定可以用仿真软件模拟一下，一般阻值不大

llz0734 发表于 2013-4-7 23:12:01

基础啊，mark

skyandcity 发表于 2013-4-8 12:39:51

学习一下

waver 发表于 2013-4-8 18:17:03

很好的讨论
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