DCDC电路设计问题，在MOS管的栅极驱动线上加0R～1R电阻的目的是什么？

ngzhang · 发表于 2010-10-13 17:21:30

大家好，我最近在进行DCDC buck电路的设计工作，给CPU供电的，大概几十A电流。
在原理图检查时，老工程师建议在上位MOS管的栅极串联一个0R电阻。我参考厂家的参考设计，确实有类似于TI之类的厂家在参考设计中，也在上下MOS管栅极串联了1R电阻。我的问题是这个串联电阻的目的是什么呢？
还有就是，同步BUCK电路，上下MOS管栅极有无必要加10K左右弱下拉电阻？看到有的电路上用了，是为了保险么？

以上谢谢赐教。

eggcar · 发表于 2010-10-13 17:50:50

减小充放电电流？我不知道，瞎猜，等高手……

rlogin · 发表于 2010-10-13 18:56:38

等专家

zhanghzhan · 发表于 2010-10-13 19:12:13

相当于一个小磁珠，过EMI用的。

llssr · 发表于 2010-10-13 19:43:02

回复【楼主位】ngzhang 兽哥
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1 栅极串电阻，为了减小MOSFET的 di/dt EMI一般是在这个电阻上反向并联二极管
2 MOSFET驱动一般是图腾式的，可以保证关断速度，GS间加电阻是为了在无驱动时保证管子的安全（若是没有这个电阻，干扰信号就可能导致MOSFET误导通，对半桥全桥、同步BUCK电路会“直通” 炸管子）

ngzhang · 发表于 2010-10-13 21:27:42

回复【4楼】bbssr
回复【楼主位】ngzhang 兽哥
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1  栅极串电阻，为了减小mosfet的 di/dt emi一般是在这个电阻上反向并联二极管
2  mosfet驱动一般是图腾式的，可以保证关断速度，gs间加电阻是为了在无驱动时保证管子的安全（若是没有这个电阻，干扰信号就可能导致mosfet误导通，对半桥全桥、同步buck电路会“直通” 炸管子）
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关于2我明白了。但是措施2真的有必要吗？例如凌特或者UPI什么的驱动芯片来说。
关于1，这是否相当于增大了MOS管的Rg？这会让管子开启速度变慢，开启过程中的功耗损失会增加呀。我觉得加它很没道理呀。

real_sugar · 发表于 2010-10-14 03:45:51

关于2我明白了。但是措施2真的有必要吗？例如凌特或者UPI什么的驱动芯片来说。
关于1，这是否相当于增大了MOS管的Rg？这会让管子开启速度变慢，开启过程中的功耗损失会增加呀。我觉得加它很没道理呀。
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理论上是这样，但是实际用要加，管子的开关斜率是要控制的，这个电阻就是控制斜率用。斜率太高栅极振荡或者EMI EMC之类的问题都会很困扰，尽量小栅驱内阻大的话可以加个小点的例如1R，用0R的话就是栅驱内阻太大，应该换个电流大点的栅驱然后再调整合适的斜率（如果0R+栅驱内阻刚刚好的话就没话说了~）。

llssr · 发表于 2010-10-14 07:54:40

回复【6楼】real_sugar
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是啊都要根据实际情况修改参数没有一成不变的牺牲了部分价值换取的是更大的好处

qianhng · 发表于 2010-10-14 08:33:35

mark

zhiwei · 发表于 2010-10-14 08:34:07

消除驱动线路带来的电感。不加驱动可能引起驱动型号振铃，MOS功耗会增大。另一方面这个电阻的取值会影响驱动型号斜率，电阻大一些斜率小一点，带来的电压尖峰会小一点对EMI有帮助，不过开关损耗会大一点。实际中需要综合各方因素来选择匹配。

jielove2003 · 发表于 2010-10-14 08:41:30

mark

1986xhs · 发表于 2010-10-14 20:11:16

呵呵，学习了

ngzhang · 发表于 2010-10-15 00:42:20

学习了。

huayuliang · 发表于 2010-10-15 11:59:16

0R电阻对EMI有效果么？不解。

_Kevin_ · 发表于 2010-10-15 12:31:48

mark DCDC

liouravr · 发表于 2010-10-15 12:45:38

回复【13楼】huayuliang 花生
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0R电阻对EMI有效果么？不解。

同问啊,不要让帖子停了啊

durable · 发表于 2010-10-15 12:49:51

mark

fshunj · 发表于 2011-3-28 09:53:30

好贴,

nano · 发表于 2011-3-28 16:19:17

阻尼振铃和抑制di/dt。前者降低损耗，后者降低EMI。

youpeng · 发表于 2011-3-29 01:20:32

请高手继续讨论。MARK

kyughanum · 发表于 2011-3-29 01:33:50

我看过很多笔记本的电路，都是芯片直接驱动MOS管的啊，没有有什么电阻~~

nano · 发表于 2011-3-29 07:02:17

是笔记本内部的DCDC么？那要看具体的芯片。有些芯片内部自带斜率控制的。还有些芯片连mos都有了。

wuxi_stl · 发表于 2011-3-29 09:32:36

mark MOSFET DC/DC

hjp1199 · 发表于 2011-3-29 22:30:09

学习

test888 · 发表于 2011-4-1 22:22:38

学习了。

woshiyean · 发表于 2011-10-13 20:18:13

回复【楼主位】ngzhang 兽哥
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看看这个文件，我觉得讲解比较详细了。
9楼的说法比较赞同。“消除驱动线路带来的电感。”这也是为什么要求驱动走线越短越好！点击此处下载 ourdev_684686RBAMAZ.doc(文件大小:80K) (原文件名:mos管门级驱动电阻计算.doc)
（绝版好资料，要顶起啊~~~）
加10K左右到地的电阻施MOS管开机保护电阻，因为有节电容的存在。

ganxunjie · 发表于 2011-10-13 23:38:56

应该是去除振荡的，看看这个，希望有点帮助http://forum.eet-cn.com/BLOG_ARTICLE_3701.HTM

lsy_forever · 发表于 2011-10-14 20:31:45

MOS管栅极等效电容的原因，MOS管功率越大，沟道反型层越厚，充电时间也就越长，等效电容也就越大。这两个电阻与Cg串并联，调整充放电曲线吧

zy0818 · 发表于 2011-10-20 09:48:48

学习了

ju748 · 发表于 2011-10-20 09:53:26

有收获~谢谢楼上各位~

pulan · 发表于 2011-10-20 10:04:47

mark

liangb87 · 发表于 2011-10-27 11:25:04

MARK!

mcujack · 发表于 2012-4-12 17:15:40

看过这样的接法，一直有这个疑问

zlqzxl126 · 发表于 2012-5-29 21:48:33

为什么资料都下载不了了？看不到啊

hkjzhlei · 发表于 2012-6-5 10:16:50

MOS管栅源极有寄生电容Cds，线路有寄生电感，在驱动开始的瞬间电感电容会产生谐振，如果谐振的波谷值低于了mos管的开启电压Vth，mos管在刚开通瞬间可能立即误关断，谐振到mos管开启电压之上时又开通，这样在驱动信号上升沿附近，mos管就可能频繁的开通关断开通关断，mos管会发热严重，影响效率，加一个合适阻值的电阻能减小谐振的幅值，将幅最低值都限制在mos管开启电压之上，这样就不会发生误关断了！当然电阻不能加太大，太大会影响开关速度，要综合考虑！阻值如何具体确定可以用仿真软件模拟一下，一般阻值不大

llz0734 · 发表于 2013-4-7 23:12:01

基础啊，mark

skyandcity · 发表于 2013-4-8 12:39:51

学习一下

waver · 发表于 2013-4-8 18:17:03

很好的讨论

DCDC电路设计问题，在MOS管的栅极驱动线上加0R～1R电阻的目的是什么？

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