我画的PWM驱动与过载保护电路，请大家给点意见

new_friend · 发表于 2007-12-26 08:14:58

如题，因为时间原因，没时间做实验了

winter · 发表于 2007-12-26 08:41:09

1、R12应该和Q1换个位置；
2、R16用10K就够了；
3、Q5和Q6换个位置才是图腾柱电路吧。
4、R15好像大了些，不清楚Q1的电流是多大，Q1电流越大，R15越小；
5、可以在R15上并一个1n4148或1N5819阳极对着Q1加快Q1的关断速度。
6、如果LM358电路改为动作时候输出为低电平，那么Q8可以用一个1N4148，这样过载的时候就可以把Q7的基极拉低了。

一家之言，仅供参考

new_friend · 发表于 2007-12-26 09:06:29

非常谢谢 winter 冬天里爱吃冰淇淋的意见

我的VIN=24V，IFRZ34N的Vgs最大+/- 20V，Q1工作电流将限制在5A以内

2：R16作用是分压，这样保证Vgs在12V左右
3：Q5与Q6应该可以上下更换使用吧，Q6在下Q5在上，输入端为0，则输出为1；输入端为1，则输出为0；
5：用1N4148可以加快Q1的开关速度，我没想到这点，非常感谢
6：我更喜欢用贴片NPN，1N4148不知道有没有贴片的，没用过贴片二极管

我想知道R12为什么要与Q1对换位置的原因：

假如更换位置，我的理解是随着Q1电流的增大，会减小Vgs
不更换位置，Q1电流的增大，不会影响Vgs

winter · 发表于 2007-12-26 09:29:51

R12在下方是存在你说的问题，所以一般这个检测电阻都很小，用10mR或者20mR的无感功率电阻。如果R12在Q1的上方，可Q1的D极的电位不是地啊。再说Q1在导通后本身也存在压降。
关于Q5和Q6的问题你去搜下图腾柱电路，这个是驱动MOS或者IGBT的经典电路，PNP在下，NPN在上可以获得良好的上升下降速度。

new_friend · 发表于 2007-12-26 09:39:32

你可能把我的意思理解错了，Q1的负载接在JP1上，我检测的是R12的压降加上Q1的压降，Q1导通电阻大致在0.04ohm，这只是我用来检测过载的一个指标
至于图腾柱电路，我一会去查一下，非常谢谢您

winter · 发表于 2007-12-26 09:39:59

还有，Q1的工作电流有5A，那么G极驱动的电压经过R15和R16分压为12V是可以，但电流可能就不够大了，到时候你看下G极的波形，我估计上升沿不会很陡，因为Q1G极内部的电容由于充电电流小而造成充电时间过长。这个你具体做试验看看吧。我感觉可能不够。还有4148有贴片的，我常用。

winter · 发表于 2007-12-26 09:48:13

如果你把R12放在下面，那么R12上的压降除以R12的值，就可以认为是负载电流了，如想检测Q1的短路，我觉得你可能还需要在Q1的D极再扯一路进运放进行判断。我有些被自己绕糊涂了：（

new_friend · 发表于 2007-12-26 09:57:24

VIN=24V,负载不可能太大的，如果按图示值，

负载电流在5A，则JP1的第二脚对地电压大致在0.7V左右；
负载电流在2A，则JP1的第二脚对地电压大致在0.28V左右；
负载电流在0.1A，则JP1的第二脚对地电压大致在0.014V左右；

而我的要求将会限制在2.5A以内，所以JP1的第二脚对地电压不可能达到12V的

new_friend · 发表于 2007-12-26 10:05:31

可怜我现在这个环境，公司抠门的除了万用表，什么也没有，做实验也只能按看看现象，量量电压、电流，哎，设计这些电路都是想当然，晕！！！！

winter · 发表于 2007-12-26 10:15:10

我比你稍微好些，4个人1个万用表，一个示波器……

zhangna_901887 · 发表于 2007-12-26 14:01:13

一定要把R12放在下面，如果按照这个电路去做，不要多久MOSFET很快完蛋，
如果R12在上面，当MOSFET关段时，D及为高电平，运放输出高，Q8道通PWM为低，但是此时MCU输出的是高，所以这个电路逻辑混乱，不能正常工作
另外Q5 、Q6 画错了，R15、R16取值错误！

new_friend · 发表于 2007-12-26 21:13:24

多谢zhangna_901887和winter 冬天里爱吃冰淇淋两位朋友，我知道了，因为我以前做过同样功能的东西，当初取样电阻R12就是放在S端下，做好后想到了在该情况下随着R12电流的增加会减小Vgs，就一直想到此次要更改此问题，所以这次想到将R12放在上面，也就没太注意这些，见笑了，谢谢你们

new_friend · 发表于 2007-12-26 21:26:28

下图是更改后的，R15在电路中保留，如果找到VGS>24V的MOSFET，则R15不焊接。
因为Q1的工作电流不会超过2A，今天实验过了，用R15分压，驱动MOSFET问题不大；
R15取消不用也实验过了，因为IRFZ34的手册说了VGS最大值在+/- 20V，我直接通过R16接24V没出现问题，不知道长时间工作会如何

zhangna_901887 · 发表于 2007-12-27 10:13:37

R16的目的是防止由MOSFET输入电容和珊源串联引线电感产生的高频寄生振荡！
珊级对地的电阻R15 取值10K就合适了，R16取值10R，VIN供电为+15V。

ilan2003 · 发表于 2007-12-27 10:46:07

R16 和 R15会产生分压的啊，我一般R16取 10-100R

zhangna_901887 · 发表于 2007-12-27 11:21:23

zhangna_901887 · 发表于 2007-12-27 11:21:24

wb9988 · 发表于 2008-1-4 12:38:30

什么负载，感性的吗，感性的这样检测过流好像不行

I_use_AVR_too · 发表于 2008-1-5 11:27:57

太多错了，这个电路不可能实现想要的功能：

12楼图上：Q2输出电压被钳位在VCC-0.7V上，不可能输出高电压。

Michael_Huang · 发表于 2008-1-5 11:41:21

楼上说的没错!
MOSFET栅级要加过压保护管的.

steven · 发表于 2008-1-5 13:07:27

学到不少东西,作个记号...

aicey · 发表于 2008-1-5 21:15:54

呵呵,记号

sbdpjx · 发表于 2008-1-11 16:26:23

路过

zhangavr · 发表于 2008-1-15 12:58:18

我保证你这电路根本达不到你的设计要求

zhangavr · 发表于 2008-1-15 13:02:44

因为Vcc是5v的话，根本就不可能驱动Q2导通，因为Q2的C级电压为Vin=15V,B级电压必须比E级高0.7V,即使导通后E级输出的电压也只有
Vcc-0.7=4.3v,根本使mos 导通不了。

qxs5264 · 发表于 2008-1-15 14:29:57

补充一点吧：最好在JP1并联一个快恢复二极管或1N4007，特别是感性负载，否则MOS管很容易击穿！

qxs5264 · 发表于 2008-1-15 14:31:37

估计是做直流电机调速用的吧，千万要记住这一点哦！还有其实设计得有点复杂了！我有一个帮朋友设计的线路图，比较简单，不知道怎么上传图片啊！

new_friend · 发表于 2008-1-16 09:27:52

我上传一下做好后的照片吧，用于光源调节

实际调试，VIN=24V，VCC=5V，如果按找原理图焊接，Q2，Q3，R15，R16组成的电路没办法工作 -> 不能完全驱动MOSFET，MOSFET内阻过大，如果控制端完全导通，万用表测过MOSFET G级电压却只有5V，硬件不过关啊

最后更改了可以正常工作，Q2，Q3取消，R15更改为12V的稳压管，R16取消，R17改接到VIN，LM358取消，电流检测信号直接由单片机采集及控制过载

功能：
1：8位PWM
2：内部变阻器调节亮度时，外部变阻器接口控制频闪
3：外部变阻器调节亮度时，频闪不能用输入点控制
4：任何方式下，串口调节亮度优先，四种指令：变阻器/串口调节亮度、读取当前PWM值、串口控制频闪

new_friend · 发表于 2008-1-16 09:39:59

谢谢各位，学到东西了

new_friend · 发表于 2008-1-16 09:42:42

还是在想问题的时候想的太少了....汗！！！

hjzz · 发表于 2008-1-16 17:00:41

zuoge????

shhachqi · 发表于 2008-7-18 09:08:31

！！！！！！！！！！！！！！！1

szcharle · 发表于 2008-7-20 18:43:37

留个名有空好好研究研究

ywl0409 · 发表于 2008-7-21 09:07:06

这么简单的东西搞得这么复杂?

bugplus · 发表于 2012-11-13 20:20:09

复杂啊高手太多，我越来越傻了

我画的PWM驱动与过载保护电路，请大家给点意见

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