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回复: 81

有0.1v正向压降的二极管吗?推荐下型号呢。

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出0入0汤圆

发表于 2007-11-27 20:07:18 | 显示全部楼层 |阅读模式
做个电池供电的设备,工作电流在几毫安,要用二极管来做掉电保护数据,所以希望它压降小点。
一般的二极管0.7v,像5819这种肖特基二极管 也有0.3-0.4V

阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

曾经有一段真挚的爱情摆在我的面前,我没有珍惜,现在想起来,还好我没有珍惜……

出0入50汤圆

发表于 2007-11-27 20:55:50 | 显示全部楼层
呵呵,你先用几毫试试你的5819,看看压降到底是多少?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2007-11-27 21:22:53 | 显示全部楼层
实际测量 0.2几伏。
头像被屏蔽

出0入0汤圆

发表于 2007-11-27 21:25:09 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽

出0入0汤圆

发表于 2007-11-27 21:31:16 | 显示全部楼层
小电流5819可以做到0.2V,但是一上1A电流,上面的各位测测!!
以前读书的时候用过的硅粒子倒是符合楼主的要求。

但是这个东西是我老师的东西,具体什么型号也不知道。
就是外面是绿色的,有点像热敏电阻。

出0入0汤圆

发表于 2007-11-27 21:36:49 | 显示全部楼层
如果一定要电压很低,可以考虑使用MOSFET管。低压输出的开关电源,为了提高效率,就是使用MOSFET管来进行同步整流的!

出0入0汤圆

发表于 2007-11-27 21:39:54 | 显示全部楼层
要0.1V这么低的电压源干什么用?要是非要不可可以尝试用运放+基准电压源自己搭一个

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2007-11-27 21:52:23 | 显示全部楼层
1:5楼说的是这样吧,但是一般MOSFET都复合了一个二级管,如图中D1位置。
2:由于系统使用的3V纽扣电池,所以对功耗特别考究。

出0入0汤圆

发表于 2007-11-27 23:43:24 | 显示全部楼层
没看明白这个图的目的是什么.

出0入0汤圆

发表于 2007-11-28 00:19:13 | 显示全部楼层
可以试下LTC4411

点击此处打开ourdev_183074.pdf(文件大小:148K)


7楼的图有点问题?如果电源掉电,Vref = 1.8V同样没有输出,会不会误判断呢?可不可以    CELL ---R----I/0   中断来判断呢

出0入0汤圆

发表于 2007-11-28 00:47:30 | 显示全部楼层
同意楼上

出0入0汤圆

发表于 2007-11-28 01:49:49 | 显示全部楼层
应该反接MOSFET,如下图。

正向的压降: I*Rdson
如果,RDS(on) = 0.065Ω,I = ...
具体说明参考以下
点击此处打开ourdev_183095.pdf(文件大小:123K)

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2007-11-28 11:08:05 | 显示全部楼层
不好意思,7楼是有点错,应该把参考电压芯片的供电 接到二极管后去。

出0入0汤圆

发表于 2007-11-28 11:29:10 | 显示全部楼层
5817基本接近你的要求(0.1x V),5819太大

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2007-11-28 15:25:22 | 显示全部楼层
12楼的也不行啊,这个可以用来保护电源极性。掉电后电容上的的电压还是会通过MOSFET的S->D跑到外面来。

补充一定,不光要做掉电检测,还要做电压过低检测。所以接了比较器。
找到个电压比较低的二极管,大概在0.1v。

系统使用一颗纽扣电池,用4个月,必须把电流限制在100uA。

出0入0汤圆

发表于 2007-11-29 09:57:53 | 显示全部楼层
B0520LW 0.1V硅二极管

出0入0汤圆

发表于 2007-11-29 12:33:53 | 显示全部楼层
我也是经常用5819

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2007-11-29 18:00:59 | 显示全部楼层
B0520LW
0.2xV @ 10mA

出0入0汤圆

发表于 2007-12-4 12:45:27 | 显示全部楼层
B0520LW是不是等於ONSEMI 的 MBR0520?
產品在用這個,也是因為好像VF比較小。

出0入0汤圆

发表于 2007-12-4 18:26:36 | 显示全部楼层
呵呵,LTC有理想二极管的,压降近乎为0

出0入0汤圆

发表于 2007-12-4 18:26:54 | 显示全部楼层
不过价格好像要10个美金

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2007-12-4 18:43:20 | 显示全部楼层
实测0520:0.15V@10mA就用这个了。

出0入0汤圆

发表于 2009-8-28 15:22:34 | 显示全部楼层
额 我也用的着 谢谢啦

出0入0汤圆

发表于 2009-12-29 10:03:55 | 显示全部楼层
我也遇到楼主的同样的问题,

设计在MP3的电源 ,用3颗钮扣电池给MP3供电 电压为4.5V,在USB模式时USB的电压为5V也要经过这个供电点,所以必须要加一个二极管来隔离USB电压,以防止USB的电压回灌到钮扣电池!钮扣电池经过普通的1N5819这样的二极管后电压在0.4V,所以当电池电压为3.4V时MP3则只有3V电压了,会接近关机电压了,因此需要用到压降较小的二极管,可以确保功耗问题! 请大家帮忙找找有没有压降较低的SMD 封装0805的二极管!谢谢!

出0入0汤圆

发表于 2010-7-31 16:31:24 | 显示全部楼层
LTC4412

出0入0汤圆

发表于 2010-7-31 16:37:50 | 显示全部楼层
bat54系列,便宜又好用。压降0.24到0.8之间

出0入0汤圆

发表于 2010-7-31 21:42:54 | 显示全部楼层
MARK

出0入0汤圆

发表于 2010-7-31 21:49:10 | 显示全部楼层
mark!

出0入0汤圆

发表于 2010-7-31 21:54:35 | 显示全部楼层
刚刚用到个3A的肖特基,SB340,万用表测压降是0.135V

出0入0汤圆

发表于 2010-7-31 21:57:51 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2010-7-31 22:05:39 | 显示全部楼层
记号~~

出0入0汤圆

发表于 2010-7-31 22:48:15 | 显示全部楼层
jh

出0入0汤圆

发表于 2010-8-1 00:47:21 | 显示全部楼层
我用
MBR120VLSFT1
MBRM130L

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 14:51:04 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 16:15:48 | 显示全部楼层
可以考虑使用低栅压的N-FET

(原文件名:1.jpg)

出0入0汤圆

发表于 2011-5-3 15:40:29 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-5-17 23:13:38 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-5-17 23:36:50 | 显示全部楼层
mark

出0入12汤圆

发表于 2011-5-17 23:42:49 | 显示全部楼层
mark

出0入22汤圆

发表于 2011-5-18 00:35:11 | 显示全部楼层
有用

出0入0汤圆

发表于 2011-5-18 07:43:29 | 显示全部楼层
用C8051F的9系列,用0.9V就可以了,一节电池就能工作。

成本可能会高点,可以去探一下价格。



唉,楼上几位一路挖得好辛苦啊,07年,C8051F的9系列可能还没有面市。

出100入0汤圆

发表于 2011-5-18 08:25:04 | 显示全部楼层
好贴,以前也专门用过一个MOSFET 反着接专门用里面的二极管,压降确实低

出0入0汤圆

发表于 2011-5-18 08:40:25 | 显示全部楼层
mark 二极管压降

出0入0汤圆

发表于 2011-5-24 10:05:02 | 显示全部楼层
mark 二极管压降

出0入0汤圆

发表于 2011-12-12 10:46:21 | 显示全部楼层
SB340            B0520LW

出0入0汤圆

发表于 2011-12-12 11:00:26 | 显示全部楼层
MBR120VLSFT1
MBRM130L

出0入0汤圆

发表于 2012-5-22 09:00:04 | 显示全部楼层
做掉电保存数据  这种方法较好:
在供电电源与单片机之间加个肖特基二极管(0.2v~0.3v),肖特基二极管和单片机间加个大一点的电容。
将肖特基二极管前的电源电压连接到比较器的一个引脚,比较器的另个引脚接掉电的电压值。开比较器中断。
这样的话,当掉电时会引起比较器中断,此时单片机会依靠电容的放电来继续维持工作。在比较器的中断
服务程序中可以将待存的数据存储在Flash中。这样作即可以保证数据的永久保存,又满足了10万次的擦写
限制

出0入0汤圆

发表于 2012-5-22 09:10:15 | 显示全部楼层
SS14在1A的情况下为0.5V

出0入0汤圆

发表于 2012-5-22 09:44:01 | 显示全部楼层
GPRS模块上用过

出0入0汤圆

发表于 2012-5-22 09:57:00 | 显示全部楼层
留意下了
以后用得到

出0入0汤圆

发表于 2012-5-22 10:03:08 | 显示全部楼层
学习了
低压降二极管

出0入0汤圆

发表于 2012-5-22 10:09:44 | 显示全部楼层
以前见别人用过一次用MOS管这样用的,没想到这里也看到了

出0入8汤圆

发表于 2012-5-25 09:35:33 | 显示全部楼层
mark      

出50入10汤圆

发表于 2012-5-25 09:41:20 | 显示全部楼层
MARK 打记号

出0入10汤圆

发表于 2012-5-25 10:28:00 | 显示全部楼层
这类的,估计还是MOS管里自带的那个管子效果好

出0入0汤圆

发表于 2012-5-25 13:35:32 | 显示全部楼层
我用万用表测试5819的压降是0.13V而已呀?我想几个毫安能做到0.2V以下的。

出0入17汤圆

发表于 2012-5-25 14:05:22 | 显示全部楼层
电压低,要考虑mos管

出0入0汤圆

发表于 2012-5-25 17:31:48 | 显示全部楼层
很好,mark

出0入0汤圆

发表于 2012-5-25 17:39:57 | 显示全部楼层
mark,低压降二极管

出0入0汤圆

发表于 2012-5-25 20:24:34 | 显示全部楼层
a forward biased mosfet or bjt is the way to go: they produce minimum voltage drop.

on the other hand, if the battery voltage is too low to sufficiently turn on even a logic-level mosfet, you have to use bjt. a bjt however requires current to remain open, making it less useful for low-power battery applications.

so the goal really is to find a mosfet with very low Vgs(th).

出0入17汤圆

发表于 2012-5-25 20:28:16 | 显示全部楼层
mark!
也在找这类东东

出0入0汤圆

发表于 2012-5-25 20:30:25 | 显示全部楼层
here is the relative performance of two switches, on a 1k load.



they achieve a forward voltage drop of 20mv at 3ma.

however, the mosfet version doesn't work until Vgs goes over 1.5v, and the bjt works down to 0.6v - except that the base draws considerable current. That can be at least partially addressed if you use a larger base resistor (10k), at the expense of the voltage drop on the switch.

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出0入0汤圆

发表于 2012-5-25 20:31:36 | 显示全部楼层
however, a diode is the simplest solution. it is rare for a rtc chip to consume more than 1ma in battery mode and a typical schottky diode produces little Vfwd at that kind of current.

出0入0汤圆

发表于 2012-5-25 20:35:27 | 显示全部楼层
ALD produces a family of zero-Vgs mosfets and you can use them here as switches. They are substantially more expensive, however.

出0入21汤圆

发表于 2012-5-25 21:02:26 | 显示全部楼层
mark 低正向压降二极管

出0入0汤圆

发表于 2014-2-24 21:42:14 | 显示全部楼层
mark......

出0入0汤圆

发表于 2014-2-24 23:51:43 | 显示全部楼层
testcode 发表于 2007-11-28 01:49
应该反接MOSFET,如下图。

正向的压降: I*Rdson

13楼厉害,请问这些专利是从哪里找的呢?
谢谢。

出0入0汤圆

发表于 2014-2-25 10:54:54 | 显示全部楼层
我已经落伍了?
难道有新的PN结掺杂工艺出来了吗?有的话得看看。硅管一般不是在0.5~0.7V,锗管在0.2~0.3 是不是我记错了啊。大神指导一下啊!

出0入0汤圆

发表于 2014-2-25 12:31:44 | 显示全部楼层
mark 低正向压降二极管

出0入0汤圆

发表于 2014-3-6 00:00:09 | 显示全部楼层
果然是国内第一的电子论坛,搜什么东西都指向这里,而且总能找到有用的信息,先赞一个

1n60P这类小电流肖特基在数毫安的电流下,压降在0.1~0.2V之间

http://www.diodes.com/datasheets/ds30051.pdf
不过反向漏电挺可观的,反压10V情况下,漏电达到75uA,对电池寿命有严重影响

出0入0汤圆

发表于 2014-3-7 14:31:28 | 显示全部楼层
考虑使用MOSFET管吧,我们电源上也是采用这个的,一直 在用

出0入0汤圆

发表于 2014-7-21 14:44:08 | 显示全部楼层
mark!最终开始用MOS管靠谱一点,便宜又好料

出0入0汤圆

发表于 2015-12-10 13:59:48 | 显示全部楼层
mark  ,做记号,当初找低电压二极管找得好辛苦

出0入0汤圆

发表于 2015-12-11 18:04:08 | 显示全部楼层
这个应该会经常用到。

出0入0汤圆

发表于 2015-12-11 20:57:02 | 显示全部楼层
前两天有个电路要用低压降二极管, 外面买了i1N60P,1N60, 回来测了下, 压降0.2v左右。

出0入0汤圆

发表于 2015-12-14 17:09:06 | 显示全部楼层
shouqiang_zhang 发表于 2015-12-11 20:57
前两天有个电路要用低压降二极管, 外面买了i1N60P,1N60, 回来测了下, 压降0.2v左右。 ...

这个确实可以 但是好像电流增大到一定程度之后 压降会有浮动

出0入4汤圆

发表于 2015-12-14 17:29:23 | 显示全部楼层
2SC5706三极管饱和压降900mV,可以当二极管用。可以试试!

出0入0汤圆

发表于 2016-5-23 23:00:50 | 显示全部楼层
MOSFET LVF 二极管,mark一下。

出0入0汤圆

发表于 2016-8-4 10:00:19 | 显示全部楼层
MARK,正有需要。
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