请教MOS管驱动电路

luckytime · 发表于 2010-9-27 13:55:57

学习学习。

luojiyin · 发表于 2010-9-27 16:12:41

mark

shennaijun0433 · 发表于 2010-10-13 14:17:29

mark

03024003 · 发表于 2010-10-14 11:32:09

好贴

dugutianma · 发表于 2010-11-20 10:01:32

学习，只有不停学习

51fan · 发表于 2010-11-20 11:22:55

学习

jielove2003 · 发表于 2010-11-20 19:42:25

mark

hwg_LDW · 发表于 2010-11-20 20:06:59

mark

sunnyhook · 发表于 2010-11-20 22:41:02

10A的电流，感觉用继电器更合适，有什么原因非得用MOS管呢，是不是需要PWM调温啊，我感觉用继电器做控制加PID算法也没问题，就是容易产生机械噪声。

kaixinlaohe · 发表于 2010-11-21 00:11:44

mark

kaixinlaohe · 发表于 2010-11-21 00:19:42

mark

xuejianhua1986 · 发表于 2010-11-26 23:37:58

MARK各有用途，mos管控制电机调速

wangbin6030 · 发表于 2010-11-27 14:55:32

很强！学习

phnbs · 发表于 2010-11-28 15:05:57

很好

pengshipower · 发表于 2010-12-3 19:45:42

好贴

zyw19987 · 发表于 2010-12-9 17:54:50

差点忘记顶了！

zyw19987 · 发表于 2010-12-9 17:55:03

yalihendaya · 发表于 2010-12-16 14:10:56

mmark

jielove2003 · 发表于 2011-1-6 11:53:46

学习了

zhuhanliang · 发表于 2011-1-6 13:19:02

mark MOS

zjw5000 · 发表于 2011-1-21 10:20:53

真是好贴！

ssclark · 发表于 2011-2-17 12:30:22

mark

mcu2007 · 发表于 2011-2-17 12:59:01

就目前LZ的项目要求来说，我推崇26楼的，再加一个泄放电阻，原因就一个，成本低，够用，也够可靠！

anxiangbo · 发表于 2011-2-17 13:07:32

记号

153290557 · 发表于 2011-2-27 18:42:03

mark

HYFAVR · 发表于 2011-2-27 19:39:37

mark

ee168 · 发表于 2011-2-27 20:26:16

占位,什么时候再看看

justing88 · 发表于 2011-3-6 15:02:59

回复【30楼】eblc1388
-----------------------------------------------------------------------

分析的好

wangle315065 · 发表于 2011-4-4 20:19:34

mark

kerrwang · 发表于 2011-4-4 21:46:59

帖子相当好，值得研究。

zhuyi25762 · 发表于 2011-4-14 10:14:57

看完我觉的我不会设计了，以前我都是用ＩＯ口加10Ｋ电阻的

newhand1991 · 发表于 2011-4-14 17:34:45

(原文件名:clip_image002.gif)

我是用单片机IO口控制交流电的，已经完美的实现了。你把继电器的被控端改成直流就ok了。10A的都可以。

eblc1388 · 发表于 2011-4-15 08:08:12

这反电动势保护二极管是必要用的，勿忘。

(原文件名:add_d.jpg)

agilentvee · 发表于 2011-4-15 14:15:24

反电动势保护二极管,这个叫续流二极管

chengtina · 发表于 2011-5-11 14:14:19

FET驱动

add0 · 发表于 2011-6-12 10:36:02

MOS管驱动电路马克

liguangqang · 发表于 2011-6-12 12:21:37

新手用这个方便

(原文件名:未命名.JPG)

reflecter · 发表于 2011-6-12 15:50:39

eblc1388对41楼，83楼给的电路，有啥看法？

oaixuw · 发表于 2011-6-13 16:10:14

mark

rafaa · 发表于 2011-6-14 22:20:35

89712568 · 发表于 2011-6-15 10:44:32

26楼的电路我用过。用单片机驱动直流电机并实现调速功能。效果好，成本低，暂时没有发现问题。

alengend · 发表于 2011-6-15 11:06:49

回复【136楼】eblc1388
这反电动势保护二极管是必要用的，勿忘。

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时隔N年以后再次回复此贴，合个影

eblc1388 · 发表于 2011-6-17 18:45:47

回复【141楼】reflecter
eblc1388对41楼，83楼给的电路，有啥看法？
-----------------------------------------------------------------------
41楼，83楼给的电路，是推拉输出(Totem Pole)电路。NPN 管是接成射随方式, 注意的是不论供电电压大小, MOSFET 的闸极电压最高只是输入推动电压再减0.6V，在MCU输出只有4.8V时, 闸极只能到达约4.2V。

eblc1388 · 发表于 2011-6-17 18:55:08

【135楼】 newhand1991 的电路有误。

接在 MOSFET 闸极的 1K 电阻要移除。

pkjapan · 发表于 2011-6-17 19:01:13

好贴，快快留个脚印

pkjapan · 发表于 2011-7-24 16:06:36

好帖子终于找到了，再顶

Inside · 发表于 2011-7-24 16:13:05

Mark!

zs5577517 · 发表于 2011-8-1 19:52:09

mark

ftx9200 · 发表于 2011-11-2 10:22:52

犀利，留名备用。

bm6520 · 发表于 2011-11-2 20:22:50

顶吧

wangwenjia · 发表于 2011-11-4 13:54:34

强帖马克！

Ammon · 发表于 2011-11-10 12:18:29

好贴，刚好要用MOS管

fangmcu · 发表于 2011-11-10 16:46:47

谢谢楼上各位！！
在此我想问一下，我现在也在用MOS管，不过是低速下应用的，GS电压在15V，可靠吗？？PDF文件也推荐在10V，极限也是 ± 20 V，
但我想要在深度饱和，所以用15V。但听 eblc1388 说，10V已饱和，不知用15V，安不安全？？谢谢！！

03024003 · 发表于 2011-11-11 12:31:30

MOS驱动

aura · 发表于 2011-11-12 01:25:22

回复【157楼】fangmcu 方谭
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15-18V均可，N沟道的MOSFET，在G对S间并一个10K的电阻，驱动的VPP不能超过正负20V，可以考虑G对地加18V稳压管钳位。

lianwaziq · 发表于 2011-11-12 20:31:19

帖子不错哦，谢谢！！！

liuboyf · 发表于 2011-11-28 21:52:04

回复【2楼】eblc1388
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驱动小电机

fish_tian · 发表于 2011-12-1 12:58:17

mark

holmesruan · 发表于 2011-12-6 20:44:40

mark

manamoon · 发表于 2011-12-6 20:48:11

mark

fk2011 · 发表于 2011-12-6 22:44:07

mark

pluto55 · 发表于 2011-12-9 12:43:30

mark¬

hebo230 · 发表于 2012-3-7 11:28:48

mark

CaineStrong · 发表于 2012-3-7 12:10:25

mark

xjsevenxy · 发表于 2012-11-20 11:10:42

eblc1388 发表于 2007-7-25 14:28
楼上的，22K 是需要的，因为在输入端加了 D2 二极管对 AVR 作反压保护。如你不用 D2，那 22K 可省去。 ...

eblc1388 硬件技术确实很强考虑很周全支持一下

xjsevenxy · 发表于 2012-11-20 11:15:32

eblc1388 发表于 2007-7-26 14:46
27 搂的分析是十分正确的。

我用应用例子分析一下 26 楼的电路，假设使用：

ST IRF540 N-CHANNEL 100V - 0. ...

分析透彻！！！！！

fiddly · 发表于 2013-5-6 19:52:52

MOS管驱动，eblc1388 考虑的很全面，cowboy 大侠也来啦！

sunnny · 发表于 2013-6-16 16:12:42

学习一下~！

guxingganyue · 发表于 2013-7-10 16:12:38

本帖最后由 guxingganyue 于 2013-7-10 16:16 编辑

mark mos的接法

tayuaninc · 发表于 2013-8-3 22:14:52

mark

煮酒fu · 发表于 2013-12-17 17:39:37

为什么不用可控硅？

煮酒fu · 发表于 2013-12-17 21:09:52

eblc1388 发表于 2007-7-20 18:33
IRF540:

V Gate-to-Source Voltage ± 20 V GS 是最高容许值，超出会损坏管子。

V Gate Threshold Voltag ...

你这个图上的mos管，很明显是耗尽型的好不好？

LeoJun0614 · 发表于 2013-12-17 22:14:45

MARK！学习了

煮酒fu · 发表于 2013-12-17 22:40:45

eblc1388 发表于 2007-7-20 18:33
IRF540:

V Gate-to-Source Voltage ± 20 V GS 是最高容许值，超出会损坏管子。

V Gate Threshold Voltag ...

Q1mos管是n沟道，耗尽型的。GS就算等于0. mos管也是道通的。后面就算三极管道通截止，对mos管有影响吗？

煮酒fu · 发表于 2013-12-17 22:50:10

dsq2007001 发表于 2007-7-25 18:59
我的很简单啊目前为止实际使用也没有发现什么问题

简单说两句，我是小白。

煮酒fu · 发表于 2013-12-18 07:35:32

qiaofeng198011 发表于 2007-7-23 09:31
对了,我还想问一下,怎么P MOS 的管子(XP152A12COMR)

Low on-state resistance :

Rds (on) = 0.5 ( Vgs ...

为什么出现负值。Pmos管 GS本来就是负值。

煮酒fu · 发表于 2013-12-18 08:18:45

我没发现一个图是正确的。 p 管与 n 不分吗都！
我分析 17 楼的电路。Mos 管为耗尽型的p管。
当mcu的控制端为1时。 npn三极管导通。 Mos 源极电压为40V 。
Mos管处于关断状态。
Mcu控制端为0时。三极管关断。压敏电阻导通。三极管关断 mos源极为40V 。mos管同样处于关断状态。

liuzhen526 · 发表于 2013-12-19 12:25:27

mark mos管应用

eblc1388 · 发表于 2013-12-27 17:56:20

@煮酒fu

请勿激动。把 MOSFET 画成耗尽型是因为这样画法也非常普通，而我亦无加强型的图标。主要还是MOSFET元件型号决定是增强/耗尽型。

至於你分析所提及的『 Mos 源极电压为40V 』和『压敏电阻导通』，我就自认不才，不明白你真正的意思。

祝你圣旦快乐。

xiangqian1114 · 发表于 2014-10-15 13:53:06

mark~~学习了~

mk_avatar · 发表于 2014-10-28 14:42:53

高！！！！

mk_avatar · 发表于 2014-10-28 14:43:09

高！！！！

yan_yong · 发表于 2014-10-28 17:06:19

根据实际的情况，选择更合适的方案。

fs2011 · 发表于 2014-10-28 21:27:17

mos驱动贴挖坟

s梦想s · 发表于 2014-11-21 09:27:49

跟各位学习了

请教MOS管驱动电路

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