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老生常谈的EEPROM数据丢失问题

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出70入0汤圆

发表于 前天 12:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
200汤圆

大家好,最近又碰到了老生常谈的EEPROM数据丢失问题,看了下论坛里的帖子,https://www.amobbs.com/thread-5618192-1-1.html,这个帖子和我的问题很相似,看了下这个帖子的作者最后一次登录论坛是2022年8月份,请问有人了解这个帖子的最后什么结论吗,或者能联系到此贴的楼主,帮忙问下他的问题最后是什么原因导致的,多谢多谢

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知道什么是神吗?其实神本来也是人,只不过神做了人做不到的事情 所以才成了神。 (头文字D, 杜汶泽)

出0入927汤圆

发表于 前天 12:40 | 显示全部楼层
在写的时候才会丢失数据,做2个备份。更新数据前,先写数据再校验。
无论是掉电还是其他异常,以校验结果为准。

出0入4汤圆

发表于 前天 12:49 来自手机 | 显示全部楼层
两个片区循环写入+检验,大部分应用场景多可以覆盖。

出1325入193汤圆

发表于 前天 13:26 | 显示全部楼层
严格来说   片类的flash不属于EEPROM范畴
二者要区别对待
项目一律不用芯片flash保存参数数据
外置的 从此没有这个故障

出100入312汤圆

发表于 前天 13:29 | 显示全部楼层
mcu片内e2,有些原厂都不建议用

出0入0汤圆

发表于 前天 13:40 | 显示全部楼层
存2份,不放心就存3份,到不同的页

出70入0汤圆

 楼主| 发表于 前天 13:45 来自手机 | 显示全部楼层
谢谢大家,我现在特别想知道这个数据是怎么忽然就被改写的,用的好好的,过了一两年莫名其妙数据被改写了,还不是变成FF了,不知道这个https://www.amobbs.com/thread-5618192-1-1.html里的老兄有没有找到原因。

出1325入193汤圆

发表于 前天 14:35 | 显示全部楼层
DoDoTech 发表于 2024-7-25 12:40
在写的时候才会丢失数据,做2个备份。更新数据前,先写数据再校验。
无论是掉电还是其他异常,以校验结果为 ...
(引用自2楼)

上电和掉电是二个最关键时刻
没有掉电保护监测电路
都容易出故障

出0入0汤圆

发表于 前天 14:39 | 显示全部楼层
可能是电源断电又未完全掉完前,程序因某种原因进入写EEPROM子程序,查一下复位电路.

出0入0汤圆

发表于 前天 15:20 | 显示全部楼层
本帖最后由 罗小蘑菇 于 2024-7-25 15:25 编辑

I2C总线如果受干扰了,很可能读变成写(一位的差别而已),而且是写入了你不可预料的数据;其实I2C这种通讯方式抗干扰能力很弱,没有字节奇偶交易,也没有帧数据校验,一位错了可能整个操作就错了,所以EEPROM一般都带WP写保护,这样防止读变写。可是很多人写保护根本不用。
再就是掉电时的写数据也很容易写错,上电时的读数据也容易出错,如果没有容错机制,很可能就出错了,且出错后错上加错。

还有些I2C的液晶或者数码管驱动芯片,都是上电时配置下参数,后面就光刷显存了,很可能一次受干扰把刷现存操作变成配置参数操作了,然后显示就乱了,又无人值守,也无从排查。

所以这种要经常操作的I2C器件,尽量别跟其他I2C器件挂一个总线上,很容易误操作。

出70入0汤圆

 楼主| 发表于 前天 16:28 来自手机 | 显示全部楼层
lb0857 发表于 2024-7-25 14:35
上电和掉电是二个最关键时刻
没有掉电保护监测电路
都容易出故障

(引用自8楼)

对对,上下电应该是一个方向,这个产品是用的单片机里自带了欠压复位电路,不是外接的

出0入42汤圆

发表于 前天 17:04 | 显示全部楼层
看这个贴子,现在我不管用内、外部EEPROM,亦或FLASH模拟的EEPROM,都用这个法子做校验,没出过问题。
https://www.amobbs.com/thread-1440595-1-1.html

出0入30汤圆

发表于 前天 18:06 来自手机 | 显示全部楼层
介绍太模糊了,
什么mcu,内置flash还是eeprom,外置24c02还是哪颗料?有没有开BOD?

出70入0汤圆

 楼主| 发表于 前天 19:01 来自手机 | 显示全部楼层
ycheng2004 发表于 2024-7-25 18:06
介绍太模糊了,
什么mcu,内置flash还是eeprom,外置24c02还是哪颗料?有没有开BOD? ...

(引用自13楼)

是集成在单片机内部的EEPROM,直接挂到内部总线上,跟访问Flash一样访问,BOD开了,欠压电压设的还挺高,2.6V以上

出0入30汤圆

发表于 前天 19:12 来自手机 | 显示全部楼层
本帖最后由 ycheng2004 于 2024-7-25 19:14 编辑
Filters123 发表于 2024-7-25 19:01
是集成在单片机内部的EEPROM,直接挂到内部总线上,跟访问Flash一样访问,BOD开了,欠压电压设的还挺高, ...
(引用自14楼)


具体是什么型号的Mcu? 现在带真正eeprom的Mcu很少,
像AVR,BOD开2.6v不算高,一般开3v以上,如3.3v的系统电压不足3.3v,

出0入0汤圆

发表于 前天 21:53 | 显示全部楼层
十多年前用atmega8做个项目,检测到外围断电后,存两个BYTE到单片机EEPROM里,发现EEPROM无规律被破坏,而且很多时候不是关电写的这两个BYTE被破坏。
又偿试把写改成读,一样存在这个问题。
写邮件问AVR,得到的回复是:电压不稳定时禁止读、写eeprom,datasheet有特别提醒!

出70入0汤圆

 楼主| 发表于 昨天 00:11 来自手机 | 显示全部楼层
Firman 发表于 2024-7-25 21:53
十多年前用atmega8做个项目,检测到外围断电后,存两个BYTE到单片机EEPROM里,发现EEPROM无规律被破坏,而且 ...
(引用自16楼)

哈哈,我看过你在一个帖子里这样回复,貌似他们内部还认真的研究过这个问题

出1325入193汤圆

发表于 昨天 01:50 来自手机 | 显示全部楼层
lz,16l就是答案。结贴了。

出70入0汤圆

 楼主| 发表于 昨天 22:26 | 显示全部楼层
lb0857 发表于 2024-7-26 01:50
lz,16l就是答案。结贴了。
(引用自18楼)

先不结贴,我们的正主vmalloc还没出场,@vmalloc,兄台在哪里发财啊 ,出来给我们说说你当时的情况是怎么回事啊?https://www.amobbs.com/thread-5618192-1-1.html
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