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发表于 2024-3-22 08:56:29
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本帖最后由 iamseer 于 2024-3-22 09:05 编辑
用 read-disturbance 做关键字查到了这篇文章
https://us.transcend-info.com/em ... gy/read-disturbance
大概意思是说,当读取数据的时候,比如说读取浅绿那一行,读取的时候要往不读取的行(深绿)上加高压。但这一过程,会导致深绿上单元加一点电荷。重复次数多的话就会导致位从1变成0.
解决办法就是如果位错误足够多,就把它读出来写到别的块上去。
另外一篇nasa的文章: https://nepp.nasa.gov/files/1358 ... n%20Flash%20Mem.pdf
有这么一段:
Read disturb can be reduced by minimizing excessive reads. The rule of thumb is no more than 1 million READ cycles (per block) for SLC, and a maximum of 100,000 READ cycles for MLC. If possible, the data should be read equally from pages within the block. If it is necessary to exceed the “rule-of-thumb” cycle count, then the data should be moved to another block and the original block should be erased. Each erase resets the read disturb cycle count.
读取干扰可通过尽量减少过量读取来降低。经验法则是,SLC 的读取周期(每个块)不超过 100 万次,MLC 的读取周期最多不超过 10 万次。如果可能,应从块内各页平均读取数据。如果需要超过 "经验法则 "规定的周期数,则应将数据移至另一区块,并擦除原始区块。每次擦除都会重置读取干扰周期计数。
另外我看了看ECC free的资料,似乎只是把ECC的负担转移给了NAND控制器。原理应该没变。 |
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