请教一个电路，控制一个设备，高电压供电，但要求恒流0.3ma。

静电场

给一个设备供电，供电电源是110V左右。但要求控制设备的电流是大致恒定的，大概0.3ma.    我想在下面加个恒流源0.3ma控制，可是反馈电压相对供电太小了。而且我找的网上的恒流源控制反馈都是运放电路做的，最大才36V。有高手能指点一下吗，谢谢

howmoney

很重要的一点没提到，这个设备会消耗多大的电压？也就是说有多少功率是由恒流源承担的。

sdsdc

用高压MOS管，精度不高直接用电阻控制，精度高用运放控制。

cne53102

供电电源是110V左右。但要求控制设备的电流是大致恒定的，大概0.3ma

静电场

cne53102 发表于 2022-8-18 14:09

(引用自4楼)

谢谢，这个电流是怎么算的，如果要恒流0.5ma的话要改什么参数。难道是改R2 的电阻，0.7/0.5=1.4K ，这样吗，这种精度有多高

cne53102

静电场 发表于 2022-8-18 15:02
谢谢，这个电流是怎么算的，如果要恒流0.5ma的话要改什么参数。难道是改R2 的电阻，0.7/0.5=1.4K ，这样 ...
(引用自5楼)

没错，就是这样算的Vbe/R2=I_load

这种精度不高，由于电流没那么大，实际上Vbe是不太可能达到0.7V的，Vbe可能在0.45V~0.65V之间，R1和电源电压也会通过基极电流来影响I_load，温度也会影响Vbe（Q2）

要增大电流的话，如果增加较多，也需要减小R1，因为Q1会需要更多的基极电流，但是改成0.5mA这种不需要修改。

虽说Vbe可能在0.45V~0.65V之间，但同一批件差别不会这么大，小数点后一位应该不会变，根据实际情况试出合适的R2，然后就那么用的话，应该还是很可以的

温度方面，Q1没关系，Q2不要被Q1烤到，Q2不遭遇极端温度应该没事。

如果电压更高，Q1可以换13003之类的东西，Q2不需要高耐压的。

静电场

cne53102 发表于 2022-8-18 15:25
没错，就是这样算的Vbe/R2=I_load

这种精度不高，由于电流没那么大，实际上Vbe是不太可能达到0.7V的，Vb ...
(引用自6楼)

好的，感谢。

cne53102

静电场 发表于 2022-8-18 15:48
好的，感谢。
(引用自7楼)

噢~补充一下

既然110V*0.3mA=33mW

那么Q1可以使用MMBTA42/MMBTA44，Q2可以使用MMBT3904，都SOT23-3贴片就可以了

前面图里的BU406我只是随便拽了个200V的管子出来而已，功率不大的话不需要那么大的封装

youkebing

cne53102 发表于 2022-8-18 15:25
没错，就是这样算的Vbe/R2=I_load

这种精度不高，由于电流没那么大，实际上Vbe是不太可能达到0.7V的，Vb ...
(引用自6楼)

你这个图的Q2换成TL431这类的基准，应该也可以吧(编辑原因：感觉刚才的有点问题，增加了两个二极管)

zhcj66

cne53102 发表于 2022-8-18 15:25
没错，就是这样算的Vbe/R2=I_load

这种精度不高，由于电流没那么大，实际上Vbe是不太可能达到0.7V的，Vb ...
(引用自6楼)

看着这个简单而又实用

cne53102

youkebing 发表于 2022-8-18 16:28
你这个图的Q2换成TL431这类的基准，应该也可以吧(编辑原因：感觉刚才的有点问题，增加了两个二极管)

...
(引用自9楼)

可以换成TL431的，TL431更精确，但是缺点就是TL431需要2.5V左右，导致测电流的电阻比较大，整个电路最小压降比较大，而且基极可能不得不串点什么东西，虽然准确但变得麻烦了

静电场

感谢各位的回复，增加了我的模拟知识。

liwei_jlu

cne53102 发表于 2022-8-18 18:29
可以换成TL431的，TL431更精确，但是缺点就是TL431需要2.5V左右，导致测电流的电阻比较大，整个电路最小 ...
(引用自11楼)

可以用TL432 ，基准电压1.25V