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MOSFET搭建的负载开关电路,压降很大,请教改进措施

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出0入0汤圆

发表于 2022-7-7 17:22:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
使用了N-MOSFET器件,WSD40120DN56G,搭建了如下图所示的电路,用于控制右侧负载的电源开关,当NUC_PWR_CTL信号输入低电平时,右侧负载开启。
当右侧负载空载时测量到MOSFET S极输出只有10V
当右侧负载约为10A时,S极输出约为10.6V
相当于MOSFET上的压降约为1.4-2V,导致MOSFET发热特别严重,请教改进的办法

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曾经有一段真挚的爱情摆在我的面前,我没有珍惜,现在想起来,还好我没有珍惜……

出330入1925汤圆

发表于 2022-7-7 17:27:52 | 显示全部楼层
NMOS不是这样用的,换PMOS或使用18V驱动栅极,或者弄个电荷泵泵上去

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2022-7-7 17:29:27 | 显示全部楼层
cne53102 发表于 2022-7-7 17:27
NMOS不是这样用的,换PMOS或使用18V驱动栅极,或者弄个电荷泵泵上去
(引用自2楼)

好的,感谢回复,小弟学艺不精 再研究下

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2022-7-7 17:36:39 | 显示全部楼层
cne53102 发表于 2022-7-7 17:27
NMOS不是这样用的,换PMOS或使用18V驱动栅极,或者弄个电荷泵泵上去
(引用自2楼)

请问为啥是18V呢?是看的手册里的哪个参数呢

出0入8汤圆

发表于 2022-7-7 17:40:20 | 显示全部楼层
jiayue12450 发表于 2022-7-7 17:36
请问为啥是18V呢?是看的手册里的哪个参数呢
(引用自4楼)

Vgs,栅极电压比源极高3~5v

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2022-7-7 17:48:37 | 显示全部楼层
rube 发表于 2022-7-7 17:40
Vgs,栅极电压比源极高3~5v
(引用自5楼)

好的,懂了。感谢回复

出330入1925汤圆

发表于 2022-7-7 17:49:10 | 显示全部楼层
本帖最后由 cne53102 于 2022-7-7 18:01 编辑
jiayue12450 发表于 2022-7-7 17:36
请问为啥是18V呢?是看的手册里的哪个参数呢
(引用自4楼)


G必须比S高才能开启,NUC_12V如果跟VCC_12V一样,那这个MOS就处于关闭状态,现在是靠着负载在那边拉着,才在NUC_12V和VCC_12V之间建立了一个小小的压差,让MOS开启,Vgs=1.4V,就0.14欧了,这MOS已经相当不错了,但它处于水龙头只开了一点点的不正常状态。

使用18V驱动时,Vgs在开启瞬间获得18V-0V=18V电压(开启时NUC_12V=0V),小于20V极限不会炸掉,运行时将获得18V-12V=6V,按datasheet看会Ron@Vgs=6V会小于2毫欧。

如果可以使用任意电压,用16.5V驱动比较稳妥16.5-12-4.5V,18V的话离20V有点近,或者可以用二极管和电容做电荷泵从5V往12V打来得到,也会是差不多这个电压,就是需要一个PWM,也挺麻烦,零件多。

如果可以找到合适的PMOS,那是最省事的,比如AOD403之类的。

编辑:调整句子

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2022-7-7 18:02:50 | 显示全部楼层
cne53102 发表于 2022-7-7 17:49
G必须比S高才能开启,NUC_12V如果跟VCC_12V一样,那这个MOS就处于关闭状态,现在是靠着负载在那边拉着, ...
(引用自7楼)

感谢您的回复,懂了。都是基础知识,小弟搞忘完了,发了个这么低级的帖子,感觉好羞愧。

出105入79汤圆

发表于 2022-7-7 23:41:54 | 显示全部楼层
我每次画mos都要百度一番

出0入25汤圆

发表于 2022-7-8 00:02:11 | 显示全部楼层
控制负载正极,应该采用PMOS。
如果负载能改为控制负极,就用NMOS,NMOS的可选择范围更大。

出0入4汤圆

发表于 2022-7-11 14:24:54 | 显示全部楼层
控制12V的PMOS有很多,电源正端用PMOS,NMOS用来控制负载负端比较常用

出0入362汤圆

发表于 2022-7-11 14:36:52 | 显示全部楼层
最好是搞个比12V更高的辅助电源... 最简单的, 弄个光伏输出光耦, 比如TLP190, 用它来控制NMOS. 就是有点贵.
其次就是用PMOS了
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