给单片机IO口一个中间电压会识别成什么电平

hall · 发表于 2022-2-18 09:43:20

我们都知道单片机IO口是数字口，经过内部IO单元处理后，给CPU的信号要么是1要么是0。但是MCU手册上对于IO的输入电平描述，VIL和VIH是两个不相连的区间，比如VIL最大0.3VDD，VIH最小0.7VDD，而且还会有一个滞回电压比如0.2V，是施密特输入级的特性。那么0.3VDD到0.7VDD中间就有一个盲区，如果给IO输入中间区域的电压，到底是会识别成高电平还是低电平，难道是随机的？

chunjiu · 发表于 2022-2-18 09:49:21

不确定！而且在老式的 MCU 会导致 CMOS 阀锁效应而烧毁 MCU 管脚或者整个儿芯片！

新时代的 MCU 因在引脚上使用了施密特触发器输入，不会烧毁，但电平不确定。

locky_z · 发表于 2022-2-18 11:13:56

看一下反相器结构，中间电平会使上下管同时导通，电流增大，但不叫阀锁效应。

neutronlmk · 发表于 2022-2-18 11:40:12

不带施密特触发器输入——单片机识别的电平不确定；
带施密特触发器输入——单片机电压之前识别成什么电平，加电压之后仍识别成同样电平。

chunjiu · 发表于 2022-2-18 11:42:14

本帖最后由 chunjiu 于 2022-2-18 11:47 编辑

locky_z 发表于 2022-2-18 11:13
看一下反相器结构，中间电平会使上下管同时导通，电流增大，但不叫阀锁效应。 ...
(引用自3楼)

上古时代的 cmos 结构有个半导体寄生效应，和你的理想原理图不一样。

ps:

年代久远，记不清了。

大意就是一旦进入此效应，就算撤掉或强加给栅极的驱动电平也无法关闭两个 mos，它们会同时导通直到烧毁。

xiaodao35 · 发表于 2022-2-18 12:41:41

0.3VCC为零，0.7VCC为1，中间阈随机，不要侥幸

z31com · 发表于 2022-2-18 14:12:24

大概率会识别成高电平

hugohehuan · 发表于 2022-2-19 13:04:15

这不数字电路的课里面有讲么

zhangling520 · 发表于 2022-2-19 13:18:39

施密特呀。电平不变

给单片机IO口一个中间电压会识别成什么电平

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