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发表于 2022-3-8 16:19:15
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本帖最后由 cne53102 于 2022-3-8 16:21 编辑
我把2个都传上来：
楼主位的图和这两个都有值得学习的地方，HP的跟楼主位的Chroma一样是反向的，增加了电压测量（它支持恒功率和恒阻模式）和电流信号差分放大，这样电流信号可以在最佳位置获取，避免了铜皮电阻导致的误差。
德国的那个不是反向的，会受到共模电压影响，是常见的恒流电路的形式，但是它的那个二极管也可以发挥有效作用。
德语的我尝试翻译一下这部分，整个的就不搞了，没那个实力。。
Endstufe
Die zu belastende Gleichspannung wird über die Polklemmen „+” und „-” zugeführt.
Zum Schutz vor Überspannung, z. B. durch statische Entladung verursacht, ist die Transil-Schutzdiode D 400 parallel geschaltet.
Die Leistung wird in 6 parallel geschalteten FETs vom Typ BUZ 102 umgesetzt.
Eine gemeinsame Ansteuerung dieser FETs ist aufgrund der Exemplarstreuungen und der dadurch zu erwartenden ungleichmäßigen Leistungsaufteilung nicht möglich.
Deshalb wird jeder FET mit einer eigenen Ansteuer- und Stromregel schaltung betrieben. Die 6 Stufen sind völlig identisch aufgebaut, sodass die Beschreibung beispielhaft an der Ansteue rung von T412 erfolgen soll.
Das in seiner Anstiegsgeschwindigkeit begrenzte StromSollwert-Signal wird über den Spannungsteiler R 410, R 411 zugeführt.
Der als Regler fungierende Operationsverstärker IC 410 vergleicht diese Spannung an seinem nichtinvertierenden Eingang (Pin 3)
mit dem auf seinen invertierenden Eingang (Pin 2) geführten Signal, das dem tatsächlichen Strom entspricht.
Sind diese nicht identisch, so ändert sich die Ansteuerung über den Ausgang (Pin 6) entsprechend.
Die Komplementär-Emitterfolger-Stufe T 410/ T 411 stellt den zum Umladen der Gate-Kapazitäten erforderlichen Strom bereit.
Die Stabilität des Reglers bei gleichzeitigen guten dynamischen Eigenschaften wird durch die Beschaltung mit R 414, C 413, C 411 und C 412 erreicht.
D 410 verhindert, dass der Regler bei einemSollwert von Null und darunter in die negative Übersteuerungsgrenze fährt (der Laststrom kann nicht kleiner als Null werden). Die Erfassung des fließenden Laststroms erfolgt über den Shunt R 416.
Dieses Signal wird außerdem über den Widerstand R 415 herausgeführt und mit den stromproportionalen Signalen der fünf anderen Stufen zum Gesamtstrom zusammengefasst.Um die Wärme von den Leistungs-FETs effizient abführen zu können, sind diese auf einem ELV-Lüfter-Kühlkörper LK 75 montiert.
功放
要加载的直流电压通过端子“+”和“-”提供。为防止过压，例如静电放电，并联了TVS保护二极管D 400。
电源被分配到 6 个并联的 BUZ 102 场效应管。由于制造公差和功率分布差异，一起控制这些场效应管是不可能的。
因此，每个场效应管都使用独立的驱动和电流控制电路，6个单元完全相同，这里以T412的控制为例进行说明。
通过分压器 R 410、R 411 提供上升速率受限制的电流设定信号。
运算放大器 IC 410 在其非反相输入端（引脚 3）比较该电压，实际电流信号反馈到其反相输入（引脚 2）。
如果它们不相同，则通过输出（针脚 6）进行的控制。
互补射极跟随器级 T 410/T 411 提供对栅极电容充电所需的电流。
R 414、C 413、C 411 和 C 412使控制器具有稳定性的同时具有良好的动态特性。
D 410 防止控制器在设定点为零及以下（负载电流不能小于零）处驱动到负过载限制。
通过R 416检测负载电流。该信号还通过R 415输出，并与来自其他五个单元的电流信号一起得到总电流。为了能够有效地散发功率场效应管的热量，它们被安装在一个ELV风扇散热器LK 75上。
它没有怎么详细说D410这个二极管的作用，就这么一句话。我认为不管是错误的输入信号，还是外部电感导致运放输出负压，都是该二极管发挥作用的情况。
德国这个还有一个值得学习的地方是运放的输入信号上升速率是受限制的。楼主位chroma的板子上中间存在一些电位器和额外的运放，我猜测在翻转设定电流信号电压的同时可能也做了这样的限制。 |
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