很多芯片驱动高侧NMOS开关，又没有升压电容，是如何实现的呢？

jsband · 发表于 2021-8-18 21:05:52

本帖最后由 jsband 于 2021-8-18 21:14 编辑

像智融SW3516、英集芯IP2726这类usb快充协议识别芯片，TI BQ76952这些电池前端采集芯片外面都是用的高侧NMOS开关，是如何实现的呢？难道用的电荷泵，不是100%时间段开启?可是又没看到专门的升压储能电容啊？请大神指点

vtte · 发表于 2021-8-18 21:32:28

楼主你是不是有什么误会？这些快充芯片都是降压芯片啊。

jsband · 发表于 2021-8-18 21:49:15

vtte 发表于 2021-8-18 21:32
楼主你是不是有什么误会？这些快充芯片都是降压芯片啊。

我说的是VBUS开关管，不是你说的那样吧？也没个电感二极管呀

jsband · 发表于 2021-8-18 21:56:24

本帖最后由 jsband 于 2021-8-18 22:26 编辑

甚至SW3516电流采样都是在高电位侧

skyseeingliqy · 发表于 2021-8-18 22:00:02

The charge pump uses an external capacitor connected between the BAT and CP1 pins that is
charged to an overdrive voltage when the charge pump is enabled.
BQ76952 写得很清楚啊。。。

jsband · 发表于 2021-8-18 22:13:05

skyseeingliqy 发表于 2021-8-18 22:00
The charge pump uses an external capacitor connected between the BAT and CP1 pins that is
charged to ...

这样的话开关的占空比能达到多少呢？现在都这样搞了吗？那个USB快充协议芯片可没电容啊，又是怎么做到的呢？

gzhuli · 发表于 2021-8-18 23:43:26

jsband 发表于 2021-8-18 22:13
这样的话开关的占空比能达到多少呢？现在都这样搞了吗？那个USB快充协议芯片可没电容啊，又是怎么做到的 ...

高端功率开关只需要内部电荷泵就足够了。

很多芯片驱动高侧NMOS开关，又没有升压电容，是如何实现的呢？

阿莫论坛20周年了！感谢大家的支持与爱护！！

本帖子中包含更多资源

本帖子中包含更多资源