PMOS的应用问题，多谢！

tony001 · 发表于 2020-12-12 16:00:29

1，需要通过1个小电流的开关来实现对负载提供1A的电流
2，但是规格书显示PMOS的VDS为-30和VGS为±20
3，我如图的应用，当开关以1秒的频率切换时，PMOS会损坏吗？

tony001 · 发表于 2020-12-12 16:02:39

请大家指点一下，多谢

himan · 发表于 2020-12-12 16:26:22

会 33V 大于 Vds -30V
按键没有接通 Vgs 也大于 20V了

himan · 发表于 2020-12-12 16:27:25

再说SOT23-3的封装后面直接带1000uF的电容

tony001 · 发表于 2020-12-12 17:13:57

输入电压改成30V，然后在MOS的G极对地接一个15V的稳压二极管呢

dukelec · 发表于 2020-12-12 17:30:56

tony001 发表于 2020-12-12 17:13
输入电压改成30V，然后在MOS的G极对地接一个15V的稳压二极管呢

vgs 沒超，不用改，樓上說錯了
電源不要超 30v 即可

astankvai · 发表于 2020-12-12 18:09:38

这个vgs只有16.5V, 没超。

wye11083 · 发表于 2020-12-12 18:46:14

dukelec 发表于 2020-12-12 17:30
vgs 沒超，不用改，樓上說錯了
電源不要超 30v 即可

理论上讲，33v不一定会坏。。厂商测量击穿电压是基于小电流漏电测量的，实际上这个电压只会带来较大的风险，带感性和容性负载容易造成过压和过流南穿。

xuyeqing · 发表于 2020-12-13 16:48:51

GS之间最好加个稳压管！

peter_zhang · 发表于 2020-12-13 19:28:44

如果容性负载较大，GS级除了并电阻+稳压管外，需额外增加一个电容做软开通用。

cne53102 · 发表于 2020-12-13 20:13:33

33V用30V的MOS不一定立即就会坏，但不立即坏也肯定很快就会坏，
不立即坏完全看运气，就算不立即坏，可支撑的时间也太短没有使用价值。

33V*1.4=46.2V，40V的MOS在我看来是不可接受的。
建议在55V，60V，75V里选择成本可接受的MOS。
80V和100V是可以但不必选择的，再高则没有什么意义。

在R1两端并联15V稳压管来限制VGS在20V以内

kation122 · 发表于 2020-12-13 20:28:18

cne53102 发表于 2020-12-13 20:13
33V用30V的MOS不一定立即就会坏，但不立即坏也肯定很快就会坏，
不立即坏完全看运气，就算不立即坏，可支撑 ...

高手，这才是做产品的态度。

tony001 · 发表于 2020-12-13 21:07:22

图1和图2的接法，哪种更好呢，有错吗，哈哈

cne53102 · 发表于 2020-12-13 21:22:26

tony001 发表于 2020-12-13 21:07
图1和图2的接法，哪种更好呢，有错吗，哈哈

图1正确，图2错误，稳压管用来限制VGS，所以要安装在GS上。

tony001 · 发表于 2020-12-14 08:41:23

加一个电容C3有用吗，感觉用途不大啊

diyzxh · 发表于 2020-12-14 11:28:51

实际测试PMOS 坏了吗？我们也是类似这样接的没感觉坏MOS

hanbreen · 发表于 2020-12-14 18:30:58

不能要C1.

tony001 · 发表于 2020-12-15 08:13:14

diyzxh 发表于 2020-12-14 11:28
实际测试PMOS 坏了吗？我们也是类似这样接的没感觉坏MOS

你是指1楼的接法吗？实际测试，我还没有测试呢

qinxg · 发表于 2020-12-15 08:44:31

关键33V是什么样的电源?? 电池 or 开关电源? Vds=30V的MOS肯定不能用, 就算是32.9V也不考虑, 一旦出问题就是设计的责任, 除非你自己是老板.
我会选60V/3A SOT89以上封装的MOS.

ccjlhw · 发表于 2020-12-15 08:55:13

VDS电压超过了肯定不行，VGS导通后电压小于20V，理论上是可以的，

tony001 · 发表于 2020-12-15 10:06:05

按1楼的方法试的，不过我的VDC输入是29.5V的稳压电源，开关了30多次，PMOS没有损坏

takashiki · 发表于 2020-12-15 12:45:56

tony001 发表于 2020-12-15 10:06
按1楼的方法试的，不过我的VDC输入是29.5V的稳压电源，开关了30多次，PMOS没有损坏 ...

从理论上讲，你参考 Absolute Maximum Ratings这个参数去做电路本来就是不负责任的行为，更何况你LZ位还准备超出这个参数。
比如说，很多芯片的供电电压绝对最小值是-0.3V，难道你拿这个当做正常运行的条件？
不但30V超出范围了，Vgs也未必就保险，您最好还是参考下典型值那栏参数吧，至少对自己的产品负责，也对自己负责。

bms513 · 发表于 2020-12-15 20:41:00

1 MOSFET的耐压需要做降额设计，稳妥的降额因子至少为80%，也就是说33V的供电电压，MOSFET的Vds选型参数至少为41.25V。Vgs的选型同理。显然图中的选取型号不合适。
2 图中MOSFET右侧设计有比较大的容性负载，MOSFET导通瞬间会有比较大的冲击电流，长时间测试后有可能导致MOSFET热击穿损坏。稳妥的做法时在G和S级之间并合适容值的电容，延长MOSFET导通速率，抑制冲击电流。
3 如果供电电压33V不是一个固定值，而是一个范围值，MOSFET的G和S极并联稳压管时常规设计。

a_nian · 发表于 2020-12-17 21:18:13

保证Vgs电压不超，一般不会。考虑如23楼所述的开启冲击，考虑开关频率及内阻。

tony001 · 发表于 2020-12-21 09:14:09

感谢23楼，谢谢

初音之恋 · 发表于 2020-12-21 09:26:21

设计超过手册电压，明显不合理，就算不坏也不敢长期用。。。，电源得低于30V，还有浪涌电压，改改吧

PMOS的应用问题，多谢！

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