问一个关于形成导电沟道需要载流子浓度的问题

overwolf · 发表于 2020-11-11 10:22:37

不知道发到哪个版块，在这里问吧。
问题是这样的：对于N沟道耗尽型MOS管，书上说栅极下面的自由电子浓度大于衬底空穴浓度的时候才会形成沟道，我的理解是吸引到栅极下面的电子浓度是空穴的两倍才形成沟道，一倍用来中和空穴，另外一倍成为自由电子。我觉得吸引到栅极下面的电子比空穴大一倍就可以形成沟道了，为啥是要大于两倍的电子浓度才形成沟道？

overwolf · 发表于 2020-11-12 14:48:04

应该是N沟道增强型，写错了

overwolf · 发表于 2020-11-12 23:23:25

没人懂这个么？

redworlf007 · 发表于 2020-11-13 08:03:56

看看原子核物理和量子力学得书，上面讲到的。

overwolf · 发表于 2020-11-14 01:39:15

redworlf007 发表于 2020-11-13 08:03
看看原子核物理和量子力学得书，上面讲到的。

半导体物理和器件吧

redworlf007 · 发表于 2020-11-15 09:42:53

overwolf 发表于 2020-11-14 01:39
半导体物理和器件吧

原子核物理和量子力学，我确定。

Mecono · 发表于 2020-11-15 09:52:26

一倍就可以中和空穴多出来一个电子就可以游离. 也就可以形成电子流.

overwolf · 发表于 2020-11-17 16:55:24

Mecono 发表于 2020-11-15 09:52
一倍就可以中和空穴多出来一个电子就可以游离. 也就可以形成电子流.

这个和我的想法一样，但书上不是这样说的，按照书上的说法，是要多出一倍才能形成沟道。

overwolf · 发表于 2020-11-17 16:58:10

redworlf007 发表于 2020-11-15 09:42
原子核物理和量子力学，我确定。

我可是学过半导体物理与器件的

aboutzhao · 发表于 2020-11-17 17:21:51

可以用silvaco仿真一下mos管

Jigsaw · 发表于 2020-11-18 08:26:35

电子迁移就能形成电流了，不一定要先把空穴填满吧

michael.yang · 发表于 2020-11-18 11:15:44

overwolf 发表于 2020-11-17 16:55
这个和我的想法一样，但书上不是这样说的，按照书上的说法，是要多出一倍才能形成沟道。 ...

本人瞎想：“吸引到栅极下面的电子比空穴大一倍就可以形成沟道”，这个应该是对的，只是形成的沟道有点小，导电能力不足，电阻很大，这个沟道的存在没意义。至于大于2倍，是为了一半用于中和空穴，另一半用于导电，这时的沟道才有实用价值。

michael.yang · 发表于 2020-11-18 11:18:28

本帖最后由 michael.yang 于 2020-11-18 11:26 编辑

你可能要查一下这个“沟道”的物理定义是什么？

补充：这个“沟道”的电阻率应该要小于某一个值，才能称为沟道吧

cheng-8yang · 发表于 2020-11-18 11:43:04

overwolf 发表于 2020-11-17 16:55
这个和我的想法一样，但书上不是这样说的，按照书上的说法，是要多出一倍才能形成沟道。 ...

10个空穴，对应一倍的电子是多少个电子？

Fireone · 发表于 2020-11-18 14:19:25

可以看看网易公开课的半导体元件物理刘传玺的。

很久没弄了有点记不清了，应该问的是这一块的内容，你看看吧。

overwolf · 发表于 2020-11-18 18:12:38

Fireone 发表于 2020-11-18 14:19
可以看看网易公开课的半导体元件物理刘传玺的。

很久没弄了有点记不清了，应该问的是这一块的内容，你 ...

对，就是这个。半导体物理我都忘得差不多了，还得回去看看。这讲义看起来是台湾老师写的吧？电洞=空穴？

问一个关于形成导电沟道需要载流子浓度的问题

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