N-MOS管的漏电流IDSS范围太大，试验成功，但不敢用。

hzpyl · 发表于 2020-9-29 20:10:24

VISHAY的 SI2308BDS的IDSS，如图，只有最大值，最大值就不能用了。

NXP的 2N7002的IDSS，如图，典型值0.01uA是可以用的，但最大值就不能用了。

MOS管的漏电流，在R23=2MΩ（阻值不能改小的，改小会影响其他电路）上的压降
2M x 0.01uA =0.02V    OK
2M x 1uA  =2V          不行

试验了10个SI2308BDS  N-MOS管，其中有1个压降>2V，9个<0.02V，
所以，厂家是不能保证，每个都在典型值的。

也想到用继电器触点、干簧管触点，但体积大，放不进去。

寻找替代N-MOS：
1，最大电压60V左右，最大电流30mA。
2，导通时，压降<0.05V
3，断开时，漏电流<0.04uA

gzhuli · 发表于 2020-9-29 20:19:49

JFET吧，例如MMBFJ112，关断漏电流1nA max，就是栅极要给负压……

hzpyl · 发表于 2020-9-29 20:21:12

本帖最后由 hzpyl 于 2020-9-29 20:27 编辑

谢谢，我看看。

IDDS好像是mA级啊！

是不是这个参数？

cne53102 · 发表于 2020-9-29 20:40:16

本帖最后由 cne53102 于 2020-9-29 20:51 编辑

hzpyl 发表于 2020-9-29 20:21
谢谢，我看看。

IDDS好像是mA级啊！

这是加负10V来关断啊……电源要麻烦了

wye11083 · 发表于 2020-9-29 20:51:21

你找rdson在2r以内的就行（你30ma，2r时压降60mv挂个边）。vgs如果只有5v，那么就找vgs＝4.5v时的2r以内的管子。小管子漏电流也小些。电流越大漏电流越大。

knight_avr · 发表于 2020-9-29 21:17:47

SI2306 就可以的啊

gzhuli · 发表于 2020-9-30 02:34:08

hzpyl 发表于 2020-9-29 20:21
谢谢，我看看。

IDDS好像是mA级啊！

JFET大多是耗尽型，0栅压是通态（相当于电流为Idss的恒流源），负栅压关断，由于漏电流小，结电容小，除了做放大器外高阻或高频小信号开关和输入保护也很常用。

hzpyl · 发表于 2020-9-30 07:40:14

谢谢 gzhuli 大师，

线路板上没有负压，产生负压太麻烦。

hzpyl · 发表于 2020-9-30 07:57:56

knight_avr 发表于 2020-9-29 21:17
SI2306 就可以的啊

与SI2308一样的，
超说明书使用，不能保证，
可能有部分会不能用。

adda · 发表于 2020-9-30 08:16:44

BSS123看看

wy2000 · 发表于 2020-9-30 08:18:35

用三极管不行吗？

1399866558 · 发表于 2020-9-30 09:10:15

用2N7002E，满足你的要求。

hzpyl · 发表于 2020-9-30 09:16:16

本帖最后由 hzpyl 于 2020-9-30 09:52 编辑

adda 发表于 2020-9-30 08:16
BSS123看看

谢谢。
BSS123的漏电流符合要求。
VDS =20V,VGS = 0V 漏电流最大10nA

但内阻有3.5欧姆，有点大。

hzpyl · 发表于 2020-9-30 09:50:21

1399866558 发表于 2020-9-30 09:10
用2N7002E，满足你的要求。

就长电的 2N7002，写
VDS=60 V, VGS=0 V 最大漏电流80nA

其他公司2N7002的，包括国际知名厂家，都写最大漏电流1uA，

不知道怎么回事。

adda · 发表于 2020-9-30 14:26:58

hzpyl 发表于 2020-9-30 09:16
谢谢。
BSS123的漏电流符合要求。
VDS =20V,VGS = 0V 漏电流最大10nA

Si1022R看看

1399866558 · 发表于 2020-9-30 14:51:09

hzpyl 发表于 2020-9-30 09:50
就长电的 2N7002，写
VDS=60 V, VGS=0 V 最大漏电流80nA

我看的是ON的。

knight_avr · 发表于 2020-9-30 17:37:56

hzpyl 发表于 2020-9-30 07:57
与SI2308一样的，
超说明书使用，不能保证，
可能有部分会不能用。

SI2306 的 IDSS＜0.5uA啊不是10uA

bj232 · 发表于 2020-9-30 20:44:41

hzpyl 发表于 2020-9-30 09:50
就长电的 2N7002，写
VDS=60 V, VGS=0 V 最大漏电流80nA

国产，你也信？

diyzxh · 发表于 2020-9-30 21:15:28

不能把 2M 值减小吗？
看到很多MOS 都是 1UA 级别

diyzxh · 发表于 2020-9-30 21:17:21

gzhuli 发表于 2020-9-29 20:19
JFET吧，例如MMBFJ112，关断漏电流1nA max，就是栅极要给负压……

JFET 一直没搞明白用在什么场合的？

跟普通 MOS 有什么区别？

huangqi412 · 发表于 2020-10-1 08:48:05

耐压太高吧

hy317 · 发表于 2020-10-1 09:05:21

感觉那个稳压二极管D20也有电流消耗吧

R88 · 发表于 2020-10-1 09:08:10

这样设计有点悬，做个80℃温度实验

hugohehuan · 发表于 2020-10-1 13:17:29

个人觉得整个设计是不是都得重新考虑下？
不光是哪个MOS选型困难的问题……
换三极管和JFET都不行……
其他的每个地方都不合理……
2M和500分压后的电压比LM358的失调电压还小……
390k上的压降可能比2M和500分压后的电压还大一个数量级……

hzpyl · 发表于 2020-10-3 07:28:50

hugohehuan 发表于 2020-10-1 13:17
个人觉得整个设计是不是都得重新考虑下？
不光是哪个MOS选型困难的问题……
换三极管和JFET都不行……

这个电路的左边是： 2~10V，4~20mA信号输入。

MOS管控制500欧姆电阻，使4~20mA信号输入转换为 2~10V。

上面的10V是：当左边的输入信号断开时，给提供一个10V的默认信号。所以不能使其小于9.9V。
而2M电阻，不能太小，太小会从输入信号吸收电流，影响输入信号的电压。

现在是，当左边的输入信号断开时，MOS管的漏电流使电压会到5~7V。

again · 发表于 2020-10-3 12:37:37

为什么不用小于2V做为条件呢

hugohehuan · 发表于 2020-10-3 13:04:24

hzpyl 发表于 2020-10-3 07:28
这个电路的左边是： 2~10V，4~20mA信号输入。

MOS管控制500欧姆电阻，使4~20mA信号输入转换为 2~10V。

管子真很难选……
三极管的漏电流常温下能到10nA，但在高温下也能到uA级别……

liugang1986 · 发表于 2020-10-6 15:52:56

hzpyl 发表于 2020-10-3 07:28
这个电路的左边是： 2~10V，4~20mA信号输入。

MOS管控制500欧姆电阻，使4~20mA信号输入转换为 2~10V。

4~20mA信号的关断，依靠的是什么？是前一极的4~20mA电路本身，还是图中的NMOS管？如果是前者的话，可以考虑使用PNP管替换2M的电阻与下面的NMOS管组成个推挽电路，如果驱动NMOS的电平不够高的话，再加一级电平转换。

hzpyl · 发表于 2020-10-6 16:40:00

不是关断。
是4~20mA用500欧姆电阻转换成2~10V。

liugang1986 · 发表于 2020-10-6 17:30:33

hzpyl 发表于 2020-10-6 16:40
不是关断。
是4~20mA用500欧姆电阻转换成2~10V。

”当左边的输入信号断开时，MOS管的漏电流使电压会到5~7V。“这里的关断指得是什么？NMOS使用来干什么的？是用来在4~20mA信号不输入的情况下将电平抬高到10V的么？

redroof · 发表于 2020-10-6 20:28:44

以前看过一个老外的书，说那些最大漏电流标1uA是因为常规的测试设备只能测到这么多，不想费事所以就标这么多。如果要标最大80nA就得按这个指标来测，会明显增加测试成本。
实际典型值非常小的。如果你放心就用

n0831 · 发表于 2020-10-6 21:11:24

R32直接去掉。输入电流4到20mA，断开电压小于2V后。后面是ADC，可否直接软件处理不是更简单？

N-MOS管的漏电流IDSS范围太大，试验成功，但不敢用。

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