请教MOS管驱动电感负载注意事项

sdlqzql · 发表于 2020-4-29 18:24:40

Mos管用的比较少，模电底子也不好，我把我设计的图，选的件，放这，大家指点之点。

我想驱动一个12V的电磁锁，其实质就是一个电磁铁，12V供电，电流大约1.6A，这里就四舍五入，当作2A，需要开锁时，只需要给其通电500毫秒即可。

1、我的MOS管选型思路，大家看对不对

（1）N还是P的选择
      MCU复位状态输出0V，希望程序控制输出高电平3V时，驱动Mos导通，锁的线圈得电，因此，选用N-Mos
（1）Vdss耐压
      12×2 = 24，选耐压30V的
（2）Id电流
      负载需要2A电流，2×2 = 4A，所以选Id大于4A的
（3）Vgs驱动电压
      这里的MCU可以输出3V数字信号，因此需要留意Mos管的Vgs（th）的最大值应该小于3V

2、根据上面的选型思路，我从lc按照价格排序，结合参数，选择了ON的如下型号：
（1）型号:NTMFS4C10NT1G
（2）关键参数：

3、我的驱动电路如下

不知道，在负载两端是否应该加个续流二极管

请大家指导，谢谢！

GFM123 · 发表于 2020-4-29 18:46:57

用N沟道，要加上二极管。

OOXX110 · 发表于 2020-4-29 19:08:53

没毛病，加快速二极管续流。

Tekin · 发表于 2020-4-30 08:49:38

（1）N管一般比P管的驱动能力大、各种性能也要更好。因为N管是电子导电、P管是空穴导电。
（2）电磁线圈两端一定要并联二极管续流，否则关断瞬间线圈会感生出高压，有可能击穿电路中的其他元器件。

JasonGao · 发表于 2020-4-30 10:12:51

Lock_CTRL再加一个100R或以内的电阻，续流二极管必须要加，加一个SS34F之类就行了。讲究一点再就近在电源和地之间加一个电容。

sdlqzql · 发表于 2020-4-30 10:50:55

谢谢各位的指点!
学习了!

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