推挽图腾柱电路为什么大部分都是三极管搭建的，mos的很...

lzg1987 · 发表于 2020-3-30 17:01:51

本帖最后由 lzg1987 于 2020-3-30 21:54 编辑

最近在弄一个加热丝加热控制的电路，控制通断的MOS管前面要加一级缓冲防止mos管烧坏后24V把单片机烧掉。为此前面加了一级推挽电路，网上搜索发现大部分的推挽电路都是三极管搭建的，mos管搭建的很少。我自己临时测试了mos管和三极管搭建的推挽电路都可以使用，mos管的感觉器件少波形也漂亮一些。但用的人少肯定是有原因的，再此求教。

查看了不少资料，mos管导通后内阻极小，上下管子需要匹配电阻，但输出是轨到轨的。输入与输出极性相反；三极管对上下管参数要求不是特别高，输出极性入输入极性相同；

maxking · 发表于 2020-3-30 17:04:02

MOS管价钱比三极管贵吧？

lzg1987 · 发表于 2020-3-30 17:05:28

maxking 发表于 2020-3-30 17:04
MOS管价钱比三极管贵吧？

哦，这点成本没有考虑过。

辣条 · 发表于 2020-3-30 17:48:31

MOS有节电容，开关速度依相对赖前一级，栅极电压敏感

zyqcome · 发表于 2020-3-30 17:59:44

辣条发表于 2020-3-30 17:48
MOS有节电容，开关速度依相对赖前一级，栅极电压敏感

有道理、

lzg1987 · 发表于 2020-3-30 18:21:35

辣条发表于 2020-3-30 17:48
MOS有节电容，开关速度依相对赖前一级，栅极电压敏感

请问，单片机的推挽输出画的示意图都是mos管结构，真实是三极管还是mos管呢？

dukelec · 发表于 2020-3-30 18:22:20

mos 分立器件搭 push-pull 死區不好控制。。。

takashiki · 发表于 2020-3-30 18:28:21

lzg1987 发表于 2020-3-30 18:21
请问，单片机的推挽输出画的示意图都是mos管结构，真实是三极管还是mos管呢？ ...

CMOS，你说是三极管还是MOS？

lzg1987 · 发表于 2020-3-30 18:49:36

takashiki 发表于 2020-3-30 18:28
CMOS，你说是三极管还是MOS？

mos管呀，32的推挽功能说明上面画了两个mos管。

takashiki · 发表于 2020-3-30 19:05:58

lzg1987 发表于 2020-3-30 18:49
mos管呀，32的推挽功能说明上面画了两个mos管。

我就是回复你，单片机的推挽输出就是MOS管。事实上，集成数字电路大多都是MOS。分立的很多BJT的，MOS的也不少，JFET基本都是被遗忘的

lzg1987 · 发表于 2020-3-30 19:53:25

takashiki 发表于 2020-3-30 19:05
我就是回复你，单片机的推挽输出就是MOS管。事实上，集成数字电路大多都是MOS。分立的很多BJT的，MOS的也 ...

谢谢回复，mos管电路我也搭了一个也挺好用，发现网络搜索到的基本都是三极管，就在想是不是mos管的有什么缺陷。

辣条 · 发表于 2020-3-30 20:01:52

lzg1987 发表于 2020-3-30 18:21
请问，单片机的推挽输出画的示意图都是mos管结构，真实是三极管还是mos管呢？ ...

那肯定是MOS，CMOS嘛
集成和分立有不同的侧重和应用场合

gzhuli · 发表于 2020-3-30 20:26:13

BJT的Vbe≈0.7V，搭成射极跟随器压降损失小(GND+0.7V ~ VCC-0.7V)。

MOS的Vgs(th)通常在1~2V之间，而且跨导(Id / Vgs)较小，如果用MOS代替BJT搭成源极跟随器，压降损失会大很多，甚至有可能导致后级MOS无法完全开通和关断。

用下面两个图比较就很清楚了，首先是SS8050的Ic / Vbe曲线：

这个是BSS138的Id / Vgs曲线，将SS8050的曲线拟合到图中会是蓝线的模样：

lzg1987 · 发表于 2020-3-30 20:37:08

gzhuli 发表于 2020-3-30 20:26
BJT的Vbe≈0.7V，搭成射极跟随器压降损失小(GND+0.7V ~ VCC-0.7V)。

MOS的Vgs(th)通常在1~2V之间，而且跨 ...

你的图片是驱动端的电压要求。三极管只有有个0.7V的压差就可以了，而且输出电压和输入电压有个0.7V的压差。mos管的推挽电路只要导通了输出就是vcc活着vdd，图片中的电压只是开启电压。

zhousun · 发表于 2020-3-30 20:47:00

个人认为对于数字电路，开关来讲，MOS推挽更合适，就是成本高；对于线性电路，晶体管增益要大于MOS，更合适

gzhuli · 发表于 2020-3-30 21:38:46

lzg1987 发表于 2020-3-30 20:37
你的图片是驱动端的电压要求。三极管只有有个0.7V的压差就可以了，而且输出电压和输入电压有个0.7V的压差 ...

你要注意BJT推挽是NPN在上PNP在下，对应MOS是NMOS在上PMOS在下，输入输出的压差跟BJT是一样存在的。

而CMOS输出是PMOS在上NMOS在下，这样可以完全导通，对两轨接近0压降，但这个接法在开关时有短暂的共通，CMOS工作电压低管子内阻大，问题不大，大电流时就不得不考虑死区控制问题了。

lzg1987 · 发表于 2020-3-30 21:55:58

gzhuli 发表于 2020-3-30 21:38
你要注意BJT推挽是NPN在上PNP在下，对应MOS是NMOS在上PMOS在下，输入输出的压差跟BJT是一样存在的。

而C ...

对，感觉mos管的要求高一点，三极管对两个管子要求低一点。三极管不用担心导通烧管的问题。

林凡jeery · 发表于 2020-3-30 22:00:45

继续看大家讨论，学习下

gzhuli · 发表于 2020-3-30 22:04:24

本帖最后由 gzhuli 于 2020-3-30 22:05 编辑

lzg1987 发表于 2020-3-30 21:55
对，感觉mos管的要求高一点，三极管对两个管子要求低一点。三极管不用担心导通烧管的问题。 ...

TI的驱动IC更狠，CMOS + BJT并联输出结构，大电流由BJT扛，轨到轨由CMOS负责收尾，反正IC怎么都好做，分立就怎么简单怎么来得了。

lzg1987 · 发表于 2020-3-30 22:24:47

本帖最后由 lzg1987 于 2020-3-30 22:33 编辑

gzhuli 发表于 2020-3-30 22:04
TI的驱动IC更狠，CMOS + BJT并联输出结构，大电流由BJT扛，轨到轨由CMOS负责收尾，反正IC怎么都好做，分 ...

mos管不能大电流么？还有一只没想明白高阻输出是如何控制的呢？这个功能框图好像无法实现高阻输出。

lzg1987 · 发表于 2020-3-30 22:35:47

gzhuli 发表于 2020-3-30 21:38
你要注意BJT推挽是NPN在上PNP在下，对应MOS是NMOS在上PMOS在下，输入输出的压差跟BJT是一样存在的。

而C ...

对mos管会有短暂的时间上下管工作在导通状态，着点要注意所以要加匹配电阻防止单个管子过热。

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