请问原因?断电保存到M24C02,上电读出,偶尔读出错误

lovewind · 发表于 2019-11-8 15:22:26

本帖最后由 lovewind 于 2019-11-8 15:27 编辑

用的是ST的 m24c02，和at24c02有点不同，代码改了一点可以读写，用的模拟IIC

内容安排区间比如
0-1是标志字节，2-3是配置参数，N-M是存最新内容的区间

逻辑是：
1、开机读出参数，标志位的两个字节如果不是指定值就认为是出厂第一次运行，就把flash的初始值写进去。。。指定位字节就变成了指定内容
2、电压低的时候保存最新N-M区间的内容，用的是超级电容，通过串口测试，每次断电保存都保存好了，然后还可以串口发很多数据（故意死循环的），可以持续大概300-500ms甚至更长
3、开机读出如果是指定标志，就直接读取2-3的内容作为设置值

现在是，偶尔会出现参数丢失，恢复了默认值（被认为是出厂了，重新写了覆盖了），其实就应该是开机检验的时候，指定位置的字节对不上，重新写入了默认值

但是大概率是不会丢失的，不知道怎么办避免这个问题呢？或者问题出现在哪里？
不确定是不是某些原因让整个片子擦除了？目前硬件是带写保护引脚控制的，程序也用到了写保护控制IO

elec2000 · 发表于 2019-11-8 15:31:07

备份！！！！相互校验

weiwei4 · 发表于 2019-11-8 15:53:12

用了超级电容，是不是上电后电压稳定时间长了，而程序在电压还未完全稳定时就已经去读eeprom了呢？导致数据出错，重置数据
话说几年前用电容+spiflash保存断电内容也出现过类似情况

lovewind · 发表于 2019-11-8 15:56:09

weiwei4 发表于 2019-11-8 15:53
用了超级电容，是不是上电后电压稳定时间长了，而程序在电压还未完全稳定时就已经去读eeprom了呢？导致数据 ...

看到有人说上电1S后再去读？难道是电容再充电，电压不稳定？试试改改能否降低概率

ysyt_3 · 发表于 2019-11-8 16:16:21

感觉为了安全还是加校验，然后多读几次，写的时候也读出来确认

shiva_shiva · 发表于 2019-11-8 16:25:25

很可能是eeprom的工作电压比MCU高，所以表面上看MCU还在运行，其实EEPROM因为低电压不工作了。

jiaowoxiaolu · 发表于 2019-11-8 16:25:38

上电马上读大概率出问题，延时一段时间就好了

my_avr · 发表于 2019-11-8 16:30:14

加校验和备份是解决这种数据出错问题最可靠的办法

NJ8888 · 发表于 2019-11-8 16:32:28

换spi的93C

lovewind · 发表于 2019-11-8 16:33:34

shiva_shiva 发表于 2019-11-8 16:25
很可能是eeprom的工作电压比MCU高，所以表面上看MCU还在运行，其实EEPROM因为低电压不工作了。
...

有可能待测试

anxiangbo · 发表于 2019-11-8 16:45:15

用WP管脚了吗？

lovewind · 发表于 2019-11-8 16:46:03

anxiangbo 发表于 2019-11-8 16:45
用WP管脚了吗？

用了，只是写的时候才打开写的

anxiangbo · 发表于 2019-11-8 17:00:29

ST m24c确实和AT有区别，我一直都没有调试通过。后来用微芯的24lc。看下时序时间上有什么出路。

wye11083 · 发表于 2019-11-8 18:12:19

jiaowoxiaolu 发表于 2019-11-8 16:25
上电马上读大概率出问题，延时一段时间就好了

如果写的不对，可能是没等它写完－根据手册，没写完时sda不响应。另外，部分iic是可以支持多字节快速写的。至于读失败，一般是上电io模式，建议初始化完之后先发一个stop，然后后续操作就ok了。

amigenius · 发表于 2019-11-8 18:23:32

24C成熟到不行。正解是：前8个字节不使用，3备份，每包带校验。 SCL，SDA 用2.2K上拉并102到地，这样处理，就算5Kv干扰工业现场，丢数据几率为零。十多年工业产品经验，字字珠玑，不信罢就。

lovewind · 发表于 2019-11-8 18:32:33

amigenius 发表于 2019-11-8 18:23
24C成熟到不行。正解是：前8个字节不使用，3备份，每包带校验。 SCL，SDA 用2.2K上拉并102到地，这样处理 ...

牛逼，涨姿势

lgc150 · 发表于 2019-11-8 19:01:48

amigenius 发表于 2019-11-8 18:23
24C成熟到不行。正解是：前8个字节不使用，3备份，每包带校验。 SCL，SDA 用2.2K上拉并102到地，这样处理 ...

这位大胸弟应该是广府人士啊

wincom · 发表于 2019-11-8 19:57:00

上电读取错误时延时再试，不要让程序轻易的写默认值
用两个区域存储相同的内容，修改时也一样，每次读取时如果1区错误就再尝试读2区
这样可以防止正在写时断电引起的写错误

jssd · 发表于 2019-11-8 19:58:36

本帖最后由 jssd 于 2019-11-8 20:10 编辑

这现象我们也遇到过，但有点不一样的是：我们用的是铁电，外部总线结构，操作后就马上保存，开机读取。。
问题表现为：有时候开机读取数据会出错，但出错几率特别小！我们测试时就一直上电，断电，上电断电。。出现问题并没有规律。
一开始怀疑是干扰，但无论什么环境，加什么电容电阻都一样会出现！
然后我们注意到一个现象，就是有有些板子是无论如何都不会出现这个错误。
接着仔细对比两个不同，最终找到的原因是：
单片机的复位芯片触发的电压有两种，低一些的就会出现这个问题，高的（4.6V好像）就不会！
将所有的会出现问题的板子换掉复位芯片，一年多了，一点事都没有！已批量大约10K

lb0857 · 发表于 2019-11-8 20:03:21

amigenius 发表于 2019-11-8 18:23
24C成熟到不行。正解是：前8个字节不使用，3备份，每包带校验。 SCL，SDA 用2.2K上拉并102到地，这样处理 ...

点赞上电延时加上

jssd · 发表于 2019-11-8 20:12:09

amigenius 发表于 2019-11-8 18:23
24C成熟到不行。正解是：前8个字节不使用，3备份，每包带校验。 SCL，SDA 用2.2K上拉并102到地，这样处理 ...

这个是个好办法！不过我们用铁电，贵！

lovewind · 发表于 2019-11-8 21:25:29

jssd 发表于 2019-11-8 19:58
这现象我们也遇到过，但有点不一样的是：我们用的是铁电，外部总线结构，操作后就马上保存，开机读取。。
...

没用专门的复为新片就是，上电复位阻容。。。看来程序先优化看看效果

acmilannast · 发表于 2019-11-8 22:29:32

shiva_shiva 发表于 2019-11-8 16:25
很可能是eeprom的工作电压比MCU高，所以表面上看MCU还在运行，其实EEPROM因为低电压不工作了。
...

整个系统中应该确保MCU最后复位工作，虽然简单，但总是出问题

lijg8421 · 发表于 2019-11-9 08:45:27

这个问题比较常见，带外部EE的产品设计完成后要反复的上下电测试，一般要注意EE的电压工作范围，单片机的复位电压，另外不同供电范围芯片对应时钟频率可能不同，设计时要留有一定裕量

zhaoyuanxian · 发表于 2019-11-9 09:24:22

掉电保存是OK的吗？还是上电读出错误？

gliet_su · 发表于 2019-11-9 22:54:10

jssd 发表于 2019-11-8 19:58
这现象我们也遇到过，但有点不一样的是：我们用的是铁电，外部总线结构，操作后就马上保存，开机读取。。
...

这不就是电压问题吗？还没达到EEPROM的工作电压就去读。

北国风光 · 发表于 2019-11-10 08:27:24

上电复位不可靠导致的

rube · 发表于 2019-11-10 09:13:57

amigenius 发表于 2019-11-8 18:23
24C成熟到不行。正解是：前8个字节不使用，3备份，每包带校验。 SCL，SDA 用2.2K上拉并102到地，这样处理 ...

这样读写速度不能高了

jssd · 发表于 2019-11-10 12:29:05

gliet_su 发表于 2019-11-9 22:54
这不就是电压问题吗？还没达到EEPROM的工作电压就去读。

是的。

jssd · 发表于 2019-11-10 12:29:21

北国风光发表于 2019-11-10 08:27
上电复位不可靠导致的

我也同意

qinxg · 发表于 2019-11-11 09:18:03

读EEPROM时有干扰了. 1.上电延时一段时间. 2.延时再读N次. 3. 多处备份

solojimes · 发表于 2019-11-11 10:20:53

amigenius 发表于 2019-11-8 18:23
24C成熟到不行。正解是：前8个字节不使用，3备份，每包带校验。 SCL，SDA 用2.2K上拉并102到地，这样处理 ...

前辈能详细说说吗 3备份怎么理解？我用来存储设备参数，这种校验是整个存储区校验还是多少地址到多少地址一个校验

gilberth · 发表于 2022-1-27 21:30:57

amigenius 发表于 2019-11-8 18:23
24C成熟到不行。正解是：前8个字节不使用，3备份，每包带校验。 SCL，SDA 用2.2K上拉并102到地，这样处理 ...

因为当前应用的原因，找到了两年多前的这个帖子。我和32楼类似，也是想请教一下，校验怎么做较好，还有就是 “前8个字节不使用”，应该指的是第0 页吧，暂时在其他地方没找到这种建议，这个经验或建议是怎么来的，是因为硬件/物理上的原因，还是因为软件可能有更多机会操作前8个字节，或第0页? 希望能了解得详细一些，望不吝指教，多谢。

请问原因?断电保存到M24C02,上电读出,偶尔读出错误

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