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求助:如何用3V~5V的PWM控制负高压的通断

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出0入0汤圆

发表于 2019-2-20 18:05:04 | 显示全部楼层 |阅读模式


需求大致如图所示,高压电源产生-800V的电压,现在需要通过3K左右的PWM控制负高压通断,在圆形极板上产生负电场,达到控制电子束的目的。
MOS做控制,需要一个可靠的电路,请各位高手帮忙出出主意。

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知道什么是神吗?其实神本来也是人,只不过神做了人做不到的事情 所以才成了神。 (头文字D, 杜汶泽)

出0入0汤圆

发表于 2019-2-20 18:20:08 来自手机 | 显示全部楼层
极板产生的电场用来衰减电子束的吗?

出0入4汤圆

发表于 2019-2-20 18:21:13 来自手机 | 显示全部楼层
没有电流要求么?

出0入476汤圆

发表于 2019-2-20 20:14:06 | 显示全部楼层
看看 photomos 行不行

出0入0汤圆

发表于 2019-2-20 20:46:34 | 显示全部楼层
用高压MOS管做成半桥,高压DCDC+高压光耦(推挽输出)驱动MOS管。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2019-2-20 21:02:27 | 显示全部楼层
lcw_swust 发表于 2019-2-20 20:46
用高压MOS管做成半桥,高压DCDC+高压光耦(推挽输出)驱动MOS管。

只需要解决红框的控制部分,能再详细说下么?

出0入4汤圆

发表于 2019-2-20 21:21:45 | 显示全部楼层
本帖最后由 peter_zhang 于 2019-2-20 21:36 编辑

说下这个开关电流需要多大?
还有高压电源的地  跟 3.3V/5V  是否是共地的?
我觉得控制信号与高压系统应该是隔离的,那是否我断高压的地线是否可以?

出0入4汤圆

发表于 2019-2-20 21:22:42 | 显示全部楼层
wy2000 发表于 2019-2-20 20:14
看看 photomos 行不行

PHOTO MOS  到不了3KHZ , 这种光MOS  上升时间普遍在几个mS

出0入4汤圆

发表于 2019-2-20 23:29:28 | 显示全部楼层
本帖最后由 peter_zhang 于 2019-2-20 23:33 编辑

稍微仿真了下,貌似可行,前提是3.3/5V控制信号与-800V电源不共地才能这么玩,
唯一的问题是,需要做一个隔离电源, 5V 转12V 的隔离DCDC, 次级12V 的地接高压电源的-800V,
这个12V电源相当于浮地。
12V 驱动波形有点失真, 800V 方波不是很对称。
我用的是普通光耦,3KHZ 有一点变形,应该可以用6脚的高速光耦,光耦的上拉电阻取小点,驱动波形会好些。
MOS管需要选1000V的 NMOS.

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出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2019-2-21 09:30:05 | 显示全部楼层
peter_zhang 发表于 2019-2-20 21:21
说下这个开关电流需要多大?
还有高压电源的地  跟 3.3V/5V  是否是共地的?
我觉得控制信号与高压系统应该 ...

是的,可以共地

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2019-2-21 09:44:03 | 显示全部楼层
peter_zhang 发表于 2019-2-20 21:21
说下这个开关电流需要多大?
还有高压电源的地  跟 3.3V/5V  是否是共地的?
我觉得控制信号与高压系统应该 ...

其实只是控制圆形电极的通断,理论上是不消耗电流的,可以共地的

出0入0汤圆

发表于 2019-2-21 12:13:39 | 显示全部楼层
cuiliang1984 发表于 2019-2-20 21:02
只需要解决红框的控制部分,能再详细说下么?

即然电流小,相当于容性负载,那就好办了,看下面这个图,某调Q电源的结构:

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出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2019-2-21 15:26:00 | 显示全部楼层
lcw_swust 发表于 2019-2-21 12:13
即然电流小,相当于容性负载,那就好办了,看下面这个图,某调Q电源的结构:
...

小磁环有推荐的型号么?

出0入0汤圆

发表于 2019-2-21 15:39:31 | 显示全部楼层
cuiliang1984 发表于 2019-2-21 15:26
小磁环有推荐的型号么?

外径和小姆指差不多,可能就和节能灯里的电子镇流器差不多。
或者多买几种试一试,自己用导线绕个四五圈就行。

出0入0汤圆

发表于 2019-2-21 16:23:22 | 显示全部楼层
隔离12V辅助电源+TLP250+NMOS管

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2019-2-21 16:31:12 | 显示全部楼层
peter_zhang 发表于 2019-2-20 23:29
稍微仿真了下,貌似可行,前提是3.3/5V控制信号与-800V电源不共地才能这么玩,
唯一的问题是,需要做一个隔 ...

貌似不太符合设计目的,MOS源端接地么?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2019-2-21 16:32:11 | 显示全部楼层
zhanan 发表于 2019-2-21 16:23
隔离12V辅助电源+TLP250+NMOS管

能否画下具体回路图?

出0入4汤圆

发表于 2019-2-21 19:25:35 | 显示全部楼层
本帖最后由 peter_zhang 于 2019-2-21 19:26 编辑
cuiliang1984 发表于 2019-2-21 16:31
貌似不太符合设计目的,MOS源端接地么?


你 800V  跟  逻辑信号共地 都不怕被电?
按我的理解是应该隔离控制的 ,2边不供地。
NMOS  S极接地, 接的是光耦次级的浮地,也就是-800V 。
所以说需要一个隔离电源生成12V.

出0入0汤圆

发表于 2019-2-22 00:29:36 来自手机 | 显示全部楼层
我说一个野路子吧,不专业,仅供参考。
也许你可以用用一个古老的电子管来干这件事情,电子管最适合干高压的事了。

出0入0汤圆

发表于 2019-2-22 11:41:52 | 显示全部楼层
cuiliang1984 发表于 2019-2-21 16:32
能否画下具体回路图?

很简单的,描述一下吧:
NMOS的S极接-800,D极接环,G极接TLP250输出,250电源端接隔离12V电源,负极接S极。
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