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用SRAM25616和EPM240做了个液晶控制器，快完工了，现在碰上了几乎最后的钉子，就是CPU（MEGA64）对SRAM读写有许多错误，不知如何解决。摄像
头自动写入储存器的数据看上去似乎正确。
用CPU对SRAM写入每行从小到大周期变化的数据，液晶显示出从暗到亮的图形，图形中有许多暗的斑点，再次对SRAM写入数据，斑点有所减少，甚至全
无，如果在程序中写储存器时连续写两次同一地址储存器好像没效果，单片机写储存器总线操作或模拟总线效果差不多，单片机对储存器读写的部分
CPLD程序如下,PCK为摄像头写入时钟，OU为摄像头写入过程保持高电平，FWR为CPU的WR的反相信号，可视为写有效信号，RWR、ROE为CPLD读写储存器
信号，这里当单片机写信号有效或摄像头自动写信号有效时，储存器的写信号有效，并且这两个信号有效时储存器的读控制信号为高电平，输出高阻
状态。
assign RWR = WR&&(PCK||!OU);
assign ROE = OU||FWR;
wire [15:0]DX;
assign DA = ((FWR||ALE) ? 8'bzzzzzzzz : DR[7:0]);
assign DX[7:0] = ((FWR) ? DA : S[9:2]);
assign DX[15:8]= ((FWR) ? DA : S[9:2]);
assign DR = ((FWR||OU) ? DX : 16'bzzzzzzzzzzzzzzzz );
程序中DA为CPLD链接CPU的数据线的三态端口，当单片机的写有效或ALE有效时，三态门高阻，否则输出DR信号，DR信号为链接储存器I/O口的16跟数据
线，当单片机写有效或摄像头写有效时该信号有输出，输出为DX，否则输出高阻，DX当单片机写有效时信号为链接单片机数据线信号的信号，否则为
摄像头数据。
上面说了这么多，不知您明白没明白。现在是单片机对储存器的部分数据写入不对，我想写入不对无非储存器的地址不对，数据不对，读写信号有问
题，现在不知那部分出了问题，液晶显示基本没问题，地址应该是对的，储存器是10nS的单片机时钟才7.4728M，改变写时钟宽度，问题没变化，我曾
想CPLD驱动不够，查了查手册储存器输入高电平大于2伏，输入低电平小于0.8伏即可，驱动应该没问题，
这问题出在哪里呢？
研发的地方暂时没网络，手机登陆不上账号，暂时上网只有早晚吃饭时 |
阿莫论坛20周年了！感谢大家的支持与爱护！！
曾经有一段真挚的爱情摆在我的面前，我没有珍惜，现在想起来，还好我没有珍惜……
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发表于 2018-5-12 17:01:03
楼主