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mos管开关电路 请教老化过程中MOS管击穿问题

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出0入0汤圆

发表于 2017-6-13 15:36:02 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 youngluer 于 2017-6-13 15:37 编辑

如图所示,mos管两端接的是LED灯,稳态电流通过为1A,这个灯是个闪光灯(1s闪烁一次),目前老化下来有部分mos击穿了,即gs无电压时,DS内阻为30欧了!
请问具体是什么原因导致老化中击穿呢

LED1_ON接的是AVR 16A芯片IO

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你熬了10碗粥,别人一桶水倒进去,淘走90碗,剩下10碗给你,你看似没亏,其实你那10碗已经没有之前的裹腹了,人家的一桶水换90碗,继续卖。说白了,通货膨胀就是,你的钱是挣来的,他的钱是印来的,掺和在一起,你的钱就贬值了。

出0入8汤圆

发表于 2017-6-13 15:46:14 | 显示全部楼层
室温下,测试MOS管的温升,另外一个问题就是用示波器看Vds电压波形。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-6-13 15:48:27 | 显示全部楼层
用FLUKE温度功能对准老化中的MOS管温度为50摄氏度左右

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-6-13 15:49:29 | 显示全部楼层
LED1接的是LED灯的负极,LED灯正极接的是2576出来的12V电压,这个电压一直加载在LED灯上

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-6-13 15:59:20 | 显示全部楼层
electricdream 发表于 2017-6-13 15:46
室温下,测试MOS管的温升,另外一个问题就是用示波器看Vds电压波形。

示波器测量峰峰值15.6V

出0入42汤圆

发表于 2017-6-13 17:05:57 | 显示全部楼层
可能是你栅极驱动不够干脆,看一下VGS的波形,上升沿和下降沿是不是太缓了,引起MOSFET工作在线性区时间太长。
C31换小一点,太大了,这是在谋杀MOSFET。

出0入0汤圆

发表于 2017-6-13 17:12:03 | 显示全部楼层
不知你C31是何用意  为了让G的驱动边沿变钝?没啥好处吧  

出0入8汤圆

发表于 2017-6-13 17:28:47 | 显示全部楼层
youngluer 发表于 2017-6-13 15:48
用FLUKE温度功能对准老化中的MOS管温度为50摄氏度左右

看了一下你选的管子,Rds(on)偏大,所以建议你测试温度,为了加速老化,你可以直接给一个高电平,让LED持续点亮工作一段时间,或者在这段时间持续测量温升。你所谓的对准是什么意思?红外的,还是热成像仪。

出0入22汤圆

发表于 2017-6-13 17:41:47 | 显示全部楼层
1.把G级的电容去掉,把1K的电阻弄小点。。
2.LED要再串联一个电阻。
3.MOS的耐压要两倍,电流要三倍以上。

不要问我为什么,现在你是只烧MOS管,过段时间LED也会烧掉的。

出0入4汤圆

发表于 2017-6-13 18:35:02 来自手机 | 显示全部楼层
led不恒流寿命短得很啊  

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-6-13 18:53:00 | 显示全部楼层
LED恒压本身有限流电阻了啊   电容现在去掉了,MOS厂家说电压爬升慢对管子会有消耗,MOS管用的30V耐压,电流2.7A最大通态电流!!问题是什么原因导致的烧管子呢

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-6-13 18:54:42 | 显示全部楼层
electricdream 发表于 2017-6-13 17:28
看了一下你选的管子,Rds(on)偏大,所以建议你测试温度,为了加速老化,你可以直接给一个高电平,让LED ...

测了持续通电1A,温度50摄氏度,用的fluke万用标的温度探头,应该是热电偶形式的测的

出0入0汤圆

发表于 2017-6-14 05:50:31 来自手机 | 显示全部楼层
温度偏高,选内阻小点的MOSFET

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-6-14 08:29:09 | 显示全部楼层
dtdzlujian 发表于 2017-6-14 05:50
温度偏高,选内阻小点的MOSFET

夏天这温度应该还好把。。。现在老化10小时不停通关通关。。尽然没有击穿

出0入0汤圆

发表于 2017-6-14 09:03:27 | 显示全部楼层
建议先测Vgs和Vds和R34上的波形,这可分析出是不是热效应导致的损坏;
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