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直流有刷电机,H桥,上桥栅驱动形有问题,大家帮忙看看

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出0入0汤圆

发表于 2015-10-10 21:59:34 | 显示全部楼层 |阅读模式
先附原理图,如下,系统供电为18V锂电池,稳压12V给2103供电;电机为有刷电机,MOS采用NTMFS4_4983;同侧的半桥用的相同PWM给2103,反向后输出互补PWM(死区1us),另一侧半桥的下桥管常开,PWM为8K。



现在的问题如下:
1. 开始考虑驱动MOS的电平应该是快速上升、快速下降,所以栅极电阻选了20欧,但是测量发现在上臂MOS导通的瞬间下桥MOS的栅极会被拉高,电流越大拉的越高(测量发现电流大于8A时下桥GS电压高于4V),考虑可能是上桥导通速度快时Δv/Δt比较大,通过下桥的DG电容使下桥栅极拉高,所以加大了四个栅极电阻的阻值以增加GS电压上升时间(现在上升时间大约1us),增加泄放二极管减少GS电压下降时间,效果很好,不知道我这么想对不对,有没有其他原因?栅极电阻大的话会使导通损耗增加,这对于MOS的温升影响到底有多大?栅极电阻大小应该如何选?有没有定量的算法?
2. Q1、Q2互补PWM,Q4常开,示波器测量的波形如下,探头地接Q2源极,图右侧的波形从上到下依次是:紫色->上桥Q1栅极波形, 天蓝色->下桥Q2的DS波形, 深蓝色->上桥Q1的GS波形(波形运算结果,实际测量相同), 黄色->下桥Q2的GS波形;示波器时间每格100ns,电压每格5V


如上图,在Q1导通时Q2的漏极电压震荡,最大DS电压在大电流时超过30V,MOS的DS耐压也就30V,震荡的原因及如何减少震荡的幅度?同时上桥的GS电压也会有波动,波动时频繁的开通关断应该会增加MOS的发热吧?漏极的波形与栅极的波动有什么关系吗?
3. 电机电流采样的话是采样电阻电压滤波采集平均值好还是在PWM开通时间里采集实时值比较好?如果采集实时值的话是在PWM关断前采集?各位的电流采样都是怎么做的?
4. 对于这一类的PCB布局走线有没有什么好的建议、好的参考文档或者PCB图?

因为领导一直说要做电机控制的方案,工作不忙时研究研究,感觉电机控制的前景挺不错的,自己也挺感兴趣的,电机的参数都是没有的。因为公司没有懂电机控制的,所以很多东西都要自己来摸索,上述提供的驱动波形和原理图自己也不知道到底有多少问题,各位帮忙看看,如果能提供几个实测的完美驱动波形最好,最起码以后有个对照,知道到底到什么程度算是对了!
先谢谢各位了,祝大家工作愉快!

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阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

你熬了10碗粥,别人一桶水倒进去,淘走90碗,剩下10碗给你,你看似没亏,其实你那10碗已经没有之前的裹腹了,人家的一桶水换90碗,继续卖。说白了,通货膨胀就是,你的钱是挣来的,他的钱是印来的,掺和在一起,你的钱就贬值了。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2015-10-10 22:00:37 | 显示全部楼层
IR2103和4983MOS的手册:

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出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2015-10-11 09:01:00 | 显示全部楼层
自己顶顶,,,

出0入0汤圆

发表于 2015-10-11 09:15:30 | 显示全部楼层
示波器好漂亮

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2015-10-11 09:48:47 | 显示全部楼层

低端货,普源的

出0入0汤圆

发表于 2015-10-11 10:07:35 | 显示全部楼层
你好,你可以参考我以前发的帖子,关于H桥电路驱动

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2015-10-11 10:26:39 | 显示全部楼层
xurenhui 发表于 2015-10-11 10:07
你好,你可以参考我以前发的帖子,关于H桥电路驱动

你的帖子相关的只有一个啊,你的问题是上桥电平直驱,另外330的栅极电阻是不是太大了?我的120欧上升沿都要1us了,另外自举加限流电阻是不是防止自举电容过冲?51欧会不会使充电过慢啊?另外你那个7n56k是什么?

出0入0汤圆

发表于 2015-10-11 10:30:33 | 显示全部楼层
higeo 发表于 2015-10-11 10:26
你的帖子相关的只有一个啊,你的问题是上桥电平直驱,另外330的栅极电阻是不是太大了?我的120欧上升沿都 ...

http://www.amobbs.com/thread-5614464-1-1.html
这个帖子看看,我现在都是这样使用的

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2015-10-11 10:52:03 来自手机 | 显示全部楼层
xurenhui 发表于 2015-10-11 10:30
http://www.amobbs.com/thread-5614464-1-1.html
这个帖子看看,我现在都是这样使用的

L4和Z4是吸收电路吗?

出0入0汤圆

发表于 2015-10-11 10:55:50 | 显示全部楼层
higeo 发表于 2015-10-11 10:52
L4和Z4是吸收电路吗?

是的,不过L4我现在没有使用了

出0入0汤圆

发表于 2015-10-11 12:46:15 | 显示全部楼层
加上GS 电阻试试  10k

出330入0汤圆

发表于 2015-10-11 12:46:59 | 显示全部楼层
本帖最后由 zcllom 于 2015-10-11 12:49 编辑

看看我之前做过的250KW变频器,控制三相交流异步电机,上桥的IGBT门极驱动波形:(上桥门极稍微有点毛刺,下桥就不用看了,比上桥更平稳,几乎没有毛刺。)
经过了好几轮的优化,达到了很好的效果。
上桥开通:

上桥关断:

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出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2015-10-11 13:22:46 来自手机 | 显示全部楼层
zcllom 发表于 2015-10-11 12:46
看看我之前做过的250KW变频器,控制三相交流异步电机,上桥的IGBT门极驱动波形:(上桥门极稍微有点毛刺, ...

毛刺是什么原因造成的?开通关断都有一个台阶,是什么现象?谢谢

出330入0汤圆

发表于 2015-10-11 15:30:33 | 显示全部楼层
higeo 发表于 2015-10-11 13:22
毛刺是什么原因造成的?开通关断都有一个台阶,是什么现象?谢谢

台阶叫“米勒平台”,是由米勒效应造成的。既然有这个名字了,搜索就知道了。
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