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哥们我不是雷锋,但真的是从客观的角度分析,方便各位选型的需求。
我们是北京芯时代电子科技发展公司,专门从事电机驱动芯片的销售和方案推广!目前已经拿到东芝的授权。
如果需要东芝芯片的样品可以联系我们谢谢。
附件是型号对比表。
Part Number Vendor Voltage Current Input Step Package Rds(on) Temperature Comment
A4988 Allegro 8 to 35V 2A CLK full, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 QFN28-0.50 0.32+0.32Ω –20 to 85ºC Dual NMOS
A3977SLPTR-T Allegro 8 to 35V 2.5A CLK full, 1/2, 1/4, 1/8 28-pin TSSOP-0.65 0.45+0.36Ω –20 to 85ºC Dual NMOS
A3979SLPTR-T Allegro 8 to 35V 2.5A CLK full, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 28-pin TSSOP-0.65 0.28+0.22Ω –20 to 85ºC Dual NMOS
DRV8824 TI 8.2to 45V 1.6A CLK full, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/16 HTSSOP (28)、QFN (28)-0.50 0.63+0.65 –40 to 85ºC Dual NMOS
DRV8825 TI 8.2to 45V 2.5A CLK full, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 HTSSOP (28)-0.65 0.2+0.2Ω –40 to 85ºC Dual NMOS
TB67S109AFTG TOSHIBA 10 to 50V 4A CLK full, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 WQFN48-0.50 0.49Ω –20 to 85ºC PMOS+NMOS
TB67S269FTG TOSHIBA 10 to 50V 2A CLK full, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 WQFN48-0.50 0.8Ω –20 to 85ºC PMOS+NMOS
TB6560AHQ TOSHIBA 4.5 to 40V 3.5A CLK full, 1/2, 1/8, 1/16 HZIP25-1.27 0.6Ω −30 to 85ºC PMOS+NMOS
TB6600HG TOSHIBA 8 to 50V 5A CLK full, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 HZIP25-1.00 0.4Ω −30 to 85ºC PMOS+NMOS
1,目前ALLEGRO还是采用的老的0.6微米的工艺,而TI采用0.18微米的工艺,东芝采用0.13微米的工艺,就像CPU似得,工艺越先进,价格就会越低,因为成本便宜。
而且目前TI和东芝采用12寸晶圆,其他很多厂家还在采用6寸晶圆,因此东芝目前价格肯定是完胜的!这点大家也可以从后续的报价中发现。
2,目前东芝的电机驱动芯片采用的是N+P沟道MOS作为输出,这样相比其他品牌采用N+N的虽然导通电阻会变大,但是会省一个电容,电荷泵!
诚然同样参数大家都懂得,PMOS就会比NMOS要贵!
3,目前东芝和TI在推广QFN封装,相比传统的SOP封装的话,价格会便宜,而且管脚间距会更小,当然价格更有优势,玩过芯片的都知道,QFN的封装是最便宜的。
PCB稍加处理就可以通过底部散热达到更好的散热效果。
4,目前东芝和TI的芯片都能够达到32细分,相比之下,传统的芯片细分数很难达到要求。 |
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