AT24C08读写注意！

carbonxie

定义AT24C02A页
1 0 1 0 A2 A1 A0 R/W
通过P1 P0选择哪个页，一只最多2K
定义AT24C04A页
1 0 1 0 A2 A1 P0 R/W
通过P1 P0选择哪个页，一只最多2K
定义AT24C08A页
1 0 1 0 A2 P1 P0 R/W
通过P1 P0选择哪个页，一只最多2K
一个只可以写16个数据,注：起始地址不能为16的倍数
如：起始地址为:0,则可以一次写16个数据(0~15),读出来
        数据从0~15对应的数据为0~15
        起始地址为:2,则一次写16个数据(0~15),读出来的
        数据从0~15对应的数据为14 15-0~13
        >>>所以首地址要为16的倍数
***************************************/
#define                __AT24Cxx_PAGE0        0xA0        //0~2K...
#define                __AT24Cxx_PAGE1        0xA2        //2~4K...
#define                __AT24Cxx_PAGE2        0xA4        //4~6K...
#define                __AT24Cxx_PAGE3        0xA6        //6~8K...

armstrong

EEPROM是很古老的存储器了，其页编程机制在手册上很强调，属于EEPROM基本知识了。
按照EEPROM不同容量，其页大小也不同。一个START，STOP组合若称为一个编程事务的话，那么一个事务是不允许跨页边界的！

wye11083

armstrong 发表于 2014-10-9 12:59
EEPROM是很古老的存储器了，其页编程机制在手册上很强调，属于EEPROM基本知识了。
按照EEPROM不同容量，其 ...

其实所有支持页写EEPROM都有一个scratchpad（即一小块内存）用于暂存数据。在写命令生效前，该缓存内数据可以随意写，地址虽然也是自增，但是毕竟就这么大点空间，溢出之后就回到开始了。包括DDRx，SDRAM在内都是一块scratchpad+一块超大容量阵列组成的。

armstrong

wye11083 发表于 2014-10-9 13:29
其实所有支持页写EEPROM都有一个scratchpad（即一小块内存）用于暂存数据。在写命令生效前，该缓存内数据 ...

对，你说的就是这些芯片内部的构造；这种构造引出了使用者必须注意的跨页知识点。

烂泥桑

很厉害的感觉