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此电路是移动电源方案，NG和PG通过R9,R10驱动MOS管，开关频率是500KHZ,针对EMI做了如下的解决方案：
1.在SW到GND并了RC，R31=1R，C=4.7nF
2.在VOUT正极加了磁珠（100MHZ，R=400）,同时在磁珠后面加0.1UF的电容
3.在MOS管的GATE上分别加了4.7欧姆的电阻，减缓上升沿的时间
我有疑问请教大家：
1.从测试结果来看是水平不过，有在VOUT加磁柱和0.1 uf，滤差模，是不是就可以判断是共模辐射造成的
2.驱动Mos管的驱动信号(500kHz)还有电感变化的电流和电压容易造成10M的EMI，那么上升沿和下降沿以及振铃造成几百M的EMI，求证是否有此种经验说话
3.电磁辐射到底是怎么辐射能量的，电感产生了电压突变，那么电感就产生磁场就直接辐射到空气中，我想问能量辐射满足什么条件就辐射：1.变化的磁场2.y要有天线。只有两者同时存在才能很强的辐射，在此求证
4.Pcb走线有什么要求没有，驱动mos的信号线该怎么走线
5.四层板该怎么分层，请讲一下 |
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阿莫论坛20周年了！感谢大家的支持与爱护！！
曾经有一段真挚的爱情摆在我的面前，我没有珍惜，现在想起来，还好我没有珍惜……
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发表于 2014-7-22 08:56:15
楼主
