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请帮忙看一下这个H桥驱动电路为什么老烧PMOS管

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出0入0汤圆

发表于 2014-5-24 11:11:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

这是H桥的一半,R0为高低电平信号,3.3V驱动电压, 光耦是EL357。现在是驱动5A左右电机的话,有时会烧PMOS管,管子都加了散热片,烧的管子也不发烫,只是输出电压达不到12V,大概就6-7V,

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出0入0汤圆

发表于 2014-5-24 11:40:30 | 显示全部楼层
确定上下管不会同时导通?

出0入0汤圆

发表于 2014-5-24 12:57:48 | 显示全部楼层
确定上下管不会同时导通?

出0入0汤圆

发表于 2014-5-24 13:00:15 | 显示全部楼层
同意二楼

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2014-5-24 16:24:49 | 显示全部楼层
那有什么方法可以改善一下吗,比如在那个地方加工电容什么的延迟一下开启

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2014-5-24 16:36:19 | 显示全部楼层
这样改会不会好点,因为MCU没有多余的IO脚了,只能用1个IO控制PMOS+NMOS

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出0入8汤圆

发表于 2014-5-24 18:22:59 | 显示全部楼层
这驱动电路本身就有不少问题。  不要被教科书的 mos是电压控制的,不需要电流给坑了。

出0入0汤圆

发表于 2014-5-24 20:23:35 | 显示全部楼层
用示波器看一下,两个MOS管的驱动波形。怕烧MOS管,可以在12V到MOS管那里串个电阻。遇到问题,自已想办法找出故障原因,也是经验的积累哦。

出0入0汤圆

发表于 2014-5-25 10:51:57 | 显示全部楼层
估计是MOS管驱动引起的,Q2的导通时间比较快,Q1因为有个光耦,还有需要确认两个MOS管的电容参数,看看是不是因为Q2导通后Q1没有截止,Q1截止过程的GS电压下降不够果断,处于半导通状态导致Q1损坏
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