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大家都知道SDRAM 时序中有几个重要的延时参数,比如 预充电有效时间,行选通周期,和CAS 潜伏期
最近在学习特权的代码,发现一大堆奇怪的延时参数,比如自动预刷新周期 ...
请问 大家知道它们的意义吗?SDRAM 手册里怎么没有这些东西呢?
// SDRAM时序延时参数
parameter TRP_CLK = 9'd4,//1, //TRP=18ns预充电有效周期
TRCD_CLK = 9'd2,//1, //TRCD=18ns行选通周期
TCL_CLK = 9'd3, //潜伏期TCL_CLK=3个CLK,在初始化模式寄存器中可设置
TRFC_CLK = 9'd6,//3, //TRC=60ns自动预刷新周期
TMRD_CLK = 9'd6,//2, //模式寄存器设置等待时钟周期
TREAD_CLK = 9'd8, //突发读数据周期256CLK
TWRITE_CLK = 9'd8, //突发写数据256CLK
TDAL_CLK = 9'd3; //写入等待 |
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知道什么是神吗?其实神本来也是人,只不过神做了人做不到的事情 所以才成了神。 (头文字D, 杜汶泽)
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