请教：w25x16存储大量动态数据问题

jxcrg_t35

请教各位大侠，利用w25x16准备存储大量工作记录数据，是按上次最后存储的地址开始在往下存储，存储数量不定长，大家有没有很好的思路，同时考虑断电的可能性，谢谢。

jxcrg_t35

自顶自顶自顶自顶自顶

wang80891

，我觉上电检测下一个保存地址，存的时候加校验应该可行。主要是随机读要速度快不知有什么办法。

willX

没看懂楼主意思啊，w25q80和w25q32我都用过，如果你想延长存储器的使用寿命可以使用滚动擦写，它的寿命是按照每位的擦写次数定的。

jxcrg_t35

willX 发表于 2013-5-29 21:07
没看懂楼主意思啊，w25q80和w25q32我都用过，如果你想延长存储器的使用寿命可以使用滚动擦写，它的寿命是按 ...

谢谢回复。请问什么是滚动擦写？怎么实现？

snailmoving

jxcrg_t35 发表于 2014-9-11 00:09
谢谢回复。请问什么是滚动擦写？怎么实现？

W25Q32一直在用，如果擦写不是特别频繁的话，其实寿命是很长很长的。

willX

jxcrg_t35 发表于 2014-9-11 00:09
谢谢回复。请问什么是滚动擦写？怎么实现？

“滚动擦写”是我这么叫的，并没有官方特定的称谓。
就是你用软件控制Flash每一bit为的写入次数。软件实现了均匀的flash磨损。这种磨损控制在SD卡上通常是由SD卡生产商的固件自动平衡的。
我通常使用地址逐一增加，然后回滚的方式平均写入次数的，所以就直接称之为“滚动擦写”了。

willX

snailmoving 发表于 2014-9-11 10:20
W25Q32一直在用，如果擦写不是特别频繁的话，其实寿命是很长很长的。

敢问这位仁兄，“整片擦除”命令需要执行10秒~20秒，这样的问题你是怎么解决了。看到你说你一直在用W25Q32，所以直接冒昧的问了。

jxcrg_t35

willX 发表于 2014-9-12 17:40
“滚动擦写”是我这么叫的，并没有官方特定的称谓。
就是你用软件控制Flash每一bit为的写入次数。软件实 ...

就是按地址自然++1的方式写入，是这样理解码

netting

直接写入就是，每次一个字节，速度够快的了

willX

jxcrg_t35 发表于 2014-9-12 22:34
就是按地址自然++1的方式写入，是这样理解码

是的，没错。

可是我说的问题的关键不是说w25q80的写入方式，
而是想说，为了应对w25q80只有10万次的擦写周期，如何提高w25q80的耐用性的问题。

很多断电自动保存或者实时数据记录的应用中，一两年后可用的擦写周期就用完了，怎么办？到现场换芯片去？重新发板子过去？这都是不允许的设计失误。
所以我想说的就是这样的情况该怎么办。采用“滚动擦写”的方式，写入SPI芯片，可以提高整个IC的擦写耐受程度。但必须声明的是，这样做是以牺牲SPI可用空间为代价的。

2M的存储器，分成上下两个区，这样我只能写1M文件，写上区擦下区，写下区擦上区。
这样，擦写10万次之后，我记录数据却实现了20万次。寿命提升了一倍。

这就是我说的“滚动擦写”了。


另：在公司，我也在大量使用W25q32这个华邦的芯片，但说真的，出货量1K的设备里，总有不到10台左右的设备在半年内出现读取数据错误（这芯片我在应用中不会写入数据），
而写保护的措施，硬件的WP引脚做了处理，软件的写保护命令我也设置了，结果都不理想。现在这种问题还是概率性出现。所以，我现在也很困惑。

ruanxianwu

直接写入就是，每次一个字节，速度够快的了

snailmoving

willX 发表于 2014-9-12 17:42
敢问这位仁兄，“整片擦除”命令需要执行10秒~20秒，这样的问题你是怎么解决了。看到你说你一直在用W25Q3 ...

这要解决什么问题？整片擦除就等点延时呗。