JFET的DS完全对称么？一点不影响？

jade1988 · 发表于 2012-10-1 00:45:24

RT，完全可以互换么？没任何参数影响？

看书看得烦啊！！总是规定P沟道的电流由S到D，N沟道由D到S，看了看结构图，就是完全对称的啊！！

还有假如P沟道电流有S到D，那么决定导通能力的应该是Vgd了而不是Vgs ？

Crazy_Rain · 发表于 2012-10-1 08:15:24

低频JFET的DS可以互换

高频的大部分不行，因为高频JFET的DS物理结构是不一样的

jade1988 · 发表于 2012-10-1 10:22:21

Crazy_Rain 发表于 2012-10-1 08:15
低频JFET的DS可以互换

高频的大部分不行，因为高频JFET的DS物理结构是不一样的 ...

看看JFET的高频小信号模型：

上图是N-jfet的等效模型，看图主要的不同就是Cgs和Cgd，那加入Cgs>Cgd,那么将DS互换高频特性反而更好了？

还有此图中D点电位高于S点，说明D面的沟道是比S那面的窄，用Vgd表示岂不更好，当然这种情况一般假设Vds很小！

Crazy_Rain · 发表于 2012-10-1 10:36:00

jade1988 发表于 2012-10-1 10:22
看看JFET的高频小信号模型：

你这个是小信号模型，跟物理结构以及管子带宽都没有直接联系的

要明白高频JFET的DS为什么不一样，你最好先去了解一下FET的栅阴连接结构，以及这种连接能增加带宽的原理

jade1988 · 发表于 2012-10-1 11:21:23

Crazy_Rain 发表于 2012-10-1 10:36
你这个是小信号模型，跟物理结构以及管子带宽都没有直接联系的

要明白高频JFET的DS为什么不一样，你最好 ...

小信号模型不就间接反映了整个管子的结构么？那个带宽不就是受那两个电容的限制么？

你说的物理结构我再书上没找到只看见了结构示意图，那个栅阴是指什么？

Crazy_Rain · 发表于 2012-10-1 11:50:34

jade1988 发表于 2012-10-1 11:21
小信号模型不就间接反映了整个管子的结构么？那个带宽不就是受那两个电容的限制么？

你说的物理结构我再 ...

就拿你上面那个图来说吧，高频JFET因为DS物理结构的不同，等效的Cgd可以看做是0，这点跟普通JFET不一样

就算不管物理结构，Cgs跟Cgd相差这么大，DS直接互换后的性能肯定也是不一样的

jade1988 · 发表于 2012-10-1 16:14:18

Crazy_Rain 发表于 2012-10-1 11:50
就拿你上面那个图来说吧，高频JFET因为DS物理结构的不同，等效的Cgd可以看做是0，这点跟普通JFET不一样

...

看了一个SST113的手册，Cgs和Cgd几乎一样：

ps：假如不一样，就像我三楼说的“那假如Cgs>Cgd,那么将DS互换高频特性反而更好了？”

这是在书上看到的，它到直接也没分高频低频：

Crazy_Rain · 发表于 2012-10-1 17:34:42

ps：假如不一样，就像我三楼说的“那假如Cgs>Cgd,那么将DS互换高频特性反而更好了？”

不是这样的，因为影响带宽的主角是米勒电容，而不是输入电容

AIHHLI · 发表于 2012-10-1 17:54:43

高频有影响，晶体管电路设计上说的。

smiless · 发表于 2012-10-4 09:18:34

原来高频有区别啊。平时从没注意过。

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