SDRAM突发模式读写是地址线进位问题，小困惑

geff · 发表于 2012-9-4 11:20:05

SDRAM突发模式读写，可以更高效的利用SDRAM,但我发现突发模式也增加了一些不便
SDRAM有两种突发模式Sequential Mode和Interleave Mode,归结起来就根据突发长度，低几位bit的变化方式不同
但这两种方式都不会对高位产生进位
比如：
下面都以Burst Length = 4为准

Sequential Mode下
是首地址逐次加一，(n+1)的方式自动寻找下一个地址位，但是地址线A1不对A2产生进位
比如，2-〉3-〉0-〉1

Interleave Mode
是相对位置比特位取反，A1A0->A1(~A0)->(~A1)A0->(~A1)(~A0)

问题来了，在突发模式下，其实都是以地址0为起始，按照突发长度步进写入的。
这样就和我们一般像法的概念不统一，我们希望以任意起始位置开始，顺序写入数据。
比如起始地址为3，我们写完3，想继续写4，5，6
可是在S Mode下，是3，0，1，2
在I Mode下是3，2，1，0

请问这种情况如何破，有什么简单的方法可以实现突发模式下，任意起始地址顺序读写呢？
集思广益

NJ8888 · 发表于 2012-9-4 11:28:03

本帖最后由 NJ8888 于 2012-9-4 11:29 编辑

换突发地址呀,没法不换写456,结束本次突发进行下次突发.这是SDRAM随机访问弱点,慢呀

liurangzhou · 发表于 2012-9-4 11:30:01

没有办法

kebaojun305 · 发表于 2012-9-4 11:32:16

本帖最后由 kebaojun305 于 2012-9-4 11:45 编辑

用整页突发读写不过我只是使用了 8M的SDRAM。就是使用整页突发读写可以写任意地址（页以内的地址）。

geff · 发表于 2012-9-4 13:53:42

kebaojun305 发表于 2012-9-4 11:32
用整页突发读写不过我只是使用了 8M的SDRAM。就是使用整页突发读写可以写任意地址（页以内的地址）。 ...

整页写的话必须写一整页
我的意思是反而增加了数据量

kebaojun305 · 发表于 2012-9-4 14:58:43

本帖最后由 kebaojun305 于 2012-9-4 15:36 编辑

geff 发表于 2012-9-4 13:53
整页写的话必须写一整页
我的意思是反而增加了数据量

我现在做的就没有写一整页啊使用突发停止命令不过效率低点。最少1个字节（这个1字节是对外部说的内部实际上最少3个字节读写）最大一页 256字节。

sky5566 · 发表于 2012-9-4 17:02:44

一般 4 或 8都使用遮罩DQM

beirvin · 发表于 2013-3-23 15:52:28

楼主你的突发读写好歹也有数据出来，但是我的突发模式下读出来的数据都是一样的，很是郁闷啊！能把你的SDRAM突发读写的源码传上来么？

geff · 发表于 2013-3-26 22:57:08

beirvin 发表于 2013-3-23 15:52
楼主你的突发读写好歹也有数据出来，但是我的突发模式下读出来的数据都是一样的，很是郁闷啊！能把你的SDRA ...

你说的读的数据都一样。
你给说说你的具体情况才能帮你分析。

beirvin · 发表于 2013-3-30 17:29:15

geff 发表于 2013-3-26 22:57
你说的读的数据都一样。
你给说说你的具体情况才能帮你分析。

您终于回贴了……我发过求助帖了，下面这个链接就是我的求助帖，里面有队我的问题的描述！
关于SDRAM突发读写的问题

wangyeqing333 · 发表于 2013-7-15 10:22:36

我最近也在搞sdram驱动，按照楼主的说法，如果突发长度=8，从地址（0,0）开始写入，那么这八个单元被写入的地址各是什么呢

SDRAM突发模式读写是地址线进位问题，小困惑

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