麻烦各位推荐LGT（pwm）可直接驱动的P、N沟道场效应管

jianjun42 · 发表于 2012-8-13 09:39:15

如题，希望用LGT的pwm输出驱动场效应管，却始终找不到3.3V可以直接驱动的管子，如果哪位大侠用到过，麻烦推荐一下，最好是市场上容易买到的，谢谢

HYLG · 发表于 2012-8-13 09:47:25

淘宝上卖的FDN339，大概2-3毛钱。
• 3 A, 20 V.
RDS(ON)= 0.035 Ω @ VGS = 4.5 V
RDS(ON) = 0.050 Ω @ VGS = 2.5 V.

jianjun42 · 发表于 2012-8-13 10:13:37

HYLG 发表于 2012-8-13 09:47
淘宝上卖的FDN339，大概2-3毛钱。
• 3 A, 20 V.
RDS(ON)= 0.035 Ω @ VGS = 4.5 V

谢谢，下了资料，应该还不错，这是N沟道的，请问您有P沟道的型号吗？

HYLG · 发表于 2012-8-13 10:18:24

P管只用过IRF4905和NT2955，不合适你的要求
你可以看下SI4435。

jianjun42 · 发表于 2012-8-13 10:29:49

好的，十分感谢

gzhuli · 发表于 2012-8-13 11:00:41

Si2301/Si2302

jianjun42 · 发表于 2012-8-13 11:35:28

谢谢两位，你们说的型号我都查了，的确可以用，但是上淘宝去买都是几毛钱一片，问了才知道人家原装进口的都是整盘卖的，散卖的都是国产仿冒的，不知道能不能用的住？楼上的朋友用的是哪种？

HYLG · 发表于 2012-8-13 11:38:32

散买的FDN339驱动小马达没问题。

jianjun42 · 发表于 2012-8-13 11:42:06

HYLG 发表于 2012-8-13 11:38
散买的FDN339驱动小马达没问题。

我不是用它驱动马达的，是用来做移动电源的充、放电开关管，由于想用LGT8来直接驱动，所有要求Vgs小，可以3.3V直接驱动，另外导通电阻越小越好，进一步降低损耗

gzhuli · 发表于 2012-8-13 11:46:03

电流多大？

jianjun42 · 发表于 2012-8-13 14:30:41

充电时的电流可以达到2A，放电时至少1.5A

chengzepeng · 发表于 2012-8-13 15:38:05

电压要求不高可以考虑
P管的SI2301，3，5，7
N管的SI2300，2，4，6

gzhuli · 发表于 2012-8-13 15:57:39

电流有点大，已经不能单纯看内阻了，还得看PWM频率。

kation122 · 发表于 2012-8-13 16:12:54

用2301 ，我用国产的 SSF2301 7分钱一个。

jianjun42 · 发表于 2012-8-13 17:59:23

gzhuli 发表于 2012-8-13 15:57
电流有点大，已经不能单纯看内阻了，还得看PWM频率。

我准备用LGT8，30M晶振，测试过，pwm频率30KHZ左右

jianjun42 · 发表于 2012-8-13 18:00:17

kation122 发表于 2012-8-13 16:12
用2301 ，我用国产的 SSF2301 7分钱一个。

多大电流？国产的能用的住吗？

ppa2001 · 发表于 2012-8-13 18:14:33

本帖最后由 ppa2001 于 2012-8-13 18:16 编辑

AO3401 AO3400 1A电流

zxq6 · 发表于 2012-8-13 19:56:21

关注一个。。。。。。。。

gzhuli · 发表于 2012-8-14 00:33:53

jianjun42 发表于 2012-8-13 17:59
我准备用LGT8，30M晶振，测试过，pwm频率30KHZ左右

这个条件比较难满足了，适合MCU直驱的低门限电压MOSFET也就那几个型号，一般都是SOT23封装3A以内的，你做PWM的话峰值电流估计要超，如果用SO8封装的管子Qg又大，MCU推不动。

logicgreen · 发表于 2012-8-14 09:01:51

请教一下，MOS管的开关频率最高可到多少？

jianjun42 · 发表于 2012-8-14 11:02:12

gzhuli 发表于 2012-8-14 00:33
这个条件比较难满足了，适合MCU直驱的低门限电压MOSFET也就那几个型号，一般都是SOT23封装3A以内的，你做 ...

这样看来想用LGT来完成是不太现实了，出于对开发成本的考虑，我只能降而求其次，选择AVR的attiny26了，这样MOS管的选择相对容易的多

gzhuli · 发表于 2012-8-14 11:09:16

jianjun42 发表于 2012-8-14 11:02
这样看来想用LGT来完成是不太现实了，出于对开发成本的考虑，我只能降而求其次，选择AVR的attiny26了，这 ...

其实门限电压还是其次，主要还是驱动能力的问题，任何单片机直接驱动大功率MOSFET频率在10kHz以内比较合适。

gzhuli · 发表于 2012-8-14 11:11:10

logicgreen 发表于 2012-8-14 09:01
请教一下，MOS管的开关频率最高可到多少？

只要驱动电流足够，开关频率数MHz不是问题。

jianjun42 · 发表于 2012-8-14 11:18:39

gzhuli 发表于 2012-8-14 11:09
其实门限电压还是其次，主要还是驱动能力的问题，任何单片机直接驱动大功率MOSFET频率在10kHz以内比较合 ...

您指的驱动能力是什么？驱动电流吗？MOS管应该是电压驱动型器件吧？如果开关频率定在10KHZ以内开关管的损耗会很大吧？还有就是储能电感的体积也会很大

gzhuli · 发表于 2012-8-14 11:30:01

jianjun42 发表于 2012-8-14 11:18
您指的驱动能力是什么？驱动电流吗？MOS管应该是电压驱动型器件吧？如果开关频率定在10KHZ以内开关管的损 ...

MOSFET栅极相当于个大电容，往电容充放电需要一定的电流和时间才能达到某个电压，开关速度越快需要的电流就越大，功率越大的MOSFET栅极输入电容也越大。

jianjun42 · 发表于 2012-8-14 11:31:29

gzhuli 发表于 2012-8-14 11:30
MOSFET栅极相当于个大电容，往电容充放电需要一定的电流和时间才能达到某个电压，开关速度越快需要的电流 ...

学习了，谢谢

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