EEPROM数据丢失，怎么防止？

jazsmile · 发表于 2012-7-27 09:40:31

原来打算对存入eeprom的这段数据进行crc校验，即读时对crc进行一次验证，正确才取结果。结果发现还是存在一些问题。

详细很多人用eeprom存数据，有什么好办法减少数据丢失？

jazsmile · 发表于 2012-7-27 10:01:18

另外：用全局变量来保存程序中的标识位，掉电时对这些数据写入eeprom；开机时读取eeprom的数据。

咨询：单片机掉电时，能对eeprom写多少字节呢？掉电监测的中断使能如何开启。

jazsmile · 发表于 2012-7-27 10:03:10

我用的是 atmega16，掉电保护还需另外附加硬件吗？

jazsmile · 发表于 2012-7-27 10:06:23

查到的：

我的经验你可以参考：用int0的端子当掉电检查，当int0进入中断的时候你要停掉一切的工作，让后把EEPROM的所有要保存的byte 写入，电容用金电容，0.22uF 够你写150bytes

,参考一下了:)

jazsmile · 发表于 2012-7-27 10:09:47

atmega16，掉电保护的熔丝有什么作用？

jazsmile · 发表于 2012-7-27 10:24:11

作为一个正式的系统或产品，当系统基本功能调试完成后，一旦进行现场测试阶段，请注意马上改写熔丝位的配置，启用AVR的电源检测（BOD）功能。

对于5V系统，设置BOD电平为4.0V；对于3V系统，设置BOD电平为2.7V。然后允许BOD检测。

这样，一旦AVR的供电电压低于BOD电平，AVR进入RESET（不执行程序了）。而当电源恢复到BOD电平以上，AVR才正式开始从头执行程序。保证了系统的可靠性！

原因分析如下：

AVR是宽电压工作的芯片，当电压跌至2.5V，系统程序还能工作。这是有2个可怕的现象可能出现，

1。外围芯片工作已经混乱，AVR读到的东西不正确，造成程序的执行发生逻辑错误（不是AVR本身的原因）。

2。当电源低到临界点，如2.4V时，并且在此互上互下的，AVR本身的程序执行也不正常，取指令、读数据都可能发生错误，或程序乱飞、不稳定（AVR本身的原因，实际任何的单片机都是这样的），非常容易造成EEPROM、FALSH的破坏。有人问51怎么不会？实际上51也是这样，只是51内部没有直接写EEPROM、FLASH的指令，它的程序乱飞留不下痕迹。还有人有疑问：外挂EEPROM，掉电时怎么不会改写？实际是外挂EEPROM，当电压低于4V（2.7V）时，它已经不工作了，程序去改内容也改不了。而AVR内部的东西在临界电压时都能工作，但非常不稳定。

AVR的BOD功能必须要使用，我早期使用51时，凡是产品外部都要使用电源监测芯片，现在AVR自己本身就有该功能，一定要使用。

这些教课书上是没有的。
本主题由 machao 于 2012-4-3 11:18 添加图章精华

jazsmile · 发表于 2012-7-27 10:25:42

看来bod是用于复位的。

要另外加电路来实现掉电保护。

谁有掉电保护电路？是否是在电源供电下拉一个金电容？

jazsmile · 发表于 2012-7-27 10:30:35

发表于 2005-11-17 17:56:48 |只看该作者
关机再开机后eeprom中的数据仍然丢失的情况,我极少遇到，我采取了三重备份的方式进行自动纠错。

我也是3备份加CRC校验。目前没有发现丢数据的，不过都是用在干扰不强的地方。
---------------------------------这个人狠。。

sanliu85 · 发表于 2012-7-27 11:27:09

只能备份一份，万一丢失可以恢复一下

acmilannast · 发表于 2012-7-27 12:24:13

我也是3备份加CRC校验。目前没有发现丢数据的，不过都是用在干扰不强的地方。电能表上的电能计量数据基本这个以上

jazsmile · 发表于 2012-7-28 12:21:42

谢谢大家。

我的思路是用全局变量记录需要备份的数据，根据需要定期对数据写入eeprom。主要担心对eeprom操作次数过大。

另外：掉电如何检测？因为有人说用金电容，可在掉电瞬间向eeprom写150字节。

qxwan250 · 发表于 2012-7-28 16:53:48

我们用仪器做强干扰，E2数据会丢，真的想找一个可以预防的方法。。。。。。。我认为那个CRC还是起不到太大的作用。因为干扰一般都是由于电压骤降或者是CPU直接无法工作等产生。我现在做了好长时间的测试。。。。

jazsmile · 发表于 2012-7-28 16:55:49

qxwan250 发表于 2012-7-28 16:53
我们用仪器做强干扰，E2数据会丢，真的想找一个可以预防的方法。。。。。。。我认为那个CRC还是起不到太大 ...

是啊，如果数据丢失了，系统会跑错的。

打算用掉电保护来控制。

shenarlon · 发表于 2012-7-28 20:45:19

重要的还是电源问题！只要把电源这一关做好EEPROM的数据就不会丢

jazsmile · 发表于 2012-7-28 22:39:57

shenarlon 发表于 2012-7-28 20:45
重要的还是电源问题！只要把电源这一关做好EEPROM的数据就不会丢

谢谢。

我的是电瓶供电，还是发生过2次eeprom数据丢失现象。

qxwan250 · 发表于 2012-7-29 21:05:53

jazsmile 发表于 2012-7-28 16:55
是啊，如果数据丢失了，系统会跑错的。

打算用掉电保护来控制。

这个也只是解决的一方面。。。。我认为主要的还是做好产品原理图设计，器件选型，最重要的是PCB板的布局，，，，，非常重要，我的经验

qxwan250 · 发表于 2012-7-29 21:07:56

jazsmile 发表于 2012-7-28 22:39
谢谢。

我的是电瓶供电，还是发生过2次eeprom数据丢失现象。

我认为电源这一个方面，需要从两个方面考虑。。。。。。你是由辅助电源带来的干扰还是电炉内部（电源）产生的，这个非常重要。。。。。这样才能根据具体问题解决具体问题。

jazsmile · 发表于 2012-7-29 22:25:58

qxwan250 发表于 2012-7-29 21:07
我认为电源这一个方面，需要从两个方面考虑。。。。。。你是由辅助电源带来的干扰还是电炉内部（电源）产 ...

谢谢。

原因未知。只能逐步试验了。当然加上掉电保护更好。

i55x · 发表于 2012-7-29 23:31:42

开brownout！

jazsmile · 发表于 2012-7-30 17:39:08

i55x 发表于 2012-7-29 23:31
开brownout！

不懂你的意思。

qxwan250 · 发表于 2012-8-1 09:56:26

jazsmile 发表于 2012-7-29 22:25
谢谢。

原因未知。只能逐步试验了。当然加上掉电保护更好。

可以的，就是去慢慢的做实验

foxpro2005 · 发表于 2012-8-1 10:10:11

建议楼主，再去好好看看马潮老师的那本书（第17章）。

jazsmile · 发表于 2012-8-1 16:26:38

foxpro2005 发表于 2012-8-1 10:10
建议楼主，再去好好看看马潮老师的那本书（第17章）。

谢谢！！

sunseas · 发表于 2012-8-1 17:31:36

掉电检测电平设为4.0V。（BODLEVEL=0）
使能掉电检测。(BODEN=1)
从来没有发生过EEPROM丢失的问题。不知为何论坛这么多人发生这个问题。
我用EEPROM存储设备的累积使用时间，2年中无一台出现问题。

jazsmile · 发表于 2012-8-2 11:17:08

sunseas 发表于 2012-8-1 17:31
掉电检测电平设为4.0V。（BODLEVEL=0）
使能掉电检测。(BODEN=1)
从来没有发生过EEPROM丢失的问题。不知为 ...

谢谢！

目前我的系统供电是3.3v，主要是SPI通讯的几个芯片是3.3v。

看来要修改电路改成5v了。

请问：你的掉电保护检测电路是怎样设计的，谢谢！！

sunseas · 发表于 2012-8-2 13:15:41

本帖最后由 sunseas 于 2012-8-2 13:18 编辑

jazsmile 发表于 2012-8-2 11:17
谢谢！

目前我的系统供电是3.3v，主要是SPI通讯的几个芯片是3.3v。

3.3伏供电，掉电电平设为2.7就行了。
我没有掉电检测电路，AVR内部完成的。

更正上面24楼帖子（使能掉电检测。(BODEN=0)）

jazsmile · 发表于 2012-8-2 13:39:01

sunseas 发表于 2012-8-2 13:15
3.3伏供电，掉电电平设为2.7就行了。
我没有掉电检测电路，AVR内部完成的。

谢谢！

是不是掉电时写入eeprom？

我一直认为掉电保护是让系统重启？

对eeprom操作，用全局变量保存需要保存的数据，定期保存数据到eerpom。如果能检测掉电，则在掉电瞬间才保存数据，其余时间不保存到eeprom。减少对eeprom的操作。

jazsmile · 发表于 2012-8-2 14:05:30

sunseas 发表于 2012-8-2 13:15
3.3伏供电，掉电电平设为2.7就行了。
我没有掉电检测电路，AVR内部完成的。

请问你对 eeprom保存的数据处理的思路是什么？

谢谢！

sunseas · 发表于 2012-8-2 16:19:36

本帖最后由 sunseas 于 2012-8-2 16:23 编辑

你得原帖：
“原来打算对存入eeprom的这段数据进行crc校验，即读时对crc进行一次验证，正确才取结果。结果发现还是存在一些问题。
详细很多人用eeprom存数据，有什么好办法减少数据丢失？”

eeprom保存的数据处理的思路是什么？我不是很理解你的意思。
eeprom就是存数据的，还要什么思路？ IAR或CVAVR都会安全读写EEPROM，哪里有那么复杂？eeprom本身在单片机中就是个成熟的技术，怎么会那么容易丢失数据？可惜我真的没发现。
100来台机器，用EEPROM存储密码，累计时间，2年多也没发现过，没有用什么掉电保护电路！
就是熔丝设定了
掉电检测电平设为4.0V。（BODLEVEL=0）（如果你是3.3V电压就设2.7V）
使能掉电检测。(BODEN=0)

jazsmile · 发表于 2012-8-9 22:33:14

sunseas 发表于 2012-8-2 16:19
你得原帖：
“原来打算对存入eeprom的这段数据进行crc校验，即读时对crc进行一次验证，正确才取结果。结 ...

谢谢。
我的意思是需要保存的数据，变化1次就保存到eeprom吗？

希望通过掉电保护电路，即开机读取eeprom数据，掉电才保存到eerpom，这样减少对eeprom操作的次数。

118139 · 发表于 2012-8-9 23:21:50

本帖最后由 118139 于 2012-8-9 23:23 编辑

我以前试了一下，上电读取EPPROM内容用LED灯来表示正确与否
然后不断拔插电源8，9次测试
结果是
十个片子，就会有3片会出现EPPROM内容读出错，再具体检查是EPPROM 区的所有数据全乱。。

可靠一点做法
上电时程序开头延时250ms 后就再也没出错，不管快速拔插多少次。。
有的片子延时200ms以下，还是会出现读出错。。
而有的片子却不会。。。
不尽相同。。

jazsmile · 发表于 2012-8-10 10:24:54

118139 发表于 2012-8-9 23:21
我以前试了一下，上电读取EPPROM内容用LED灯来表示正确与否
然后不断拔插电源8，9次测试
结果是

谢谢你提供的思路！！

leicai05 · 发表于 2012-8-10 11:02:40

个人建议数据量多，还是用外部存储吧，用i2c的或者spi总线的都不错，而且可靠省事省心
用内部eeprom多是存储个别设置参数，掉了恢复到默认值即可，对系统损伤不大。

jazsmile · 发表于 2012-8-10 20:32:31

leicai05 发表于 2012-8-10 11:02
个人建议数据量多，还是用外部存储吧，用i2c的或者spi总线的都不错，而且可靠省事省心
用内部eeprom多是存 ...

非常感谢。

也打算这样做了。

qxwan250 · 发表于 2013-10-15 16:07:30

jazsmile 发表于 2012-7-28 16:55
是啊，如果数据丢失了，系统会跑错的。

打算用掉电保护来控制。

只有做好电源了，你还有好的方法。。。。。

marx · 发表于 2013-10-15 16:16:54

真能扯，AVR开了BOD还会丢EEPROM里面的数据？

qxwan250 · 发表于 2013-10-15 16:17:26

sunseas 发表于 2012-8-2 16:19
你得原帖：
“原来打算对存入eeprom的这段数据进行crc校验，即读时对crc进行一次验证，正确才取结果。结 ...

那只能说明你做的实验比较少，，例如EMC（电快速脉冲群）实验。我们做实验时，AVR内部E2的数据会被修改。。。甚至是超出测量范围而导致产品功能不正常。特别是有通讯且带有客户写功能的产品。受到干扰就会出错。。。

qxwan250 · 发表于 2013-10-15 16:18:40

marx 发表于 2013-10-15 16:16
真能扯，AVR开了BOD还会丢EEPROM里面的数据？

有啊，我就遇到过

marx · 发表于 2013-10-15 16:20:12

qxwan250 发表于 2013-10-15 16:18
有啊，我就遇到过

08年以后的事情吧？以前的AVR过EMC很轻松的。

qxwan250 · 发表于 2013-10-15 16:29:02

marx 发表于 2013-10-15 16:20
08年以后的事情吧？以前的AVR过EMC很轻松的。

恩恩,去年遇到过，，，那以前的片子和现在的有什么区别。。。还有现在买的168比8的芯片刷写程序慢。。。但是抗干扰很好

marx · 发表于 2013-10-15 16:34:23

qxwan250 发表于 2013-10-15 16:29
恩恩,去年遇到过，，，那以前的片子和现在的有什么区别。。。还有现在买的168比8的芯片刷写程序慢。。。 ...

Atmel在那一年推出了改进工艺版本的A版，以后推出的芯片也按新工艺来做，就是降低die面积来降低成本。当时这个论坛一片哭爹喊娘，本来好用的板子换了尾缀A的板子就不好使了，板子本身设计的烂就靠AVR的强壮挺着，当AVR不强壮了就原形毕露了。

mydows · 发表于 2013-10-15 16:52:38

专门做过试验通电9秒断电1秒，大约有上万次吧。
1。BOD必须开启
2。上电延时操作（不开BOD这个没有用，实际有没有效果不知道，反正我是延时了）
3。存储区最前部保留几个字节（实验的时候没有发现这个区被改写过）
4。双备份crc
采用以上四项还是有被改写，但少很多了。
一个问题：读EEPROM时不关中断，能改写EEPROM中的数据么？

EEPROM数据丢失，怎么防止？

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