有没有人用ir2110 ir2103驱动NMOS桥呀，说说心得好么

liulang_80 · 发表于 2005-9-27 19:23:59

我一直没理解它的原理，pdf上说高端的栅极电压要高于高端的MOS的漏极电压，为什么呀？？

还有IR为什么出那么多种驱动芯片，2110和2103在驱动上有什么区别？

darktiger · 发表于 2005-9-28 08:47:26

关键的自举二极管速度要快！至少是500ns，我一般用75ns一下的！耐压一定要够！！自举电容也要快，不能用电解的，要用无感的！容量一般是0.1uf-1uf！

占空比<95%

STM32_PLC · 发表于 2005-9-28 22:45:09

自己二极管100-200ns基本就够了，耐压一般取你的环境电压的2倍以上，自举电容要求必须有足够的容量建议1uf以上，可以使用电解电容但是必须并联一个高速的小电容（CBB,钽电容）我自己有一台驱动器，我做到了占空比100%，持续时间2-3秒，保持驱动能力（100uf电解电容并4.7uF钽电容），但是必须给与足够的充电时间。

darktiger · 发表于 2005-9-29 15:39:54

楼上的：

只能在2-3s时间内保持100%那就不是100%占空比了！！

100%占空比是能在任意时间内，比如1小时！！你那样的电容充电时间怎么也要几个us吧！而且充电瞬间电流也很大吧，对二极管存在威胁！

自己做错了不要紧，但是拿出来误导别人就是你的不对了！

3楼的不厚道！我们的伺服驱动器都是用0.2uf的自举电容！占空比最大设置的是90%

ir代理还推荐我用0.1uf的电容呢！因为一般的管子控制级电容很少超过0.01uf，也就是10000pF

appleboy · 发表于 2005-9-29 15:58:58

我目前用１uF,

这个和频率应该有关系吧！

liulang_80 · 发表于 2005-11-3 10:19:43

谢谢指教

STM32_PLC · 发表于 2005-11-12 09:48:10

darktiger 扌丸着真心人

你跟我有仇啊！

请你自己仔细阅读IR的应用手册，各元件的选用和占空比、载波频率有根本关系的，外围还有各类保护电路。相信你肯定没有仔细阅读。特别是限电流的保护电路！还有就是关于自举电容的计算上，一定没有仔细算一下吧！关于电解电容的使用，应用手册里也有相应的说明，没看过就不要瞎掰！

在不同的应用环境有不同的参数选择，我选用这样的参数是因为我的系统需要这样使用，你的参数在我这里不对，我的参数在你那里同样也是不对的。

另外说一句，你确实有钱，你用的二极管和电容比我的贵很多，感觉有点浪费！

SUN0_LIANG · 发表于 2005-11-14 17:17:55

吵架不必要！！！

自举电容越大，放电时间越长,但充电时间也越长,而且,一般大电容的漏电流也越大.合适即可.持续时间达到2-3秒说"占空比100%"亦无不可!!

二极管速度当然越快愈好了,不过要加限流-10欧左右.

darktiger · 发表于 2005-11-16 11:14:04

trinove兄别生气！我来说一下我为什么不用那么大电容的原因！

其实我用电容就是普通的电容，比电解的便宜的多！！

如果用100uf的电容，那刚上电的时候，电容要通过低端的MOS来充电的！

假设充电到12v（一般是12v-15v）那么用100a的电流充电还要充10us

当然由于电源内阻和电路电阻的原因，充电电流不可能这么大，但是这么大的电流和这么长的时间

肯定多mos是有危害的！

还有如果把过流保护做在低端，上电时肯定会误触发过流保护！

还有在实践中，我发现电容的电压下降不是gs的漏电流（因为他太小了）造成的，主要是电容本身的漏电问题！

用小电容的好处体积小价钱低对mos危害很小！

我见过的最大电容是47uf（一个国产的东西，也是就是你的哦）

进口的电容最大的是摆格拉的一个东西用的是4.7uf的（但不是电解，当然也不是钽电解）

二极管倒是还见过500ns的！但是我总觉得价格差别不大，为什么我们不用更快的呢！

our_avr · 发表于 2008-2-28 09:08:14

最近正在用这个东西控制一个有刷电动机。但是经常上电的时候烧后面的功率器件。。不知道各位有什么建议啊。。
自居电容是4。7UF/50F。二极管是4148。2103的电压是12V。后面的功率管是ST60N06。电动机的工作电压是24V。外面我接的电源电压是30V。请问是什么原因？？帮忙分析分析。

我用示波器观察了下，在上电的瞬间，IR2103的H有一个瞬间的高电位。L脚一直是高电平。其输入信号全部是底“0”信号。不知道是什么原因。

our_avr · 发表于 2008-2-28 09:36:29

对了PWM的频率是10KHZ。

用示波器观察不管怎么换电容在上电的瞬间H和L都有一个是高电平。。感觉非常奇怪。。还望指点

our_avr · 发表于 2008-2-28 12:41:11

怎么，陈年老贴就没有人搭理了啊。。

hncsxzj · 发表于 2008-4-14 13:50:51

我来说说
好像是上电时下半桥必须导通一下，让电容充电

anxiangbo · 发表于 2009-6-9 08:05:22

记号

flyerhacker · 发表于 2009-8-1 11:31:52

我正在研究

打算用主动升压或者隔离电源给上MOS供电

这样可以100@的PWM 1年内没问题的

可以关注一下，电路暂时还没发

http://www.ourdev.cn/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3491311&bbs_page_no=1&search_mode=3&search_text=fHimemhacker&bbs_id=9999

alucard · 发表于 2009-8-20 10:44:41

牛人再做个总结吧，还是很迷茫！

guojielong777 · 发表于 2009-8-21 15:43:47

mark
````````

OHYEAH · 发表于 2009-8-22 08:51:15

MARK
学习一下！！！

wuyacjj · 发表于 2010-1-12 10:11:36

mark

wuly · 发表于 2010-1-12 10:22:09

回复【14楼】fHimemhacker F.H.
我正在研究
打算用主动升压或者隔离电源给上MOS供电
这样可以100@的PWM 1年内没问题的
可以关注一下，电路暂时还没发
http://www.ourdev.cn/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3491311&bbs_page_no=1&search_mode=3&search_text=fHimemhacker&bbs_id=9999
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这样没有必要使用这类芯片了，可以考虑光耦驱动

haso2007 · 发表于 2010-1-12 13:37:10

一定要好好读读IR的设计文档才能选好电容与二极管。
IR的AN978一定要好好读读。

neil · 发表于 2010-8-19 13:45:51

哦，哎。最近正在做个小东西没想到就卡到这里了！郁闷啊！

cuzn · 发表于 2010-10-26 20:57:56

关注ing
还有多谢
haso2007 错别字－妹影
原来还有这官方文件啊，我就看2110上说要参考相关文档了，当时也没注意，整了半天在这儿那！

igetang · 发表于 2010-11-14 10:54:06

mark

abcdzhy · 发表于 2011-1-19 00:15:29

mark

justing88 · 发表于 2011-3-5 10:44:34

回复【2楼】STM32_PLC
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自举电容要求必须有足够的容量建议1uf以上，可以使用电解电容但是必须并联一个高速的小电容（CBB,钽电容）？？
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这是为什么？？胆电容的高速有什么作用吗？？还烦请教啊

justing88 · 发表于 2011-3-5 11:10:19

回复【3楼】darktiger 扌丸着真心人
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你好，关于你说充电瞬间电流，我很感兴趣，瞬间电流如何计算，电容值越大，瞬间电流越大，他们之间有没有一个等量关系呢？？还烦赐教

szy494468597 · 发表于 2011-3-30 21:31:23

对2103驱动MOSFET 还是有很多不理解

lin514759213 · 发表于 2011-4-19 10:11:43

有人懂吗？我那个问题

syq1989. · 发表于 2011-8-1 14:26:38

还是不懂

夏日么么茶 · 发表于 2012-8-26 16:37:11

不懂呢啊

xfdr · 发表于 2012-10-10 16:51:02

来学习一下，一在弄这个2110

苹果电子 · 发表于 2012-11-7 20:54:34

功率管要Vgs>阀值电压才能导通，

苹果电子 · 发表于 2012-11-7 21:02:26

our_avr 发表于 2008-2-28 09:36
对了PWM的频率是10KHZ。

用示波器观察不管怎么换电容在上电的瞬间H和L都有一个是高电平。。感觉非常奇怪。 ...

Hin和Lin为0，Ho为0，Lo为1

笑傲江湖 · 发表于 2013-8-13 00:07:08

有没有人用ir2110 ir2103驱动NMOS桥呀，说说心得好么

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