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回复: 7

flash 是不是需要连续写一个快?

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出25入84汤圆

发表于 2011-6-8 13:21:32 | 显示全部楼层 |阅读模式
比如一个快地址为0x0000-0x1fff 那么写的时候可以指定其中的任意地址吗?

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知道什么是神吗?其实神本来也是人,只不过神做了人做不到的事情 所以才成了神。 (头文字D, 杜汶泽)

出0入0汤圆

发表于 2011-6-8 13:36:41 | 显示全部楼层
STC的不行,但AVR的可以的,STC的可以考虑做一个镜像,AVR可以指定单个地址,是"真正"的EEPROM,STC只是开辟了一个FLASH区。

出25入84汤圆

 楼主| 发表于 2011-6-8 13:52:03 | 显示全部楼层
回复【1楼】xjjiang  
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我用的是fpga,现在想控制一个FLASH,但好像写的时候不能按地址写,只能按块写,比如在第一个块中基地址写1个字节数据,然后在基地址+1 中写入1个字节地址,那么第一个字节数据就会被覆盖。真的是必须连续的写入一个快吗?  那么读的时候可不可以按地址读呢?

出0入0汤圆

发表于 2011-6-8 13:55:18 | 显示全部楼层
Flash没有此要求,但不排除个别特殊型号有要求。
可以任意地址读,可以任意地址写,但是写入之前必须被擦除。

出0入0汤圆

发表于 2011-6-8 15:06:51 | 显示全部楼层
说说我自己的理解,可能有错误的地方,仅供参考
flash内部存数据全是由0、1表示的,擦除我记得就是将flash的某一块全部重置为1,写的时候就是将指定位置的1改变为0,所以理论上只要你在同一块内写的东西不需要将已经改变为0的部分重置为1,那么其实是可以实现在同一块内连续写数据的。
我记得flash是可以按地址写的。

出25入84汤圆

 楼主| 发表于 2011-6-8 16:38:00 | 显示全部楼层
回复【4楼】Paul.Jia  贾鹏
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EEPROM是按字节写的 flash貌似不是吧
有人说 这是两者的区别

出0入0汤圆

发表于 2011-6-8 16:56:08 | 显示全部楼层
这么简单的 问题哦

nor flash 可以按地址写,写一个字节都可以。跟内存差不多。

nand flash 要先擦除一个块,然后写得话,要写满整个页(一个块有几个页)

然后一般每页都有多余的地方写本页的 校验码。

读取nand flash 按页读取。

出0入0汤圆

发表于 2011-6-8 22:25:54 | 显示全部楼层
回复【6楼】maxbiger
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nor flash 与 nand flash的区别,谢谢指明
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