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IRF540N内的二极管是稳压二极管?难道不是用来续流的二极管吗,还是既有稳压的作用又有

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出0入0汤圆

发表于 2011-4-1 14:13:16 | 显示全部楼层 |阅读模式
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IRF540N内的二极管是稳压二极管?难道不是用来续流的二极管吗,还是既有稳压的作用又有续流的作用?


(原文件名:IRF540N.jpg)

阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

曾经有一段真挚的爱情摆在我的面前,我没有珍惜,现在想起来,还好我没有珍惜……

出0入0汤圆

发表于 2011-4-1 14:51:23 | 显示全部楼层
IR公司做每一个MOS管的时候,“赠送”你的
免费,不另收费的

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-4-1 14:52:41 | 显示全部楼层
回复【1楼】wanyou132  白水
ir公司做每一个mos管的时候,“赠送”你的
免费,不另收费的
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我问的是这个二极管是什么性质的?稳压作用的还是?

出210入8汤圆

发表于 2011-4-1 14:59:20 | 显示全部楼层
这是生产工艺造成的。
漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极管。模拟电路书里讲的就是小功率MOS管的结构,所以没有这个二极管。


懒得打字,百度一下吧,很多这个解释的。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-4-1 15:11:18 | 显示全部楼层
回复【3楼】csg0203  电子小工
这是生产工艺造成的。
漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。小功率mos管例如集成芯片中的mos管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极管。模拟电路书里讲的就是小功率mos管的结构,所以没有这个二极管。
懒得打字,百度一下吧,很多这个解释的。
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难道不是特意为了驱动大的感性负载用作续流而做上去了吗?

前几天上课老师说到IRF540N里的这个二极管是稳压二极管,当时没在意,现在想想头晕了~~

出0入0汤圆

发表于 2011-4-1 15:15:07 | 显示全部楼层
哦,原来如此

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-4-1 15:15:53 | 显示全部楼层
回复【5楼】taotaoliu  
哦,原来如此
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什么啊?你知道了?

出0入0汤圆

发表于 2011-4-1 15:52:52 | 显示全部楼层
有放静电作用。。。

出0入0汤圆

发表于 2011-4-1 16:42:41 | 显示全部楼层
我看很多MOS的这个寄生二极管续流能力很强啊,一般都和MOS本身的电流相当,而且恢复时间也快,也有看过在外部再次加一个二极管的,但是很占体积啊,我一直没加,也看过很多没加的,是不是可以利用这个当做续流管呢?很多老师都解释不清楚的。。。。

出0入362汤圆

发表于 2011-4-1 16:49:40 | 显示全部楼层
回复【8楼】solyp  李
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某本讲开关电源的书上说过,体二极管反向恢复是很慢的,快速开关的场合必须外并一个肖特基二极管。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-4-1 17:44:03 | 显示全部楼层
回复【8楼】solyp  李
我看很多mos的这个寄生二极管续流能力很强啊,一般都和mos本身的电流相当,而且恢复时间也快,也有看过在外部再次加一个二极管的,但是很占体积啊,我一直没加,也看过很多没加的,是不是可以利用这个当做续流管呢?很多老师都解释不清楚的。。。。
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恩~~
问了下老师,有如下结论
MOSFET是逆导元件,一般的续流能力与MOS本身的电流相当。
一般的中小功率的MOSFET,里的二极管做了稳压管,如上面的IRF540N。
而一般的大功率的MOSFET或IGBT里面的二极管是个二极管,如下图一样:

(原文件名:dfadf.jpg)

出0入127汤圆

发表于 2011-4-1 17:59:26 | 显示全部楼层
回复【9楼】tomzbj
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相对于快恢复二极管和肖特基来说是慢了点  所以在同步整流电路中就会并联一个肖特基管子,以降低管子的功耗

出210入8汤圆

发表于 2011-4-1 18:28:39 | 显示全部楼层
回答你的问题:
1.不是稳压管,不能当稳压管用;
2.再者,就算这个能续流,但是反向回复时间慢,效率低,所以也别想着用这个来代替外面的肖特基了

出0入0汤圆

发表于 2011-4-1 18:39:30 | 显示全部楼层
你们老师可真……
这个二极管是由于工艺原因产生的。就好比三极管的两个PN结一样。你不能用两个三极管做桥式整流,同样也不能用MOS这个体二极管做整流。至于稳压……那更是无稽之谈。尽管在手册上符号很像咱们国家规定的稳压管,但是请注意,那并不是稳压管。
除非特别设计的同步整流用mos管,否则这个体二极管是不能用的。尤其是在高频开关的时候。
这个体二极管的Trr多数都超过100ns,在高电压的管子中,甚至会超过500ns。
所以,请忘记这个体二极管的存在吧。他只是人们不想要,但是不得不接受的一个结果。

出0入0汤圆

发表于 2011-4-1 18:43:59 | 显示全部楼层
这是由于其结构产生的等效二极管,不是稳压二极管,你就是不想要也得要

出0入0汤圆

发表于 2011-4-1 18:57:55 | 显示全部楼层
回复【13楼】nano  纳诺
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原来是这样,一直以为是保护管子而特别加的稳压管......偶真没文化.丢脸啊.......裸奔中....

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-4-2 08:23:51 | 显示全部楼层
回复【13楼】nano  纳诺
你们老师可真……
这个二极管是由于工艺原因产生的。就好比三极管的两个pn结一样。你不能用两个三极管做桥式整流,同样也不能用mos这个体二极管做整流。至于稳压……那更是无稽之谈。尽管在手册上符号很像咱们国家规定的稳压管,但是请注意,那并不是稳压管。
除非特别设计的同步整流用mos管,否则这个体二极管是不能用的。尤其是在高频开关的时候。
这个体二极管的trr多数都超过100ns,在高电压的管子中,甚至会超过500ns。
所以,请忘记这个体二极管的存在吧。他只是人们不想要,但是不得不接受的一个结果。
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这样啊,非常感谢啊~~~
我们老师真是。。。。。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-4-2 08:24:28 | 显示全部楼层
回复【15楼】LM1876  沉默的羔羊
回复【13楼】nano  纳诺
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原来是这样,一直以为是保护管子而特别加的稳压管......偶真没文化.丢脸啊.......裸奔中....
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原来跟你的想法一样

出0入0汤圆

发表于 2011-4-2 09:12:18 | 显示全部楼层
回复【13楼】nano  纳诺
你们老师可真……
这个二极管是由于工艺原因产生的。就好比三极管的两个pn结一样。你不能用两个三极管做桥式整流,同样也不能用mos这个体二极管做整流。至于稳压……那更是无稽之谈。尽管在手册上符号很像咱们国家规定的稳压管,但是请注意,那并不是稳压管。
除非特别设计的同步整流用mos管,否则这个体二极管是不能用的。尤其是在高频开关的时候。
这个体二极管的trr多数都超过100ns,在高电压的管子中,甚至会超过500ns。
所以,请忘记这个体二极管的存在吧。他只是人们不想要,但是不得不接受的一个结果。
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如果用这个寄生的二极管做感性负载续流用途呢? 续流能力和本身MOS管相当吗?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-4-2 12:56:08 | 显示全部楼层
回复【18楼】tfdsensor  毛毛虫
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这个应该是相当的~~

出0入0汤圆

发表于 2011-4-4 11:33:28 | 显示全部楼层
回复【12楼】csg0203  电子小工
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2.再者,就算这个能续流,但是反向回复时间慢,效率低,所以也别想着用这个来代替外面的肖特基了

这个恢复时间是很短的啊,跟肖特基的水平都相当的

4310 (原文件名:4310.png)

例如图上这个IRFP4310的二极管参数,恢复时间只有40ns,肖特基比这快么?

出0入0汤圆

发表于 2011-4-6 13:50:38 | 显示全部楼层
你可以查看一下我前面发过的关于二极管的资料。里面专门有肖特基的分类。看看那个正牌的肖特基会给出Trr这个参数。
另外,能不能用要看具体的设计。比如前面有人问的感性负载继流,这个是可以的。
还有要注意,mos的正向导通与阻断同反向导通与阻断差异很大。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-4-6 14:25:43 | 显示全部楼层
回复【20楼】solyp  李
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看来,内部的性能也不错嘛

出0入0汤圆

发表于 2011-4-6 18:56:30 | 显示全部楼层
低压的管子。还有比这指标更好的呢。不过实际用途不大。

出0入0汤圆

发表于 2011-4-6 20:04:45 | 显示全部楼层
买一送一!

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-4-7 09:34:13 | 显示全部楼层
回复【23楼】nano  纳诺
低压的管子。还有比这指标更好的呢。不过实际用途不大。
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能帮我看看这个贴子吗?
http://www.ourdev.cn/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=4656389&bbs_page_no=1&search_mode=3&search_text=ssclark&bbs_id=9999

出0入663汤圆

发表于 2011-4-7 11:35:18 | 显示全部楼层
回复【20楼】solyp 李
回复【12楼】csg0203  电子小工
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例如图上这个irfp4310的二极管参数,恢复时间只有40ns,肖特基比这快么?

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肖特基没有反向恢复时间。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-4-7 15:49:49 | 显示全部楼层
回复【26楼】gzhuli  咕唧霖
回复【20楼】solyp 李
回复【12楼】csg0203  电子小工
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例如图上这个irfp4310的二极管参数,恢复时间只有40ns,肖特基比这快么?
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肖特基没有反向恢复时间。
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应该说很短,不能说没有吧

出0入0汤圆

发表于 2011-4-7 16:24:04 | 显示全部楼层
肖特基没有PN结,不过肖特基的耐压很低

出0入663汤圆

发表于 2011-4-7 17:21:32 | 显示全部楼层
回复【27楼】ssclark
肖特基没有反向恢复时间。
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应该说很短,不能说没有吧
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反向恢复时间是PN结引起的,肖特基没有PN结,自然就没有反向恢复时间,不过结电容还是存在的,所以开关速度还是有限制的。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-4-7 17:39:24 | 显示全部楼层
回复【29楼】gzhuli  咕唧霖
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同意

出0入0汤圆

发表于 2011-10-7 10:02:46 | 显示全部楼层
有收获..呵呵

出0入0汤圆

发表于 2011-10-7 11:27:52 | 显示全部楼层
以前也一直以为那个二极管是用来续流的,汗~~~

出90入0汤圆

发表于 2014-4-27 15:22:22 | 显示全部楼层
好像没有这个二极管的参数。
电流
耐压
最大反向恢复时间

出0入42汤圆

发表于 2014-4-27 15:36:36 | 显示全部楼层
任何一个硅二极管,只要雪崩击穿时的特性没有负阻特性,就可当稳压管使用,而大多数硅二极管都是这样的,只要功耗引起的温升在合理范围内,稳压电压就是它的击穿电压。

出0入0汤圆

发表于 2014-5-1 16:51:01 | 显示全部楼层
solyp 发表于 2011-4-4 11:33
回复【12楼】csg0203  电子小工
---------------------------------------------------------------------- ...

在di/dt=100A/us后面有注释的

例如IRF540N trr反向恢复时间典型值115ns,最大170ns,条件是@TJ=25℃,IF=16A,di/dt=100A/us(注释:PWM周期<=400us,占空比<=2%)

出0入0汤圆

发表于 2014-5-1 19:09:56 | 显示全部楼层
耐压通流量还可以,不过速度不是很快。有快。的IGBT上面自带的超快恢复二极管速度
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